第四章 光检测和光接收机要点课件.ppt
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1、1,第4章 光检测和光接收机,2,本章内容、重点和难点,本章内容 半导体光检测器:PIN和APD光电二极管。 光接收机。 光接收机的噪声与误码分析 接收机灵敏度分析,第4章 光检测器与光接收机,3,学习本章目的和要求, 掌握光检测器的工作原理及特性。 掌握误码、灵敏度的概念与物理意义。,第4章 光检测器与光接收机,4,第4章 光检测器与光接收机,光接收机是光纤通信系统的主要组成部分,它的性能是整个光纤通信系统性能的综合反映。由光发送机发出的光信号在光纤线路中传输时,不仅会受到损耗的影响而造成幅度衰减,同时光纤色散和非线性效应等可能会引起脉冲波形展宽,由此造成的信号质量下降,增加接收机接收信号的
2、难度,这些都对接收机的性能提出了较高的要求。 光接收机的主要作用是将经光纤传输后幅度被衰减,波形被展宽的微弱光信号转变为电信号,并经放大处理,恢复为原来的信号 目前常用的半导体光电检测器有两种:PIN光电二极管和APD雪崩光电二极管。,5,6,4.1 半导体光检测器件,光电检测器的作用是将光纤输出的微弱光信号转变为电信号,它是影响接收机性能的重要器件。对光检测器的基本要求是: 在系统的工作波长上具有足够高的响应度,即对一定的入射光功率,能够输出尽可能大的光电流 具有足够快的响应速度,能够适用于高速或宽带系统; 具有尽可能低的噪声,以降低器件本身对信号的影响; 不需要过高的偏压或偏流,具有高可靠
3、性和长寿命; 检测器几何尺寸小,便于与光纤耦合以及与其它电路组装。,7,4.1.1 光电二极管的工作原理,8,4.1.1 光电二极管的工作原理,最基本的半导体光检测器是由反向偏置的PN结构成的。在半导体材料的PN结面上,由于电子和空穴的扩散形成了内部的自建电场,它使电子和空穴产生了与扩散方向相反的漂移运动。在PN结界面附近形成了高电场的耗尽区。在耗尽区两边,电场基本为0,称为扩散区。 耗尽区和扩散区均为光子的吸收区,在入射光照射下,要吸收光能量产生光生载流子。,9,4.1.1 光电二极管的工作原理,半导体材料的光电效应,10,4.1.1 光电二极管的工作原理,光生载流子慢扩散使响应变慢,限制因
4、素:由于光生载流子扩散速度慢于漂移速度而引起的响应变慢现象 解决方法:1)加反向偏压增加耗尽区的宽度,减少光生电流中的扩散分量,同时强电场也会加快光生载流子的漂移速度。2)结构优化:如减小p区和n区的厚度,采用PIN和APD结构等,11,4.1.2 PIN光电二极管,PIN光电二极管是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间,加一层轻掺杂的N型材料,称为I(Intrinsic,本征的)层。由于是轻掺杂,电子浓度很低,经扩散后形成一个很宽的耗尽层,其原理如图所示。,PIN光电二极管,12,4.1.2 PIN光电二极管,I层较厚,几乎占尽了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空
5、穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体,P层和N层很薄,吸收入射光的比例很小。因而光生电流中漂移分量占了主导地位,这就大大加快了响应速度。 带隙选取时光仅在I区吸收,如InGaAs做本征层(吸收波长1.31.6um),P+-InP层的吸收波长0.9um。 但过大的耗尽区宽度将延长光生载流子在耗尽区漂移的时间,反而导致响应变慢,因此,可通过控制耗尽区的宽度w,来改变器件的响应速度。,13,4.1.2 PIN光电二极管,I层较厚,几乎占尽了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体,P层和N层很薄,吸收入射光的比例很小。
6、因而光生电流中漂移分量占了主导地位,这就大大加快了响应速度。 带隙选取时光仅在I区吸收,如InGaAs做本征层(吸收波长1.31.6um),P+-InP层的吸收波长0.9um。 但过大的耗尽区宽度将延长光生载流子在耗尽区漂移的时间,反而导致响应变慢,因此,可通过控制耗尽区的宽度w,来改变器件的响应速度。,14,4.1.2 PIN光电二极管,2PIN光电二极管的主要特性 PIN管特性包括截止波长、响应度、量子效率、响应速度和暗电流(1)截止波长与吸收系数 只有入射光子的能量hf大于半导体材料的禁带宽度Eg,才能产生光电效应。因此对一种特定材料的检测器存在着一个下限频率fc和相应的上限光波长c。,
