光伏行业基础知识(硅片、电池、组件)课件.ppt
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1、光伏行业基础知识,主要内容,光伏产品的应用光伏产业链的介绍产业链各环节介绍,光伏产品的应用,什么是光伏?,1839年,法国Becqueral第一次发现,在光照条件下,某些系统的两端具有电压,用导线将两端连接起来后,有电流输出,这就是光生伏特效应(photovoltaics,简称PV)。 1954年,贝尔实验室Chapin等人开发出效率为6的单晶硅太阳电池,现代硅太阳电池时代从此开始。,光伏发电的应用,神州五号飞船上的太阳能帆板,空间站上的太阳能帆板,太阳能飞行器,太阳能汽车,光伏发电的应用,光伏发电站,光伏发电的应用,通过光伏供电的通讯基站,太阳能电池充电器,光伏发电的应用,太阳能路灯,光伏发
2、电的应用,从2006、2007 年全球光伏市场结构来看,欧洲市场占全球份额高居70%以上,日本市场逐渐下降,美国市场稳步攀升,这与各地区的光伏产业政策的扶持力度直接相关。,2006年全球光伏市场结构,2007年全球光伏市场结构,全球光伏市场结构,光伏产业链的介绍,光伏产业链,中国的光伏行业产业链,中国的光伏行业产业链,产业链各环节介绍,(一)硅片,硅片,硅材料,硅片,多晶硅硅锭,硅片,单晶硅硅棒,硅片,目前晶体硅太阳电池硅片分为单晶硅硅片和多晶硅硅片。单晶硅主要是125125mm。多晶硅主要是125125mm和156156mm两种规格。,硅片,单晶硅硅片,硅片,多晶硅硅片,硅片,外观区别多晶硅
3、硅片相对于单晶硅硅片,有明显的多晶特性,表面有一个个晶粒形状,而单晶硅硅片表面颜色一致。单晶硅硅片因为使用硅棒原因,四角有圆形大倒角,而多晶硅硅片一般采用小倒角。,硅片,生产方法,硅片,CZ 法是利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法,又称直拉法。目前国内太阳电池单晶硅硅片生产厂家大多采用这种技术。多晶硅硅料置于坩埚中经加热熔化,待温度合适后,经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤,完成一根单晶硅锭的拉制。炉内的传热、传质、流体力学、化学反应等过程都直接影响到单晶的生长及生长成的单晶的质量,拉晶过程中可直接控制的参数有温度场、籽晶的晶向、坩埚和生长成的单晶的旋转
4、及提升速率,炉内保护气体的种类、流向、流速、压力等。,切克劳斯基法(CZ法),硅片,直拉单晶炉及其基本原理示意图,硅片,区域熔化是对锭条的一部份进行熔化,熔化的部分称为熔区,当熔区从头到尾移动一次后,杂质随熔区移到尾部。利用这种方法可以进行多次提纯,一次一次移动熔区以达到最好的提纯效果,但由于液固相转变温度高,能耗大,多次区熔提纯成本高。区熔法有水平区熔和悬浮区熔,前者主要用于锗提纯及生长锗单晶,硅单晶的生长则主要采用悬浮区熔法,生长过程中不使用坩埚,熔区悬浮于多晶硅棒和下方生长出的单晶之间。由于悬浮区熔时,熔区呈悬浮状态,不与任何物质接触,因而不会被沾污。此外,由于硅中杂质的分凝效应和蒸发效
5、应,可获得高纯单晶硅。目前航天领域用的太阳电池所用硅片主要用这种方式生长。,区熔法(FZ)法,硅片,区熔法生产单晶示意图,硅片,浇铸法将熔炼及凝固分开,熔炼在一个石英砂炉衬的感应炉中进行,熔融的硅液浇入一个石墨模型中,石墨模型置于一个升降台上,周围用电阻加热,然后以1mm/min的速度下降。其特点是熔化和结晶在两个不同的坩埚中进行,这种生产方法可以实现半连续化生产,其熔化、结晶、冷却分别位于不同的地方,可以有效提高生产效率,降低能源消耗。缺点是因为熔融和结晶使用不同的坩埚,会导致二次污染,此外因为有坩埚翻转机构及引锭机构,使得其结构相对较复杂。,浇铸,硅片,铸造法硅锭炉示意图,硅片,热交换法及
