金属学与热处理 ppt课件.ppt
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1、第五章 回复与再结晶,形变金属材料退火过程中的组织和性能变化回复 再结晶 晶粒长大 金属的热加工,内容目录,引 言,形变储能,弹性应变能(312%),晶格畸变能(8090%),退火,将材料加热到一定温度保持一定时间的热处理工艺,按目的又可分为去应力退火、成分均匀化退火等多种。,形变储能使金属内能升高,处于热力学亚稳状态。退火时,原子活动能力升高,形变金属从亚稳态向稳态转变,而形变储能则是形变金属退火过程中组织变化的驱动力。,第一节 冷变形金属在加热时的组织与性能变化,1.1 回复与再结晶,回 复,冷变形金属低温加热时,显微组织无可见变化,但其物理、力学性能却部分恢复到冷变形以前的过程。,再结晶
2、,冷变形金属被加热到适当温度时,在变形组织内部新的无畸变的等轴晶粒逐渐取代变形晶粒,而使形变强化效应完全消除的过程。,回复阶段:显微组织仍为纤维状,无可见变化;再结晶阶段:变形晶粒通过形核长大,逐渐转变为新的 无畸变的等轴晶粒。晶粒长大阶段:晶界移动、晶粒粗化,达到相对稳定的 形状和尺寸。,1.2 显微组织变化,1.2 显微组织变化,回 复 阶 段: 强度、硬度略有下降,塑性略有提 高。再 结 晶 阶段: 强度、硬度明显下降,塑性明显提高。晶粒长大 阶段: 强度、硬度继续下降,塑性继续提高, 粗化严重时塑性也下降。,密 度: 在回复阶段变化不大,在再结晶阶段急剧升高;电 阻: 电阻在回复阶段可
3、明显下降。形变储能: 回复阶段部分释放,再结晶至长大初期完全释放。,1.3 性能变化,力学性能,物理性能,回 复 阶段: 大部分或全部消除第一类内应力,部分消除第二、三类内应力;再结晶阶段: 内应力可完全消除。,1.4 内应力变化,所谓回复,即在加热温度较低时,仅因金属中的一些点缺陷和位错的迁移而引起的某些晶内的变化。回复阶段一般加热温度在0.4Tm以下。,第二节 回 复,低温阶段 点缺陷的迁移和减少, 表现为: 空位与间隙原子的相遇而互相中和 空位或间隙原子运动到刃位错处消失,引起位错的攀移 点缺陷运动到界面处消失。,中温阶段: 缠结位错重新组合; 异号位错抵消, 位错密度略有降低。亚晶粒长
4、大。,2.1 回复机制,高温阶段回复:位错攀移和位错环缩小;亚晶粒合并;多边化。,多边化 是指冷变形金属加热时,原来处于滑移面上的位错,通过滑移和攀移形成与滑移面垂直的亚晶界的过程。多变化的驱动力是弹性应变能的降低。,2.1 回复机制,上图中硬化分数 R 表示为:R=(sm-sr)/(sm-s0);sm、sr、s0分别为变形后、回复后以及完全退火后的屈服应力。,2.2 回复动力学,冷变形材料性能的回复程度与回复处理的时间和温度有关。,回复过程是热激活过程,转变的速度决定于原子的活动能力。,降低应力 (保持加工硬化效果)防止工件变形、开 裂,提高耐蚀性。,2.3 回复应用,去应力退火,冷变形后的
5、金属加热到一定温度(一般大于0.4Tm)或保温足够时间后,在原来的变形组织中产生了无畸变的新晶粒;新生成的晶粒逐渐全部取代塑性变形过的晶粒,位错密度显著降低,性能发生显著变化并恢复到冷变形前的水平,这个过程称为再结晶。再结晶的驱动力也是变形储能的降低。,第三节 再结晶,3.1 再结晶的基本过程,3.2 再结晶形核,再结晶的形核是个复杂的过程。最初人们尝试用经典的形核理论来处理再结晶过程,但计算得到的临界晶核半径过大,与试验结果不符。,大量实验表明,再结晶晶核总是在塑性变形引起的最大畸变处形成,并且回复阶段发生的多边形化是再结晶形核的必要准备。,回复阶段,塑性变形所形成的胞状组织经多边化发展成亚
