趋肤效应和穿透深度ppt课件.ppt
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1、1 平面电磁波2 电磁波在介质面上的反射和折射3 有导体存在时电磁波的传播4 谐振腔5 波导,第四章 平面电磁波的传播,3 有导体存在时电磁波的传播,一、导体内的自由电荷分布二、导体内的电磁波三、趋肤效应和穿透深度四、电磁波在导体表面上的反射,一、导体内的自由电荷分布1、静电场中的导体上的电荷分布 导体内部处处无电荷,电荷只能分布在导体表面上。,一、导体内的自由电荷分布,一、导体内的自由电荷分布,2、导体中有稳恒电流时导体上的电荷分布 均匀导体内部处处无电荷,电荷只能分布在导体的不均匀处或表面上。3、迅变的电磁场中的导体上的电荷分布 设导体内某区域中有自由电荷分布,其体密度为,这电荷要激发电场
2、E,由麦氏方程,(3.1),(3.2),一、导体内的自由电荷分布,(3.3)式表明,在导体内凡是有正电荷存在的地方,就有电流向外流出,直到流完为止。,(3.3),一、导体内的自由电荷分布,由电荷守恒定律,(3.5),一、导体内的自由电荷分布,式中0为t=0时刻的电荷密度。上式表明,导体内的电荷密度随时间作指数规律衰减。,在数值上等于从0衰减到0/e所用的时间,,一、导体内的自由电荷分布,这样的导体可以看成良导体,(3.6)式称为良导体条件,满足良导体条件,可认为(t)=0。,(3.6),结论: 只要电磁波的频率不太高,一般金属导体都可看成良导体。不论在良导体内部存在稳恒电流还是交变电流,均匀导
3、体内部处处一定无电荷,电荷只能分布在导体的表面上。,一、导体内的自由电荷分布,二、导体内的电磁波,在导体内部,=0,J =E ,Maxwell方程转化为,(3.7),二、导体内的电磁波,对于一定频率的时谐电磁波DE,BH,,(3.8),与书上的(1.11)式比较,(1.11),二、导体内的电磁波,令,(3.8),二、导体内的电磁波,式中称为复电容率。,二、导体内的电磁波,(3.11),(3.12),方程(3.11)形式上也有平面波解,二、导体内的电磁波,(3.15),由于k是一个复矢量,因而它的分量一般为复数,设,和都是实数矢量。,(3.14),说明: (1)相位常数与衰减常数 称为相位常数,
4、把称为衰减常数。 (2)导体中的电场E是衰减的,并且按指数规律衰减,二、导体内的电磁波,(3)和满足的关系kk=(+i) (+i)k2=22+2ik2 =2=2(+i/),二、导体内的电磁波,2-2+2i=2+i2 -2 =2 =() (3.17) 设电磁波从空间入射到导体表面上,以k(0)表示空间中的波矢,k表示导体中的波矢,设入射面为xz面。,二、导体内的电磁波,由于在真空中的 为实数,因此有,(3.18),二、导体内的电磁波,即矢量垂直于金属表面。但是矢量有x分量,由(3.17)和(3.18)式即可解出z和z。因而可以确定矢量和。,二、导体内的电磁波,三、趋肤效应和穿透深度,1、垂直入射
5、的情况,和只有z分量,即它们都沿z方向,导体中的电场E为,由于,满足(3.17)式 2 -2 =2 (1) =()= () (2),三、趋肤效应和穿透深度,(3.19),三、趋肤效应和穿透深度,由于为实数,20,所以,(3.20),三、趋肤效应和穿透深度,对于良导体的情况下,(/)1,故,(3.21),三、趋肤效应和穿透深度,(1)穿透深度 波幅降到原来值的1/e的距离叫做穿透深度。,z=1/=,(3.22),三、趋肤效应和穿透深度,由此可见,穿透深度与电导率和频率的平方根成反比。 对于金属铜来说,5107西门子/米,当f =50Hz时,0.9cmf =100MHz时,0.710-7cm,(2
6、)趋肤效应 当频率比较高时,电磁场以及和它相互作用的电流仅集中于导体表面的很薄的一层内,这种现象叫做趋肤效应。,三、趋肤效应和穿透深度,垂直入射的情况,和都沿z方向,在良导体情况下,(3.23),三、趋肤效应和穿透深度,由此可见,磁场的相位比电场的相位滞后/4.从幅值关系上来看,(3.25),三、趋肤效应和穿透深度,(3.24),2、非垂直入射的情况,三、趋肤效应和穿透深度,四、电磁波在导体表面上的反射,(3.26),四、电磁波在导体表面上的反射,在真空中,四、电磁波在导体表面上的反射,E+E=E,(1),(2),四、电磁波在导体表面上的反射,(3.27),四、电磁波在导体表面上的反射,定义反
7、射系数:反射能流与入射能流之比叫做反射系数,记为R,四、电磁波在导体表面上的反射,由良导体条件,四、电磁波在导体表面上的反射,(3.28),由(3.28)式可见,导体的电导率愈大,R就越接近于1。,(3.28),四、电磁波在导体表面上的反射,(|x|1),若把金属看成是理想导体,R1例1、书上P.126例2、书上P.127,四、电磁波在导体表面上的反射,(3.28),例1、证明在良导体内,非垂直入射情形有,解:设空间中入射波矢为 ,由边值关系,得,(3.29),由 知,对于良导体,因而,由(3.29)式和(3.31)式得,(3.31),(3.30),略去 ,解(3.30)式和(3.31)式得,
8、因此,在任意入射角情形下, 垂直于表面, 接近法线方向。穿透深度 仍为,例2、计算高频下良导体的表面电阻。,解:由于趋肤效应,高频下仅在导体表面薄层内有电流通过。取 轴沿指向导体内部的法线方向,导体内电流密度为,电流只分布在表面附近厚度为 的薄层内,薄层内的电流看作面电流分布,面电流的线密度 定义为通过单位横截线的电流,即等于薄层内 对 的积分。,导体内的平均损耗功率密度为,导体表面的平均损耗功率密度为,为面电流密度的峰值。,面积为 的导体表面的平均损耗功率为,导体在高频下的电阻相当于厚度为 的薄层内的直流电阻。,4 谐振腔,一、谐振腔二、理想导体的边界条件三、矩形谐振腔,4 谐振腔,一、谐振
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