6、布里曼法都是把熔化及凝固置于同一坩埚中( 避免了二次污染),其中热交换法是将硅料在坩埚中熔化后,在坩埚底部通冷却水或冷气体,在底部进行热量交换,形成温度梯度,促使晶体定向生长。下图为一个使用热交换法的结晶。炉示意图该炉型采用顶底加热,在熔化过程中,底部用一个可移动的热开关绝热,结晶时则将它移开以便将坩埚底部的热量通过冷却台带走,从而形成温度梯度。,热交换法及布里曼法,硅片,热交换法及布里曼法,热交换法结晶炉炉内结构示意图,硅片,布里曼法则是在硅料熔化后,将坩埚或加热元件移动使结晶好的晶体离开加热区,而液硅仍然处于加热区,这样在结晶过程中液固界面形成比较稳定的温度梯度,有利于晶体的生长。其特点是
7、液相温度梯度dT/dX 接近常数,生长速度受工作台下移速度及冷却水流量控制趋近于常数,生长速度可以调节。实际生产所用结晶炉大都是采用热交换与布里曼相结合的技术。,热交换法及布里曼法,硅片,下图为一个热交换法与布里曼法相结合的结晶炉示意图。图中,工作台通冷却水,上置一个热开关,坩埚则位于热开关上。硅料熔融时,热开关关闭,结晶时打开,将坩埚底部的热量通过工作台内的冷却水带走,形成温度梯度。同时坩埚工作台缓慢下降,使凝固好的硅锭离开加热区,维持固液界面有一个比较稳定的温度梯度,在这个过程中,要求工作台下降非常平稳,以保证获得平面前沿定向凝固。,热交换法与布里曼法结合示意图( 坩埚移动),硅片,热交换
8、法与布里曼法结合示意图( 坩埚移动),硅片,下图为另一类型的热交换法与布里曼法结合的炉子,这种类型的结晶炉加热时保温框和底部的隔热板紧密结合,保证热量不外泄。开始结晶时,坩埚不动,将石墨加热元件及保温框往上慢慢移动。坩埚底部的热量通过保温框和隔热板间的空隙散发出去,形成温度梯度。,热交换法与布里曼法结合示意图( 热源及保温框移动),硅片,HEM + Bridgeman 法示意图( 热源 及保温框移动),硅片,这种方法的特点是不使用坩埚,硅料通过加料装置进入加热区,通过感应加热使硅料熔融,当硅液向下移离开加热区后,结晶生长,如此通过不断加料,不断将结晶好的硅锭往下移,就可以实现连续生长,锭子高度
9、可达12m 。但用这种方法生产的硅锭晶粒尺寸小,横截面小,因此容量也不大。,电磁铸锭法,硅片,总体来说,单晶和多晶硅锭的生长方法各有所长,单晶的转换效率高,但产能低、能耗大;多晶的转换效率相对较低,但能耗低、产能大,适合于规模化生产。单晶的FZ及CZ方法与多晶定向凝固生长方法的比较如下表所示。,单晶和多晶硅锭的生长方法比较,硅片,单晶和多晶硅锭的生长方法比较,硅片,多晶硅硅片加工工艺流程,硅片,硅片生产相关设备,硅片,破锭,硅片,硅片切割,硅片,1、型号( P型和N型, P型多晶硅是掺B,N型多晶硅是掺P)2、电阻率3、少数载流子寿命4、硅片边长5、对角线长度6、倒角7、厚度8、总厚度变化,硅
10、片性能参数,硅片,周期表中III或V族元素, 如硼(B)、磷(P)等 电离能低,对电导率影响显著,作掺杂剂 P型掺硼(受主),N型掺磷(施主) I副族和过渡金属元素,如Fe、Zn、Mn、Cr等 电离能高,起复合中心的作用 破坏 PN 结特性,少子寿命降低,转换效率下降 碳、氧、氮等形成化合物, 结晶缺陷, 性能不均匀, 硅片变脆,硅片中杂质的行为,硅片,杂质元素浓度对电池转换效率的影响,产业链各环节介绍,(二)电池,电池,单晶硅太阳电池,多晶硅太阳电池,多晶硅太阳电池与单晶硅太阳电池的最大差别在于硅片,多晶硅片是许多硅晶粒的集合体,晶体硅太阳电池,正面和背面的金属电极用来收集光激发的自由电子和
