薄膜太阳能电池课件.pptx
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1、,薄膜太阳能电池,主讲人:叶勇,背景介绍,大规模利用太阳能的重要性,能源危机,环境、全球气候恶化,世界上还有很多无电地区,单位:千兆兆焦耳。目前全球能源年总需求约为400千兆兆焦耳。,太阳能:唯一的兆兆瓦量级再生能源!,2050年全球每年共需约800千兆兆焦耳再生能源才能稳定大气中CO2浓度,太阳能是地球上唯一能满足这种规模要求的再生能源,地球上几乎所有地方都能使用太阳能,约1%面积使用太阳能,即可满足发达国家的全部能源需求,薄膜电池产业化 - 成本预测,数据来源-德意志银行,大规模利用太阳能的瓶颈 成本,成本目前约是常规电价的3-5倍 一旦接近电网等价点(Grid Parity),市场将呈爆
2、发性增长,解决方法,技术进步 规模化生产,效率效率越高,成本越低效率越高,占地面积越小(占地对某些应用并非真正瓶颈)效率接近10%是规模化发展的基本条件,太阳能电池原理,光生伏特效应当光照射在p-n结上时,光子会产生电子-空穴对。 在偶电层内强电场的作用下,电子将移到n型中,而空穴则移到p型中。从而使p-n结两边分别带上正、负电荷。这样p-n结就相当于一个电池。由光照射,是p-n结产生电动势的现象称光生伏特效应。利用太阳光照射p-n结产生电池的装置叫太阳能电池,太阳能电池的原理,1954年 美国贝尔实验室制造出第一块商用太阳能电池,1954年 2009年世界人口 27亿 67亿5千万 +2.5
3、倍石油价格 2.8美元/桶 81.6美元/桶 +29倍汽车数量 5千万辆 2亿7千万辆 +5.4倍,开发多样化的能源资源来满足不断成长的能源需求,11,薄膜太阳电池分类硅基薄膜太阳电池的发展 薄膜电池的光照性能衰退现象电池光电转换效率的计算电池片的应用,一、太阳能电池分类汇总,薄膜太阳电池简介,硅薄膜,碲镉系(CdTe),染料薄膜和有机薄膜(TiO2),非晶,非晶/微晶(a-Si,a-Si/c-Si),First Solar, US,United Solar(8%) ,EPV(56%) US,Sharp ( 810%) Japan,LG, 周星(9.6%) 韩国,铜铟系(CIS,CIGS),化
4、合物薄膜,正泰(9.0%),天威(67%),新奥(88.5%),金太阳(8%),尚德(67%),百世德(88.5%) 中国,Leybold Optics(9.5%) German,JST German,山东孚日股份 中国,第二代:薄膜半导体,第一代:单晶硅多晶硅丝带硅,薄膜太阳能电池 打破成本瓶颈,薄膜电池 材料用量仅为百分之一!,硅片在晶体硅电池组件成本中约占65%-90%,簿膜半导体材料只需晶体硅1%厚度即可几乎全部吸收太阳辐射能, 从而大量节省原料,薄膜电池产业化 几种技术的比较,中低,高,薄膜电池产业化 可能遇到的问题,薄膜太阳能电池发电成本有望最终达到6-9美分/KWh,使光伏发电为
5、解决世界能源、环境问题作出实质性贡献,能否把握机遇,实现薄膜电池产业化是关键!,发展现状,我国高度重视太阳能电池技术的研发和产业化,与国际先进水平差距逐步缩小,积极有序地发展。截至2008年底,我国已建成并投产的14家薄膜太阳能电池企业的产能约达125.9MW,年产量约为46MW。截止2009年底,已开工建设和已开展前期工作宣布建设的薄膜太阳能电池项目将近40个,按其规划,2014年前全部建成后的产能将高达约4000MW。,薄膜太阳能电池,目前薄膜太阳能电池按材料可分为硅薄膜型、化合物半导体薄膜型和有机薄膜型。化合物半导体薄膜型又分为非结晶型和磷化锌等。以硅为主的太阳能电池从1954 年第一块
