第一章 扫描电子显微镜ppt课件.ppt
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1、材料分析方法,哈尔滨工业大学(威海)材料科学与工程学院夏 龙13562127316,课程内容,电子显微分析(SEM、TEM)X射线衍射分析热分析(热膨胀、热机械、差热-热重)振动光谱(红外、拉曼光谱)核磁共振(NMR),材料牛人,王中林,王中林,物理学博士,美国物理学会会员佐治亚理工学院最年轻的终身校董事教授2006年晋升为佐治亚理工学院工学院杰出讲席教授,第一章 扫描电子显微镜,引言扫描电镜结构原理扫描电镜图象及衬度扫描电镜结果分析示例扫描电镜的主要特点,返回首 页,扫描电子显微镜的简称为扫描电镜,英文缩写为SEM (Scanning Electron Microscope)。SEM与电子探
2、针(EPMA)的功能和结构基本相同,但SEM一般不带波谱仪(WDS)。它是用细聚焦的电子束轰击样品表面,通过电子与样品相互作用产生的二次电子、背散射电子等对样品表面或断口形貌进行观察和分析。现在SEM都与能谱(EDS)组合,可以进行成分分析。所以,SEM也是显微结构分析的主要仪器,已广泛用于材料、冶金、矿物、生物学等领域。,引言,1.1扫描电镜结构原理,1. 扫描电镜的工作原理及特点扫描电镜的工作原理与闭路电视系统相似。,扫描电镜成像示意图,扫描电镜成像示意图,JSM-6700F场发射扫描电镜,返回,JSM35CF 扫描电镜,返回,JSM-7400F扫描电子显微镜,返回,2. 扫描电镜的主要结
3、构主要包括有电子光学系统、扫描系统、信号检测放大系统、图象显示和记录系统、电源和真空系统等。,透射电镜一般是电子光学系统(照明系统)、成像放大系统、电源和真空系统三大部分组成。,比较,1.2.电子与固体试样的交互作用,一束细聚焦的电子束轰击试样表面时,入射电子与试样的原子核和核外电子将产生弹性或非弹性散射作用,并激发出反映试样形貌、结构和组成的各种信息,有:二次电子、背散射电子、阴极发光、特征X 射线、俄歇过程和俄歇电子、吸收电子、透射电子等。,样品,入射电子,Auger电子,阴极发光,背散射电子,二次电子,X射线,透射电子,电子束与固体样品作用是产生的信号,背散射电子二次电子吸收电子透射电子
4、特征X射线俄歇电子,扫描电镜图象及衬度,二次电子像背散射电子像,1.4 表面形貌衬度原理及其应用,入射电子与样品相互作用后,使样品原子较外层电子(价带或导带电子)电离产生的电子,称二次电子。二次电子能量比较低,习惯上把能量小于50eV电子统称为二次电子,仅在样品表面5nm10nm的深度内才能逸出表面,这是二次电子分辨率高的重要原因之一。,1二次电子象,二次电子象是表面形貌衬度,它是利用对样品表面形貌变化敏感的物理信号作为调节信号得到的一种象衬度。因为二次电子信号主要来处样品表层510nm的深度范围,它的强度与原子序数没有明确的关系,便对微区表面相对于入射电子束的方向却十分敏感,二次电子像分辨率
5、比较高,所以适用于显示形貌衬度。,注意,在扫描电镜中,二次电子检测器一般是装在入射电子束轴线垂直的方向上。,凸凹不平的样品表面所产生的二次电子,用二次电子探测器很容易全部被收集,所以二次电子图像无阴影效应,二次电子易受样品电场和磁场影响。二次电子的产额 K/cosK为常数,为入射电子与样品表面法线之间的夹角,角越大,二次电子产额越高,这表明二次电子对样品表面状态非常敏感。,同学们请看书上P109页解释的原因,二次电子成像原理,形貌衬度原理,1.5背散射电子像,背散射电子是指入射电子与样品相互作用(弹性和非弹性散射)之后,再次逸出样品表面的高能电子,其能量接近于入射电子能量( E0)。背射电子的
6、产额随样品的原子序数增大而增加,所以背散射电子信号的强度与样品的化学组成有关,即与组成样品的各元素平均原子序数有关。,背散射电子的信号强度I与原子序数Z的关系为,式中Z为原子序数,C为百分含量(Wt%)。,原子序数程度原理及其应用,背散射电子像的形成,就是因为样品表面上平均原子序数Z大的部位而形成较亮的区域,产生较强的背散射电子信号;而平均原子序数较低的部位则产生较少的背散射电子,在荧光屏上或照片上就是较暗的区域,这样就形成原子序数衬度。,背散射电子与二次电子的信号强度与Z的关系,结论,二次电子信号在原子序数Z20后,其信号强度随Z变化很小。 用背散射电子像可以观察未腐蚀样品的抛光面元素分布或