11、空穴,对外输出电流;减反射薄膜的作用是减小入射太阳光的反射率;pn结的作用是将光激发的自由电子输送给n型硅,将自由空穴输送给p型硅。,晶体硅太阳电池结构,电池,单晶硅的晶体结构。单晶硅体内的每个硅原子(Si)最近邻有四个Si原子。未掺杂的硅称为本征硅。,掺磷原子(P),掺硼原子(B),P杂质原子最外层的电子数比硅原子多一个。 P杂质原子多余的电子很容易挣脱原子核的束缚,成为自由移动的电子。掺P杂质的Si半导体主要依靠电子导电,称为n型Si,P杂质称为施主杂质。,B杂质原子最外层的电子数比硅原子少一个,相当于B杂质原子最外层多了一个空穴。在常温条件下,B杂质原子多余的空穴很容易挣脱原子核的束缚。
12、掺B杂质的Si半导体主要依靠空穴导电,称为p型Si,B杂质称为受主杂质。,n结,电池,n型硅中有数量较多的电子,p型硅中有数量较多的空穴。当n型硅和p型硅结合在一起后,n型硅中有部分电子往p型硅中扩散,p型硅中有部分空穴往n型硅中扩散,使得n型硅在交界处附近留下带正电的离子实,p型硅在交界处附近留下带负电的离子实。这两种离子实在交界处附近的区域内产生电场,称为内建电场,电场方向由n型硅指向p型硅。n型硅和p型硅交界处附近的区域称为pn结。,n结,电池,光生伏特效应,电池,在太阳光的照射下,硅片中激发出自由电子和自由空穴。自由电子和空穴扩散到p-n结附近,受到内建电场的作用,电子往n型硅中漂移,
13、空穴往p型硅中漂移。,电子带负电,空穴带正电。漂移到n型硅中电子使n型硅带多余的负电荷,对外表现出负电性;漂移到p型硅中的空穴使p型硅带多余的正电荷,对外表现出正电性。n型硅和p型硅之间对外具有一定的电势差,称为光生电压或者光生电动势。,光生伏特效应,电池,当太阳光照射到太阳电池表面时,由于光生伏特效应,太阳电池的正面电极和背面电极之间产生光生电压,用金属导线接上电灯、电器等负载,可为这些负载提供电流。,太阳电池工作原理,电池,晶体硅太阳电池生产的工艺流程,电池,在硅片的切割生产过程中会形成厚度达10微米左右的损伤层,且可能引入一些金属杂质和油污。如果损伤层去除不足,残余缺陷在后续的高温处理过
14、程中向硅片深处继续延伸,会影响到太阳电池的性能。,晶体化学表面处理(清洗制绒),电池,电池,清洗的目的:清除硅片表面的机械损伤层;清除表面油污和金属杂质;形成起伏不平的绒面,减小太阳光的反射。,晶体化学表面处理(清洗制绒),单晶硅片的清洗采用碱液腐蚀的技术,碱液与硅反应生成可溶于水的化合物,同时在表面形成“金字塔”状的绒面结构。多晶硅片的清洗则采用酸液腐蚀技术,酸液与硅反应生成可溶于水的化合物,同时形成的绒面结构是不规则的半球形或者蚯蚓状的“凹陷”。,晶体化学表面处理(清洗制绒),电池,由于绒面结构的存在,入射光经绒面第一次反射后,反射光并非直接入射到空气中,而是遇到邻近绒面,经过邻近绒面的第
15、二次甚至第三次反射后,才入射到空气中,这样对入射光就有了多次利用,从而减小了反射率。表面没有绒面结构的硅片对入射光的反射率大于30%,有绒面结构的硅片对入射光的反射率减小到了12%左右。,晶体化学表面处理(清洗制绒),电池,清洗设备,电池,磷扩散,电池,电池,把p型硅片放在一个石英容器内,同时将含磷的气体通入这个石英容器内,并将此石英容器加热到一定的温度,这时施主杂质磷可从化合物中分解出来,在容器内充满着含磷的蒸汽,在硅片周围包围着许许多多的含磷的分子。磷化合物分子附着到硅片上生成磷原子。由于硅片的原子之间存在空隙,使磷原子能从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散。
