第七章霍尔传感器装置ppt课件.ppt
《第七章霍尔传感器装置ppt课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《第七章霍尔传感器装置ppt课件.ppt(35页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、2022/11/28,1,第7章 霍尔传感器,2022/11/28,2,引言,霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器。1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应,但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。随着半导体技术的发展,开始用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展。霍尔传感器广泛用于电磁测量、压力、加速度、振动等方面的测量。,2022/11/28,3,7.1 霍尔传感器的工作原理,金属或半导体薄片置于磁感应强度B的磁场(磁场方向垂直与薄片)中,当有电流I通过时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势UH,这种物理现象称为霍尔效应。该电势UH 称霍尔电势
2、。霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。,7.1.1 霍 尔 效 应,2022/11/28,4,霍尔效应,一块长为L、宽为W、厚为d的N型半导体薄片,位于磁感应强度为B的磁场中,B垂直于L-W平面,沿L通电流I,N型半导体的载流体-电子将受到B产生的洛仑兹力FB的作用,2022/11/28,5,洛仑兹力FL使电子向垂直于B和自由电子运动方向偏移,其方向符合右手螺旋定律,即电子有向某一端积聚的现象,使半导体端面产生负电荷积聚,另一端面则为正电荷积聚。由于电荷积聚,产生静电场,称为霍尔电场。该静电场对电子的作用力FE与洛仑兹力FL的方向相反,将阻止电子继续偏转,其大小为,7.1.
3、2 基本原理,2022/11/28,6,电场力阻止电子继续向原侧面积累,当电子所受电场力和洛仑兹力相等时,电荷的积累达到动态平衡,由于存在EH,半导体片两侧面间出现电位差UH ,称为霍尔电势,2022/11/28,7,磁场与薄片法线夹角为,2022/11/28,8,常用的霍尔元件材料,锗、硅、砷化铟、锑化铟等半导体材料。其中N型锗容易加工制造,其霍尔系数、温度性能和线性度都较好。N型硅的线性度最好,其霍尔系数、温度性能同N型锗相近。锑化铟对温度最敏感,尤其在低温范围内温度系数大,但在室温时其霍尔系数较大。砷化铟的霍尔系数较小,温度系数也较小,输出特性线性度好。,霍尔元件,2022/11/28,
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 第七 霍尔 传感器 装置 ppt 课件

链接地址:https://www.31ppt.com/p-1468945.html