7、相分布,并可确定元素定性、定量分析点。,背散射电子原子序数衬度原理,ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射电子成分像,1000,ZrO2-Al2O3-SiO2系耐火材料的背散射电子像。由于ZrO2相平均原子序数远高于Al2O3相和SiO2 相,所以图中白色相为斜锆石,小的白色粒状斜锆石与灰色莫来石混合区为莫来石斜锆石共析体,基体灰色相为莫来石。,玻璃不透明区域的背散射电子像,扫描电镜结果分析示例,Al2O3试样高体积密度与低体积密度的形貌像 2200,抛光面,断口分析,典型的功能陶瓷沿晶断口的二次电子像,断裂均沿晶界发生,有晶粒拔出现象,晶粒表面光滑,还可以看到明显的晶界相。,粉体形
8、貌观察,Al203团聚体(a)和 团聚体内部的一次粒子结构形态(b),(a) 300 (b) 6000,钛酸铋钠粉体的六面体形貌 20000,返回,扫描电镜的主要性能与特点,放大倍率高(M=Ac/As)分辨率高(d0=dmin/M总)景深大(F d0/)保真度好样品制备简单,放大倍率高,从几十放大到几十万倍,连续可调。放大倍率不是越大越好,要根据有效放大倍率和分析样品的需要进行选择。如果放大倍率为M,人眼分辨率为0.2mm,仪器分辨率为5nm,则有效放大率M0.2106nm5nm=40000(倍)。如果选择高于40000倍的放大倍率,不会增加图像细节,只是虚放,一般无实际意义。放大倍率是由分辨
9、率制约,不能盲目看仪器放大倍率指标。,分辨率高,光学显微镜分辨率 d0.5 ,显然 d 200nm。要提高分辨率可以通过减小照明波长来实现。SEM是用电子束照射样品。目前用W灯丝的SEM,分辨率已达到3nm-6nm, 场发射源SEM分辨率可达到1nm 。,景深D大,景深大的图像立体感强,对粗糙不平的断口样品观察需要大景深的SEM。SEM的景深f可以用如下公式表示:,f =,式中D为工作距离,a为物镜光阑孔径,M为 放大倍率,d为电子束直径。可以看出,长工作距离、小物镜光阑、低放大倍率能得到大景深图像。,多孔SiC陶瓷的二次电子像,一般情况下,SEM景深比TEM大10倍,比光学显微镜(OM)大1
10、00倍。如10000倍时,TEM :D1m,SEM:10m, 100倍时,OM:10m,SEM=1000m。,保真度好,样品通常不需要作任何处理即可以直接进行观察,所以不会由于制样原因而产生假象。这对断口的失效分析特别重要。,样品制备简单,样品可以是自然面、断口、块状、粉体、反光及透光光片,对不导电的样品只需蒸镀一层20nm的导电膜。 另外,现在许多SEM具有图像处理和图像分析功能。有的SEM加入附件后,能进行加热、冷却、拉伸及弯曲等动态过程的观察。,返回,请同学们看P111扫描电镜样品的制备,1.3 扫描电镜的主要性能,电镜分辨率,各种信息的作用深度,从图中可以看出,俄歇电子的穿透深度最小,
11、一般穿透深度小于1nm,二次电子小于10nm。,第二章 电子探针显微分析,电子探针的应用范围越来越广,特别是材料显微结构工艺性能关系的研究,电子探针起了重要作用。电子探针显微分析有以下几个特点:,显微结构分析 元素分析范围广定量分析准确度高不损坏试样、分析速度快微区离子迁移研究,1. 显微结构分析,。电子探针成分分析的空间分辨率(微区成分分析所能分析的最小区域)是几个立方m范围, 微区分析是它的一个重要特点之一, 它能将微区化学成份与显微结构对应起来,是一种显微结构的分析。而一般化学分析、 X 光荧光分析及光谱分析等,是分析试样较大范围内的平均化学组成,也无法与显微结构相对应, 不能对材料显微