16、 如果扩散进去的磷原子浓度高于p型硅片原来受主杂质浓度,就使得p型硅片靠近表面的薄层转变成为n型。n型硅和p型硅交界处就形成了pn结。,磷扩散,电池,磷扩散的目的:制备太阳电池的核心pn结;吸除硅片内部的部分金属杂质。,磷扩散,电池,磷扩散的方法三氯氧磷(POCl3)液态源扩散 喷涂磷酸水溶液后链式扩散 丝网印刷磷浆料后链式扩散 目前行业上普遍采用第一种方法,这种方法具有生产效率较高,得到的pn结均匀、平整和扩散层表面良好等优点,非常适合制作大面积的太阳电池。,磷扩散,管式扩散炉,磷扩散,电池,扩散后的硅片除了表面的一薄层n型硅外,在背面以及周边都有n型硅薄层,而晶体硅太阳电池实际只需要表面的
17、n型硅,因此须去除背面以及周边的n型硅薄层。,背面及周边刻蚀,电池,电池,背面以及周边刻蚀的目的:去除硅片背面和周边的pn结;去除表面的磷硅玻璃。磷硅玻璃是扩散过程中的反应产物,是一层含磷原子的二氧化硅。 背面以及周边刻蚀的方法:酸液腐蚀(湿法刻蚀)等离子体刻蚀(干法刻蚀),背面及周边刻蚀,湿法刻蚀设备,背面及周边刻蚀,电池,PECVD镀氮化硅(SiN)薄膜,电池,电池,PECVD镀SiN薄膜的目的:SiN薄膜作为减反射膜可减小入射光的反射;在SiN薄膜的沉积过程中,反应产物氢原子进入到SiN薄膜内以及硅片内,起到了钝化缺陷的作用。,PECVD镀氮化硅(SiN)薄膜,太阳电池表面的深蓝色SiN
18、薄膜,PECVD镀氮化硅(SiN)薄膜,电池,电池,SiN薄膜的物理性质和化学性质:结构致密,硬度大能抵御碱金属离子的侵蚀介电强度高耐湿性好耐一般的酸碱,除HF和热H3PO4,PECVD镀氮化硅(SiN)薄膜,电池,SiN薄膜的优点优良的表面钝化效果高效的光学减反射性能(厚度和折射率匹配)低温工艺(有效降低成本)含氢SiNx:H可以对mc-Si提供体钝化,PECVD镀氮化硅(SiN)薄膜,入射光在SiN薄膜表面发生一次反射,在SiN薄膜和硅片界面发生第二次反射,通过适当选取SiN薄膜的厚度和折射率,可以使一次反射光和二次反射光相抵消,从而减小了反射。沉积SiN减反射膜后,硅片表面对入射光的平均
19、反射率可进一步减小到5%左右。,PECVD镀氮化硅(SiN)薄膜,电池,电池,PECVD:即“等离子增强型化学气相沉积”,是一种化学气相沉积的镀膜技术;PECVD借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能,大大降低薄膜沉积所需的温度。,PECVD镀氮化硅(SiN)薄膜,电池,PECVD的优点:节省能源,降低成本;提高产能;减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减; PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化(450)。,PECVD
20、镀氮化硅(SiN)薄膜,PECVD镀膜设备,PECVD镀氮化硅(SiN)薄膜,电池,丝网印刷与烧结,电池,电池,丝网印刷的目的:印刷背面电极浆料,银铝(Ag/Al)浆,并烘干;印刷背面场浆料,铝浆,并烘干;印刷正面电极浆料,银浆,并烘干。 烧结的目的:燃尽浆料的有机组分,使浆料和硅片形成良好的金属电极。,丝网印刷与烧结,正面电极,背面电极,丝网印刷与烧结,电池,印刷浆料的过程,丝网印刷与烧结,电池,丝网印刷设备,每台印刷机后都有一台烘干炉,丝网印刷与烧结,电池,烧结炉,丝网印刷与烧结,电池,将太阳电池接上负载。在光照条件下,改变负载的电阻,太阳电池的输出电压V、输出电流 I 和输出功率 P 将
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