7、只有波长小于c的光才能使用由这种材料做成的器件检测。c称为器件的截止波长。,15,* 吸收系数与穿透效应 其中:a为材料吸收系数,1/a为光在半导体中的穿透深度。 a越小,可设计的本征层厚度越大,光子入射该区域被吸收的概率越高。且随光波长减小而变大。在光波长很短时,光在半导体表面就被吸收殆尽,使得光电转换效率很低。这限制了PIN在较短波长上的应用。 由上分析可见:要检测某波长的入射光,必须要选择由适当材料做成的检测器。既要求禁带宽度决定的截止波长要大于入射光波长,又有合适的吸收系数,以免降低光电转换效率。,4.1.2 PIN光电二极管,16,(2)响应度和量子效率 响应度和量子效率表征了光电二
8、极管的光电转换效率。 响应度 响应度定义 (A/W)(3-10) 其中,Ip为光电检测器的平均输出电流,Pin为入射到光电二极管上的平均光功率。,4.1.2 PIN光电二极管,17,4.1.2 PIN光电二极管, 量子效率 量子效率表示入射光子转换为光电子的效率。它定义为单位时间内产生的光电子数与入射光子数之比,即 变化后: 结论: 光电二极管的响应度和量子效率与入射光频率(波长)有关;对于某种既定的PIN光检测器,通常具有最佳工作波长。,18,PIN光电二极管响应度 、量子效应率 与波长 的关系,4.1.2 PIN光电二极管,19,4.1.2 PIN光电二极管,(3)响应速度 响应速度是指半
9、导体光电二极管产生的光电流跟随入射光信号变化快慢的状态。一般用响应时间或截止频率fc(带宽B)表示。 取决于RC上升时间、载流子渡越时间、载流子扩散时间。 *对于数字脉冲调制信号,把光生电流脉冲前沿由最大幅度的10%上升到90%定义为脉冲上升时间RC。 *载流子的渡越时间d=w/v 减小耗尽层的宽度w或者增加光电二极管的反向偏压都可以缩短渡越时间。,20,4.1.2 PIN光电二极管,(4)暗电流 在理想条件下,当没有光照时,光电检测器应无光电流输出。但是实际上由于热激励等,在无光情况下,光电检测器仍有电流输出,这种电流称为暗电流。 严格地说,暗电流应包括体暗电流和漏电流两部分。前者由半导体材
10、料及掺杂浓度决定,后者由半导体表面的缺陷引起。通常用暗电流密度来表示(单位面积上的暗电流)。 暗电流的存在会限制光电二极管所能检测的最小光功率,引起接收机的噪声增大,降低接收机的灵敏度。因此,器件的暗电流越小越好。,21,4.1.2 PIN光电二极管,(5)噪声 噪声包括散粒噪声(Shot Noise)(由信号电流和暗电流产生) 热噪声(由负载电阻和后继放大器输入电阻产生)。,1)均方散粒噪声电流 i2sh=2e(IP+Id)B 2eIPB 称为量子噪声(由于入射光子和所形成的电子-空穴对都具有离散性和随机性而产生)。 2eIdB是暗电流产生的噪声。 2)热噪声 负载电阻的热噪声。,i2T=,
11、22,4.1.3 雪崩光电二极管,雪崩光电二极管,又称APD(Avalanche Photo Diode)。它不但具有光/电转换作用,而且具有内部放大作用,其放大作用是靠管子内部的雪崩倍增效应完成的。1APD的工作原理和结构 APD的雪崩倍增效应,是在二极管的P-N结上加高反向电压,在结区形成一个强电场;在高场区内光生载流子被强电场加速,获得高的动能,与晶格的原子发生碰撞电离,产生的二次电子空穴在强电场中又被加速,再次碰撞,再次电离,如此循环下去,形成连锁反应,致使耗尽层内的载流子数雪崩似的急剧增加,通过二极管的电流也就猛增,这就是雪崩倍增效应。 APD就是利用雪崩效应使光电流得到倍增的高灵敏
12、度的检测器,其噪声特性优于PIN+FET的组合结构。,23,4.1.3 雪崩光电二极管,24,4.1.3 雪崩光电二极管,结构:对P区、n区进行重掺杂,并在I区和n区之间引入一层P区作为碰撞电离层,即增益区,以产生二次电子-空穴对。 目前APD有保护环型和拉通(又称通达)型。 拉通型雪崩光电二极管(RAPD)的结构示意图和电场分布如图所示。图(a)所示的是纵向剖面的结构示意图。图(b)所示的是将纵向剖面顺时针转90的示意图。图(c)所示的是它的电场强度随位置变化的分布图。 APD随使用的材料不同有几种:Si-APD(工作在短波长区);Ge-APD和InGaAs-APD(工作在长波长区)等。,2
13、5,4.1.3 雪崩光电二极管,RAPD的结构图和能带示意图,26,2APD的特性 APD除了PIN的特性之外还包括雪崩倍增特性、温度特性等。 (1)倍增因子g(平均倍增G) 倍增因子g实际上是电流增益系数,定义为倍增的光电流与初始光生电流之比,一般用平均倍增G表示。 电流增益系数G与外加的偏压有关。偏压上升,耗尽层的电场增强,使靠近雪崩区的部分电场超过碰撞电离所需的最低电压,拓宽雪崩区,倍增作用变大。,4.1.3 APD检测器的特性,27,G随偏压的变化,使雪崩管可以提供适当的动态范围。如 图,其动态增益范围达11dB,大大减轻后面放大器的动态范围要求。 G与入射波长、温度有关。 (2)温度
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