6、晶,其中亚晶长大形核的方式有亚晶合并和亚晶界移动两种机制。,3.2.1 亚晶粒长大形核机制,亚晶粒长大形核一般在受大变形度的材料中发生。,a. 亚晶合并机制,相邻亚晶界的位错,通过滑移和攀移转移到周围晶界或亚晶界上,导致原来亚晶界的消失,最后通过原子扩散和位置的调整,使两个或多个亚晶粒的取向变为一致,合并成为一个大的亚晶粒,成为再结晶的晶核。,如上图,晶粒中某些局部位错密度很高的亚晶界向周边移动,吞并相邻的变形基体和亚晶而成长为再结晶晶核。,b. 亚晶界移动机制,当金属的变形度较小时,金属变形是不均匀的。若晶界两边一个晶粒的位错密度高,另一个位错密度低,加热时晶界会向密度高的一侧突然移动,高密
7、度一侧的原子转移到位错低的一侧,新的排列应为无畸变区,这个区域就是再结晶核心。,3.2.2 晶界凸出形核机制,和结晶形核方式类似,晶界弯曲后,一方面晶界的弯曲面因面积增加会增加界面能,另一方面形核区中原变形区内有应变能的释放。,3.2.2 晶界凸出形核机制,晶界凸出形核现象在铜、镍、银、铝及铝-铜合金中曾直接观察到。,变形晶粒晶界附近的原子移动到新的未变形晶粒上,从而可以减少变形应变能,新晶粒不断长大到相遇,最后全部为新晶粒,再结晶完成。,3.3 核心的长大,原子结合力大,熔点高的材料,再结晶进行较慢;材料的纯度,纯净材料如纯金属,进行较快,而溶入了其它元素,特别是易在晶界处存在聚集的元素时,
8、将降低再结晶的速度;第二相质点特别是呈弥散分布时,将明显降低再结晶的速度。,材料因素,3.4 影响再结晶的因素,加热温度愈高,再结晶速度愈快;变形量大,弹性畸变能大,再结晶速度也快。,工艺因素,变形量过小,形变储能不能满足形核的基本要求时,再结晶就不能发生。,发生再结晶需要一定的变形量,称为临界变形量C,大多金属材料的临界变形量在210%之间。,3.4 影响再结晶的因素,再结晶刚完成时,得到的是等轴细晶粒组织。继续提高退火温度或延长保温时间,就会发生晶粒相互吞并而长大的现象,晶粒长大包括均匀长大的正常长大过程和反常的长大过程。,第四节 晶粒长大,4.1 正常的晶粒长大,4.1.1 晶粒长大的动
9、力,晶粒的长大是一自发过程,其驱动力是降低其总界面能。长大过程中,晶粒变大,则晶界的总面积减小,总界面能也就减小。,为减小表面能,晶粒长大的热力学条件总是满足的,长大与否还需满足动力学条件,这就是界面的活动性。而温度是影响界面活动性的最主要因素。,为降低表面能,弯曲晶界趋于平直化,即晶界向曲率半径中心移动以减小表面积。,当三个晶粒相交晶界夹角不等于120o时,则晶界总是向角度较锐的晶粒方向移动,力图使三个夹角趋于相等。其原因是由于大角度晶界的表面张力与位向无关,几乎相等,即TA=TB=TC ,因此三夹角必须相等各为120o,4.1.2 晶界移动的规律,二维坐标中,晶界边数少于6的晶粒(其晶界外
10、凸)必然逐步缩小乃至消失。而边数大于6的晶粒(晶界内凹)则逐渐长大。当晶界边数为6时,晶界很平直且夹角为120o时,则晶界处于稳定状态,不再移动,要达到这样的平衡状态需要很长的保温时间。,4.1.2 晶界移动的规律,可溶解杂质及合金元素 溶质原子都能阻碍晶界移动,特别是晶界偏聚(内吸附)显著的原子,能有效降低晶界的界面能,拖住晶界使之不易移动,温度很高时,吸附在晶界的溶质原子被驱散,其抑制作用减弱乃至消失。温度:晶界移动速率可表示为:G=G0exp(-QG/RT); G0为常数,QG为晶界迁移激活能。通常一定温度下晶粒长大到一定尺寸就不再长大了,提高温度晶粒会继续长大。,4.1.3 影响晶界移
11、动的因素,小角度晶界的界面能小于大角度晶界的界面能,而驱使界面移动的力又与界面能成正比,因此前者的迁移速度要小于后者。,4.1.4 影响晶界移动的因素,相邻晶粒的位向差,不溶解的第二相,弥散的第二相质点对于阻碍晶界的运动有重要作用。右图中当运动的晶界遇到球形(简化起见)第二相质点时,第二相质点对晶界运动产生阻力。,如果达到平衡,则阻力必须等于总张力在垂直方向的分力。晶界与质点接触的周长为: L=2rcosf; 所以总张力为: 2rscosf;它在垂直方向的分量则应为:2rscosfsinb;而 b = 90oaf,4.1.4 影响晶界移动的因素,所以平衡时总阻力应为:F = 2rs cosf
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