6、单晶硅太阳电池开始,已经获得了极大的发展和演化。第一代单晶硅太阳能电池虽然效率高,但制备所需的高纯硅工艺复杂且成本较高。,薄膜太阳能电池的特色,1.相同遮蔽面积下功率损失较小(弱光情况下的发电性佳)2.没有内部电路短路问题3.照度相同下损失的功率较晶圆太阳能电池少4.有较佳的功率温度系数5.较高的累积发电量6.只需少量的原料,成本低7.较佳的光传输8.厚度较传统太阳能电池薄9.材料供应来源广10.可与建材整合性运用,BestSOLAR Confidential,硅基薄膜电池优缺点优点:耗材少: 硅薄膜太阳电池的厚度在2m左右其厚度只有晶硅电池的1%能耗低:硅薄膜电池制备工艺200OC 左右,而
7、晶体硅核心工艺需要1000OC无毒,无污染 更多的发电量 a.良好的弱光性:使得在阴雨天比晶体硅电池有多10%左右的发电量 b.高温性能好:温度系数低,使得薄膜电池在高温工作状况下同样有比晶体硅电池 高的发电量 美观、大方 电池组件的颜色与建筑物的颜色比较容易匹配,美化室内外 环境,加 上精细、整齐的激光切割线,使建筑物更加美观、大方,更有魅力。 应用稳定性更好 由于非晶硅太阳电池的电流密度较小,热斑效应不明显,所以,使用起来更加方便、可靠。 能源回收期短 成本低且下降空间大,缺点 前期资金投资大 光致衰退(S-w效应) 效率偏低,设备、原材料国产化减薄非晶硅层, 改善光衰叠层电池如非晶硅/微
8、晶硅,改善光衰,提高效率改善各层材料间界面性能,提高功率新产品的开发、新材料、新工艺,解决方案,非晶硅的光照衰退(Staebler-Wronski效应),光致衰退现象:非晶硅电池在强光下照射数小时,电性能下降并逐渐趋于稳定;若样品在160下退火,电学性能可恢复原值(S-W效应) 非晶硅制造过程中Si-Si弱键的作用,23,1975年Spear等在非晶氢硅中实现可控掺杂,1976年美国RCA实验室制成了世界上第一个非晶硅太阳电池效率2.4%1980年日本三洋电器公司利用非晶硅太阳电池制成袖珍计算器;1988年与建筑材料相结合的非晶硅太阳能电池投入应,硅基薄膜太阳电池的发展,History,Tod
9、ay,产业化: 非晶硅/微晶硅叠层电池,薄膜太阳能电池技术产业化发展现状,晶硅电池与CdTe薄膜电池对比,晶硅电池:技术陈旧,1954年高能耗,高碳排放量电池材料厚度100-300 m成品率低:40%生产过程几小时左右透光性差市场份额递减(2015,欧盟停用)成本:1.6美元/W,CdTe薄膜电池:2003年低能耗(湿法冶金)0.8-3 m90%30-45 mins透光性好市场份额激增(特别是中国)成本:0.87美元/W,为使成本最低研制薄膜太阳能电池,应该对昂贵的半导体材料的消耗要少1%10%(材料消耗少)应该非常适合高度自动化的生产过程(工艺成本低)应该在产品达到生命周期后可以回收再用(额
10、外收益大),硅和薄膜太阳能电池产业链比较,最具广泛应用潜力的四种薄膜材料,非晶Si多晶硅CIGS(CuInGaSe)碲化镉(CdTe),四种薄膜技术-1,数据源:BP 2002、World Nuclear Association,非晶硅(Amorphus Silicon, a-Si)是发展最完整的薄膜式太阳能电池。其结构通常为p-i-n(或n-i-p)偶及型式,p层跟n层主要座为建立内部电场,I层则由非晶系硅构成。非晶硅的优点在于对于可见光谱的吸光能力很强,而且利用溅镀或是化学气相沉积方式生成薄膜的生产方式成熟且成本低廉,材料成本相对于其他化合物半导体材料也便宜许多;不过缺点则有转换效率低(约
