第四章隔离型DCDC变换器详解课件.ppt
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1、隔离型DC/DC变换器,1,概述,非隔离的DC/DC变换器的局限性输入输出不隔离,形成地线上的环流输入输出电压比或电流比不能太大无法实现多路输出,2,解决方法采用变压隔离器,概述,理想变压隔离器的特征从输入到输出能够通过所有的信号频率,即从理想的直流到交流都能变换;变换时可不考虑能量损耗;变换中能提供任何选定的电压和电流变比能使输入和输出之间完全隔离变换时,无论从原边到副边,或副边到原边,都是一样方便有效,3,理想的变压隔离器符号,隔离型Buck变换器单端正激变换器,电路的构成,4,基本buck变换电路拓扑,Buck变换器工作波形,隔离型Buck变换器单端正激变换器,电路的构成,5,隔离型bu
2、ck(正激 Forward)变换器,隔离型Buck变换器单端正激变换器,工作原理,6,N3+VD2:将残存的能量馈送到输入端,即进行磁复位。,由于磁芯的磁滞效应,当具有非零直流平均电压的单向脉冲加到变压器初级绕组上,线圈电压或电流回到零时,磁芯中磁通并不回到零,这就是剩磁通。剩磁通的累加可能导致磁芯饱和,因此需要采用磁复位(去磁技术),(2)电感L储能,电流直线上升,隔离型Buck变换器单端正激变换器,工作原理,7,能量传递阶段,VT导通,(1)经变压器耦合和二极管VD向负载传输能量。,工作原理,8,隔离型Buck变换器单端正激变换器,磁复位阶段,VT截止,(2)副边:VD截止,VD1导通,L
3、向负载释放能量,电流直线下降。,(1)原边:磁芯中的剩磁能量通过VD2和N3向输入电源馈送。,工作原理,9,隔离型Buck变换器单端正激变换器,续流阶段,VD2截止,磁芯中的能量释放完毕。,VD1导通或截止,(1)如果电感储能能够维持电流连续至下个周期开始,VD1始终导通。(2)如果电感电流断续,则VD1截止。,工作原理,10,隔离型Buck变换器单端正激变换器,输出电压平均值,VT截止时,隔离型Buck变换器单端正激变换器,正激变换器的设计开关管的选择(1)开关管的漏极额定电流必须大于流过IGBT漏极实际电流IDmax。,11,(2)当N1=N3时,开关管承受最大电压为2Ui,隔离型Buck
4、变换器单端正激变换器,整流二极管、续流二极管的选择(1)流过整流二极管和续流二极管中的电流峰值均为电感电流峰值(2)VD1承受最大电压出现在VT导通时(3)VD承受最大电压出现在VT截止时,12,隔离型Buck变换器单端正激变换器,多路输出的正激变换器原理图,13,参考电压,隔离型Buck变换器单端正激变换器,例1 前页所示正激变换器,输入电源电压60V,二次主输出的平均输出电压为5V,开关频率为1kHz,输出电感电流纹波最大值为0.1A,原边边绕组匝数60,匝比Nr/Np等于1。求: (1)副边主绕组匝数最小值Nsm; (2)输出滤波电感Lom的值。,14,回顾 :右手定则,磁场方向 电流方
5、向,磁场方向 电流方向,11,安培环路定律,矢量H沿任意闭合曲线的积分等于此闭合曲线所包围的所有电流的代数和(图1.6),即,dl,H,I1,I2,I3,根据右图,方程右边,I4,16,磁场强度单位,如果磁场强度H与闭合路径方向一致,闭合路径的积分为,在MKS制中磁场强度单位为安/米.而在CGS制中为奥斯特,简称奥,代号Oe.它们之间的变换关系为,17,电磁感应定律,楞次定律,S,N,运动方向,18,电磁感应定律,如果是多匝线圈,式中:N磁链(Wb)韦伯,19,电路中的磁元件,1、自感自感系数,20,即,电感单位 L=伏.秒/安=欧秒=亨利 简称亨,代号H,电感的感应电势符号和单位,+ u -
6、,电流增加,- u +,电流减少,单位,(亨),21,自感电动势与能量关系,22,能量关系,互感,线圈之间互感,23,N1,N2,i1,i2,11,12,互感系数,M,N1,N2,i1,i2,同名端用 表示,电压平衡方程式,如果两个耦合线圈都流过增量电流有,25,耦合系数,变压器1,27,空载:电压激励,初级,次级:,变比:,变压器2,变压器负载,28,u1,u2,N1,N2,k,RL,i1,i2,i2N2i2/N1次级反射电流,单端正激变换器总结:1 电路简单,多应用于中,小功率电路;2 变压器与储能电感分离,但正激需要B-H工作于1象限,所以电路需增加磁复位辅助电路;3 输入电流是脉动的,