12、结构与材料性能关系进行研究。,返回,2. 元素分析范围广,电子探针所分析的元素范围一般从硼(B)铀(),因为电子探针成份分析是利用元素的特征X 射线,而氢和氦原子只有K 层电子,不能产生特征X 射线,所以无法进行电子探针成分分析。锂(Li)和铍(Be)虽然能产生X 射线,但产生的特征X 射线波长太长,通常无法进行检测,少数电子探针用大面间距的皂化膜作为衍射晶体已经可以检测Be元素。能谱仪的元素分析范围现在也和波谱相同,分析元素范围从硼(B)铀(),返回,3. 定量分析准确度高,电子探针是目前微区元素定量分析最准确的仪器。电子探针的检测极限(能检测到的元素最低浓度)一般为(0.010.05)%,
13、 不同测量条件和不同元素有不同的检测极限,但由于所分析的体积小,所以检测的绝对感量极限值约为10-14g,主元素定量分析的相对误差为(13)%,对原子序数大于11 的元素,含量在10% 以上的时,其相对误差通常小于2%。,返回,4. 不损坏试样、分析速度快,现在电子探针均与计算机联机,可以连续自动进行多种方法分析,并自动进行数据处理和数据分析,对含10个元素以下的试样定性、定量分析,新型电子探针在30min左右可以完成,如果用EDS 进行定性、定量分析,几分种即可完成。对表面不平的大试样进行元素面分析时,还可以自动聚焦分析。电子探针分析过程中一般不损坏试样,试样分析后,可以完好保存或继续进行其
14、它方面的分析测试,这对于文物、古陶瓷、古硬币及犯罪证据等的稀有试样分析尤为重要。,返回,电子探针仪的构造和工作原理,电子探针仪的构造和扫描电镜相似,电子探针的结构,一 波谱仪,两种波谱仪,合金钢定点分析的谱线图,二、能谱仪,各种元素具有自己的x射线特征波长特征波长的大小则取决于能级跃迁过程中释放出的特征能量,能谱仪特点,能谱仪的分辨率比波谱仪低,能谱仪中因检测器的铍窗口限制了超轻元素X射线的测量,因此它只能分析原于序数大于11的元素,而波谱仪可测定原子序数从4到92之间的所有元素。能谱仪的探头必须保持在低温状态,因此必须时时用液氮冷却。,电子探针的试样要求,(a)试样尺寸,所分析的试样应为块状
15、或颗粒状,其最大尺寸要根据不同仪器的试样架大小而定。定量分析的试样要均质,厚度通常应大于5m。例如对JCXA-733 电子探针仪,最大试样尺寸为32mm25mm。EPMA-8705 电子探仪所允许的最大试样尺寸为102mm20mm。由于电子探针是微区分析,定点分析区域是几个立方微米,电子束扫描分析和图像观察区域与放大倍数有关,但最大也不会超过5mm。所以均匀试样没有必要做得很大,有代表性即可。如果试样均匀,在可能的条件下,试样应尽量小,特别对分析不导电试样时,小试样能改善导电性和导热性能。,(b)具有较好的电导和热导性能,金属材料一般都有较好的导电和导热性能,而硅酸盐材料和其它非金属材料一般电
16、导和热导都较差。后者在入射电子的轰击下将产生电荷积累,造成电子束不稳定,图像模糊,并经常放电使分析和图像观察无法进行。试样导热性差还会造成电子束轰击点的温度显著升高,往往使试样中某些低熔点组份挥发而影响定量分析准确度度。,电子束轰击试样时,只有0.5%左右的能量转变成X 射线, 其余能量大部份转换成热能,热能使试样轰击点温度升高,Castaing用如下公式表示温升T(K):,式中V。(kV)为加速电压,i(A)为探针电流,d(m)为电子束直径,k 为材料热导率(Wcm-1k-1)。例如,对于典型金属(k=1 时),当V。20kV,d1m,i1A 时,T96K。 对于热导差的典型晶体,k=0.1
17、,典型的有机化合物k=0.002。对于热导差的材料,如K=0.01, V0=30kV, i=0.1A, d=1m时, 由公式得T=1440K。如果试样表面镀上10nm的铝膜,则T减少到760K。因此, 对于硅酸盐等非金属材料必须在表面均匀喷镀一层20nm左右的碳膜、铝膜或金膜等来增加试样表面的导电和导热性能。,(c)试样表面光滑平整,试样表面必须抛光,在100 倍反光显微镜下观察时,能比较容易地找到50m50m无凹坑或擦痕的分析区域。因为X 射线是以一定的角度从试样表面射出,如果试样表面凸凹不平,就可能使出射X 射线受到不规则的吸收,降低X 射线测量强度,图8.15表明试样表面台阶引起的附加吸
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