材料科学基础(上海交大) 第5章ppt课件.ppt
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1、,材料与化学化工学院,材料科学基础,第5章 材料的形变和再结晶,5.0 概述5.1 弹性和粘弹性5.2 晶体的塑性变形5.3 回复和再结晶5.4 热变形与动态回复、再结晶5.5 陶瓷材料变形的特点5.6 高聚物的变形特点,重点与难点,弹性变形的特点和虎克定律;弹性的不完整性和粘弹性; 比较塑性变形两种基本形式:滑移与孪生的异同点;滑移的临界分切应力; 滑移的位错机制; 多晶体塑性变形的特点; 细晶强化与Hall-Petch公式;,屈服现象与应变时效;弥散强化;加工硬化;形变织构与残余应力; 回复动力学与回复机制;再结晶形核机制;再结晶动力学;再结晶温度及其影响因素;,影响再结晶晶粒大小的因素;
2、晶粒的正常长大及其影响因素;一次与二次再结晶以及静态再结晶的区别;无机非金属材料塑性变形的特点;高聚物塑性变形的特点。,学习方法指导: 善于用图示法分析相关问题:滑移系中晶面和晶向的关系,单滑移、多滑移、交滑移等产生的晶体表面痕迹、弥散强化机制、变形量与强度的关系。 利用本章内容中相互矛盾的两个方面理解相关知识点:一方面介绍了晶体塑性变形的机制,而另一个核心内容是材料的强化机制;一方面是晶体滑移的实现,另一方面材料的强化这是强调阻碍位错滑移的因素。 注意本章内容与其他章节内容之间的联系:本章除了晶体滑移的理论,还涉及位错运动、晶界、相结构等重要知识点,要注重晶体滑移与其之间的联系。 内容体系的
3、建立遵循从特殊到普遍、从理论到应用的思路:本章材料变形理论的演变是从单晶体变形到多晶体。单相合金和多相合金,从位错运动的晶体滑移到多晶体、固溶体和多相合金的强化。 以“驱动力”为线索,理解重要概念及其区别:冷变形金属在受热时发生的回复、再结晶、晶粒长大均需要驱动力,如回复与再结晶的驱动力是畸变能差,晶粒长大的驱动力是晶界能差。同时,根据工作是否具有驱动力判断其是否可以通过再结晶的方式改善性能等。,5.0 概述 材料在加工制备过程中或是制成零部件后的工作运行中都要受到外力的作用。材料受力后要发生变形,外力较小时产生弹性变形;外力较大时产生塑性变形,而当外力过大时就会发生断裂。图5.1为低碳钢在单
4、向拉伸时的应力一应变曲线。研究材料的变形规律及其微观机制,分析了解各种内外因素对变形的影响,以及研究讨论冷变形材料在回复再结晶过程中组织、结构和性能的变化规律,具有十分重要的理论和实际意义,图 5.1 低碳钢在单向拉伸时的应力一应变曲线,5.1 弹性和粘弹性,弹性变形是指外力去除后能够完全恢复的那部分变形,可从原子间结合力的角度来了解它的物理本质。,5.1.1 弹性变形的本质,原子处于平衡位置时,其原子间距为r0,位能U处于最低位置,相互作用力为零,这是最稳定的状态。当原子受力后将偏离其平衡位置,原子间距增大时将产生引力;原子间距减小时将产生斥力(图5.2)。这样,外力去除后,原子都会恢复其原
5、来的平衡位置,所产生的变形便完全消失,这就是弹性变形。,图5.2(a)体系能量与原子间距的关系 (b)原子间作用力和距离的关系,5.1.2 弹性变形的特征和弹性模量弹性变形的主要特征是:,(1) 理想的弹性变形是可逆变形,加载时变形,卸载时变形消失并恢复原状。,(2) 金属、陶瓷和部分高分子材料不论是加载或卸载时,只要在弹性变形范围内,其应力与应变之间都保持单值线性函数关系,即服从虎克(Hooke)定律:,式中, s,t 分别为正应力和切应力; e,g分别为正应变和切应变;E,G分别为弹性模量(杨氏模量)和切变模量。,在正应力下, s = Ee ;,在切应力下, t =Gg ;,弹性模量与切变