7、有较大尖峰出现,对器件要求较高,一般最大值为平均值的4-5倍。,COME ON,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,电路的构成,29,基本Buck-Boost变换器,隔离型Buck-Boost变换器,电感隔离变换器,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,电路的构成(变压器N2反绕),30,单端反激式(Flyback)变换器,VT导通时,VD截止,VT截止时,VD导通,电感储能型变换器,导通终了时,i1的幅值,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,工作原理,31,VT导通时,VD截止,i1,i2,流过N1的电流,VT截止时,VD导通,I2p为VT截止时i2的幅值,
8、流过N2的电流,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,3种工作状态变压器磁通临界连续状态,32,VT截止时间toff和绕组N2中电流i2衰减到零所需的时间相等,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,变压器磁通不连续状态,34,VT截止时间toff比绕组N2中电流i2衰减到零所需的时间更长即 toff(L2/UO)I2P,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,变压器磁通连续状态,35,VT截止时间较小,toff 0,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,电压传输比,36,VT导通,VT截止,伏秒平衡,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,输入输出
9、电压关系,37,即输入功率为,VT导通期间,变压器T储能,输出功率为,假定电路无损,结论:(1)Uo与负载RL有关, RL Uo (2) Uo与导通时间成正比(3)与电感量L1成反比,教材P69,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,开关管承受电压,38,VT截止时,N1上的感应电势,VT截止时,漏-源承受的电压,隔离型Buck-Boost变换器单端反激变换器,变换器的设计变压器磁通不连续,39,开关管的选择,整流二级管的选择,单端反激变换器总结:1 电路简单,广泛应用于50W以下电路;2 变压器同时充当储能电感器,设计时比较困难;3 输入、输出电流都有较大尖峰出现,而且都是脉动的。
10、,双端变压器隔离变换器,1、单端变压器无论是正激还是反激,功率管在开关翻转瞬间要承受2Vi。2、变压器只工作于第一象限,几个周期后,很容易进入“磁饱和”,而且变压器利用率低,只有50%。3、需要退磁电路设计。,一、回 顾,单端变压隔离器的磁通复位技术,43,使用单端变压隔离器遇到的问题,如何使变压器磁芯在每个脉动工作磁通之后都能回复到磁通起始值,去磁复位问题,开关导通时,电流很大开关断开时,过电压很高,如果每个周期不去磁,剩余磁通的累加可能导致磁芯饱和,单端变压隔离器的磁通复位技术,磁芯复位线路种类,44,采用哪种方法取决于功率P的大小和所使用的磁芯磁滞特性而定,单端变压隔离器的磁通复位技术,
11、2种典型的磁芯磁滞特性曲线,45,低Br铁氧体、铁粉磁芯、非晶合金磁芯复位常用转移损耗法,线路简单可靠,高Br无气隙的晶粒取向镍铁合金磁芯复位常用强迫法,线路较复杂,单端变压隔离器的磁通复位技术,低Br的去磁方法,46,转移损耗法磁芯去磁线路,单端变压隔离器的磁通复位技术,低Br的去磁方法,47,再生式磁芯去磁线路,(a)能量电源,(b)能量负载,单端变压隔离器的磁通复位技术,高Br的去磁方法,48,强制磁芯去磁各种方法,(a)加恒流源和变压器附加绕组,(b)外部加永久磁铁,单端变压隔离器的磁通复位技术,高Br的去磁方法,49,强制磁芯去磁各种方法,(c)利用滤波电感作为恒流源,单端变压隔离器