11、57%),以及会产生严重的光劣化现象的问题,因此无法打入太阳能发电市场,而多应用于小功率的消费性电子产品市场。不过在新一代的非晶硅多接面太阳能电池已经能够大幅改善纯非晶硅太阳电池的缺点,转换效率可提升到68%,使用寿命也获得提升。未在具有成本低廉的优势之下,仍将是未薄膜太阳能电池的主流之一。,非晶硅薄膜太阳能电池优点:硅薄膜沉积温度低,可直接沉积在普通基材上;适合生产大面积太阳能电池,5.6平米左右;和晶硅太阳能电池比节约原料。缺点:转换效率低;工艺成本太高,生产线造价1-1.2亿美金。技术瓶颈:沉积速度慢;光诱导衰减问题是大难题,目前无根本解决方法。,非晶硅薄膜太阳能电池,与建筑相配合,建造
12、太阳能房非晶硅太阳能电池可以制成半透明的,如作为建筑的一部分,白天既能发电又能使部分光线透过玻璃进入室内,为室内提供十分柔和的照明(紫外线被滤掉)能挡风雨,又能发电;美国,欧洲和日本的太阳能电池厂家已生产这种非晶硅瓦。,非晶硅薄膜电池生产,非晶硅薄膜厚度均匀性对其透射光谱的影响,非晶硅薄膜是一种重要的光电材料,在廉价太阳能电池、薄膜场效应管和光敏器件中都有广泛的应用。通过测量透射光谱,人们可以获得折射率、色散关系、膜厚以及光学能隙这些重要的光学参量。但在测量时,我们注意到样品由于制备条件的限制,厚度难以保证理想均匀,而且考虑到光衍射、仪器灵敏度等方面的原因,采用的光栏或狭缝一般不会太细,有一定
13、的照射面积。 因此在分析薄膜的透射谱时,应该顾及膜厚均匀性的影响。,四种薄膜技术-2,多晶硅薄膜太阳电池是将多晶硅薄膜生长在低成本的衬底材料上, 用相对薄的晶体硅层作为太阳电池的激活层, 不仅保持了晶体硅太阳电池的高性能和稳定性, 而且材料的用量大幅度下降, 明显地降低了电池成本。多晶硅薄膜太阳电池的工作原理与其它太阳电池一样, 是基于太阳光与半导体材料的作用而形成光伏效应。光与半导体的相互作用可以产生光生载流子。当将所产生的电子-空穴对靠半导体内形成的势垒分开到两极时, 两极间会产生电势, 称为光生伏打效应, 简称光伏效应。,多晶硅( Poly-Si)薄膜太阳能电池,多晶硅薄膜太阳能电池的简
14、单结构,多晶硅薄膜太阳能电池的制备工艺,多晶硅( Poly-Si)薄膜太阳能电池,制备多晶硅薄膜的工艺方法 多晶硅薄膜是多晶硅薄膜太阳能电池的主体部分,薄膜质量的好坏直接影响太阳能电池性能的好坏。多晶硅薄膜制备工艺的主要区分点在其沉积温度和沉积方式,因此不同的沉积温度和沉积方式的控制直接影响薄膜的质量,从而影响着多晶硅薄膜太阳能电池的光电转换效率。主要的多晶硅薄膜的制备方法有:化学气相沉积法(CVD) 、再结晶法、液相外延法(LPE) 、溅射沉积法和等离子喷涂( PSM) 。,多晶硅( Poly-Si)薄膜太阳能电池,多晶硅太阳能电池对薄膜的基本要求:(1) 多晶硅薄膜厚度为5m150m;(2
15、) 增加光子吸收;(3) 多晶硅薄膜的宽度至少是厚度的一倍;(4) 少数载流子扩散长度至少是厚度一倍;(5) 衬底必须具有机械支撑能力;(6) 良好的背电极;(7) 背表面进行钝化;(8) 良好的晶粒界。,PECVD基本原理,等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)是在沉积室内建立高压电场,反应气体在一定气压和高压电场的作用下,产生辉光放电,反应气体被激发成非常活泼的分子,原子,离子和原子团构成的等离子体。正离子和电子在高压电场的作用下,获得足够的能量,参与化学反应,大大降低了沉积反应温度,加速了化学反应过程,提高了沉积速率 。,直流辉光气体放电体系模型,等离子增强化学气相沉积法( PECVD
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