12、的磁通复位技术,高电压源变换器中去磁电路,50,双开关、单端去磁线路,利用 原边绕组本身,双管正激式DC/DC变换器,电路结构,51,工作原理,VT1、VT2同时动作,VT1、VT2同时导通:UNPUNS,iVD3 ,iVD4 关闭 IP=IS/n(n=NP/NS),VT1、VT2同时关断:VD1,VD2将N1磁能量反馈回Ui,并嵌位;VD3关断,VD4 续流导通,注意点:D 0.5,52,双端变压隔离电路,开关管轮流工作,分类:1、推挽式2、半桥式3、全桥式,一、推挽式双端变换器,T1导通,D4导通(L储能),占空比D0.5,ton1结束时,L通过D3放能,T2导通,D3导通(L储能),占空
13、比D0.5,ton2结束时,L通过D4放能,四个工作状态,推挽式双端变换器,输出电压,不足:1,、隔离变压器N1利用率低50%2、功率管耐压要求高2Ui3、存在“单向磁偏”,有可能损坏功率管,二、全桥变换器,57,全桥变换器电路拓扑演变过程,优点:UVT1maxUVT2max Ui缺点:变压器利用率较低,1.大功率场合常用电路2.VT1和VT4 、VT2和VT3同时导通3.变压器得到充分利用,全桥变换器,工作原理,58,t0t1: uG1,4=1,VT1 , VT4导通,UNP =Ui ; iVD5 ,iVD6VD5导通,VD6关断,t1t2: uG1,4=uG2,3=0,VT1VT4关断;
14、uVT1=uVT2=uVT3=uVT4=(1/2)Ui,t2t3: uG2,3=1, VT2 , VT3导通,UNP =-Ui ; iVD6 ,iVD5VD6导通,VD5关断,t3t4: uG1,4=uG2,3=0,VT1VT4关断; uVT1=uVT2=uVT3=uVT4=(1/2)Ui,全桥变换器,缓冲器的组成及作用,59,三、半桥变换器,半桥变换器的构成,60,半桥式变换器的电路拓扑,1. 用2个相同的电容器代替2个晶体管2. 降低成本,增大电路体积3. 常用于低功率变换器4. 初级电压峰值为全桥电路一半,电流为全桥的2倍,半桥变换器,工作原理,61,t0t1: uG1=1,VT1 导通
15、,UNP =(1/2)Ui ; iVD5 ,iVD6VD5导通,VD6关断,t1t2: uG1=uG2=0,VT1、VT2关断,UNP =0; uVT1=uVT2=(1/2)Ui ; VD5、VD6均导通为L提供续流回路,t2t3: uG2=1, VT2 导通,UNP =-(1/2)Ui ; iVD6 ,iVD5VD6导通,VD5关断,t3t4: uG1=uG2=0,VT1、VT2关断; uVT1=uVT2=(1/2)Ui,半桥变换器,分压电容器C1,C2的选择,62,初级电流,VT1和VT2导通时,从A点充电或取电在半周期中,C1,C2两个电容器补充电荷损失,电容器上直流电压变化的百分数与整
16、流输出电压变化的百分数是相同的,输出电压纹波百分数,CF=C1+C2,半桥变换器,偏磁现象及其防止方法偏磁的可能性:VT1,VT2具有不同开关特性,导致伏秒不平衡,发生偏磁现象。,63,串联耦合电容改善偏磁性能,C3两端直流电压降变化速度的时间常数,半桥变换器,串联耦合电容的选择初算电容量,64,初算电容器充电电压是否过高或过低,注:谐振频率通常选fR=0.1fS,半桥变换器,直通的可能性及其防止直通:VT1、VT2两晶体管在某一时间内同时导通的现象。防止方法:对驱动脉宽最大值加于限制。从拓扑上解决,采用交叉耦合封闭电路。,65,第四章 拓展 光电隔离,开关量的输入输出隔离主要有两个目的:电气
17、隔离:防止被隔离两边的电噪声干扰;电平转换:两边的工作电平、电源电压、信号极性都可以不同。,1、廉价实用的TLP521-X,TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4,图1 TLP521的各种封装及引脚排列,开关量的输入隔离一般使用光电隔离器件。可以使用的光电隔离器件很多,有许多器件性能相近,普通开关量的输入隔离使用TLP521-X即可,工作频率不高,一般限制在10KHZ以内,A图输入高电平,输出高电平,输入低电平,输出低电平;b图输入高电平,输出低电平,输入低电平,输出高电平,图4.2 基本的光电隔离电路,(1)R1可按驱动电流510mA设计, 选择驱动发光二极管的驱动器件任意,只
18、要能保证长时间提供510mA电流即可 (2) R2可取2.2K10K,太小则电路功耗增大,太大则抗干扰能力减弱,且关断时输出端的上升速度将减慢, VCCX=+5V时,R2可取3.3K,基本的光隔电路(一),图4.2 基本的光隔电路(a),(1)此种接法更为常用(2) VCCX=+5V时, R4去掉 VCCX=+12V时,R4取6.8K(或改用ULN2004) VCCX=+24V时,R4取20K(或改用ULN2002),基本的光隔电路(二),图4.2 基本的光隔电路(b),D1D4用于输入状态的直观显示,R1R4的输入限流电阻,使用1/4瓦电阻即可。不使用D1D4时,限流电阻取330即可。输出上
19、拉电阻功耗较小,可以使用排阻。要求响应速度较高时,排阻阻值应适当减小。图中假设VCC和VCCX均为5V。,图4.3 实用的隔离电路输入,TLP521的正常工作频率应限制在10kHz以下,在大于10kHz时,必须考虑负载电阻对工作频率的影响。原则上,降低负载电阻阻值对工作频率的提高有利,负载电阻最低可降至1k。对波形要求较高的场合,工作频率应适当降低,并应在输出端加接施密特触发器整形电路。,图4.4 TLP521的负载电阻对开关时间的影响,2、高频脉冲的隔离,对波形要求较高的场合,应使用高频特性好的光隔如4N25(300KHZ)、4N35(300KHZ)、6N136(2MHZ),4N35,6N1
20、36,光敏二极管的开关时间通常比光敏三极管小,负载电阻越小,开关时间越短,光耦的开关速度越高。最小负载电阻可以小到500。带基极引脚的光耦,其基极应使用一电阻接到集电极,阻值以50k到100k为佳。如省略该电阻,则开关时间会大45倍,则开关频率就降低45倍。不应该省略该电阻。,图4.5 4N35负载电阻及基极-发射极电阻对开关时间的影响,影响工作频率的因素:(1)负载电阻: 越小,开关速度越快,最好不小于1000(2)基极电阻: 一般取50K100K,(1)VCCX取5V时,负载电阻R3应取2.2K3.3K(2)74LS14用于整形,为保证输出波形为理想的方波,防止出现干扰脉冲等非正常情况的发
21、生,输出端使用施密特触发器对波形整形,图4.7 用6N136的光隔电路,4.2DC-DC变换器的应用,从工作原理分,DC-DC变换器通常有电荷泵变压、脉宽调制变压、电荷泵与脉宽调制组合变压、隔离变压器变压等多种。前几种的变压通常是全电子的,因而输入与输出无隔离;后者通常可提供1000V以上的电压隔离。集成电路DC-DC变换器 电荷泵变压、脉宽调制变压、前二者的组合变压隔离变压器型DC-DC变换器,真正隔离,独立的直流电源是光电隔离电路的基本条件。DC-DC变换器通常可以提供几毫安到数百毫安电流的各种隔离电压输出,1、集成电路DC-DC变换器,效率高、体积小、以小电流应用为主(互补电压:电路生成
22、两个模拟电压,用一种互补方式可以改变这两个电压。当直通输出电压上升时,互补的输出电压下降,反之亦然。两个输出电压之和为恒定值:VOUT+VOUTC=VREF),(1)ICL7660 Intersil公司 输出:1.5V10V 输:互补电压(通常为正电压入、负电压出) 主要用于单电源供电的A/D转换场合(2)MAX640/MAX848Maxim公司 输入:5V 输出:3.3V,典型应用为给低电压器件供电 (3)MAX735 输入:4V6.2V 输出:5V(4)MAX737 输入:4V8.6V 输出:15V-15V输出可给LCD提供负偏置电压,单电源输出变换器,(1)MAX742 输入:4.2V1
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- 第四 隔离 DCDC 变换器 详解 课件
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