6、弹性模量之间的关系为:,式中,v为材料泊松比,表示侧向收缩能力。一般金属材料的泊松比在0.250.35之间,高分子材料则相对较大些。,弹性模量代表着使原子离开平衡位置的难易程度,是表征晶体中原子间结合力强弱的物理量。金刚石一类的共价键晶体由于其原子间结合力很大,故其弹性模量很高;金属和离子晶体的则相对较低;而分子键的固体如塑料、橡胶等的键合力更弱,故其弹性模量更低,通常比金属材料的低几个数量级。,(3) 弹性变形量随材料的不同而异,多数金属材料仅在低于比例极限sp的应力范围内符合虎克定律,弹性变形量一般不超过0.5%;而橡胶类高分子材料的高弹形变量则可高达1000%,但这种变形是非线性的。,5
7、.1.3 弹性的不完整性,多数工程上应用的材料为多晶体甚至为非晶态或者是两者皆有的物质,其内部存在各种类型的缺陷,弹性变形时,可能出现加载线与卸载线不重合、应变的发展跟不上应力的变化等有别于理想弹性变形特点的现象,称之为弹性的不完整性。,弹性不完整性的现象包括包申格效应、弹性后效、弹性滞后和循环韧性等。,1包申格效应,材料经预先加载产生少量塑性变形(小于4),而后同向加载则se升高,反向加载则se下降。此现象称之为包申格效应。它是多晶体金属材料的普遍现象。,2弹性后效,一些实际晶体,在加载或卸载时,应变不是瞬时达到其平衡值,而是通过一种弛豫过程来完成其变化的(图5.3)。这种在弹性极限se范围
8、内,应变滞后于外加应力,并和时间有关的现象称为弹性后效或滞弹性。,图5.3 恒应力下的应力驰豫,弹性滞后表明加载时消耗于材料的变形功大于卸载时材料恢复所释放的变形功,多余的部分被材料内部所消耗,称之为内耗,其大小即用弹性滞后环面积度量。,3. 弹性滞后,由于应变落后于应力,在se曲线上使加载线与卸载线不重合而形成一封闭回线,称之为弹性滞后。,5.1.4 粘弹性,变形形式除了弹性变形、塑性变形外还有一种粘性流动。所谓粘性流动是指非晶态固体和液体在很小外力作用下便会发生没有确定形状的流变,并且在外力去除后,形变不能回复。,纯粘性流动服从牛顿粘性流动定律:,式中为应力;为应变速率;称为粘度系数,反映
9、了流体的内摩擦力,即流体流动的难易程度,其单位为Pas。,一些非晶体,有时甚至多晶体,在比较小的应力时可以同时表现出弹性和粘性,这就是粘弹性现象。,粘弹性变形的特点是应变落后于应力。当加上周期应力时,应力应变曲线就成一回线,所包含的面积即为应力循环一周所损耗的能量,即内耗。,5.2 晶体的塑性变形,应力超过弹性极限,材料发生塑性变形,即产生不可逆的永久变形。,5.2.1 单晶体的塑性变形,在常温和低温下,单晶体的塑性变形主要通过滑移方式进行的,此外,尚有孪生和扭折等方式。,1滑移,a滑移线与滑移带 当应力超过晶体的弹性极限后,晶体中就会产生层片之间的相对滑移,大量的层片间滑动的累积就构成晶体的
10、宏观塑性变形,金属单晶体拉伸如图5.4。,对滑移线的观察也表明了晶体塑性变形的不均匀性,滑移只是集中发生在一些晶面上,而滑移带或滑移线之间的晶体层片则未产生变形,只是彼此之间作相对位移而已(图5.5)。,图 5.4 金属单晶体拉伸后的实物照片,图 5.5 滑移带形成示意图,塑性变形时位错只沿着一定的晶面和晶向运动,这些晶面和晶向分别称为“滑移面”和“滑移方向”。晶体结构不同,其滑移面和滑移方向也不同。,通常,滑移面和滑移方向往往是金属晶体中原子排列最密的晶面和晶向。这是因为原子密度最大的晶面其面间距最大,点阵阻力最小,因而容易沿着这些面发生滑移;至于滑移方向为原子密度最大的方向是由于最密排方向
11、上的原子间距最短,即位错b最小。,b滑移系,在其他条件相同时,晶体中的滑移系愈多,滑移过程可能采取的空间取向便愈多,滑移容易进行,它的塑性便愈好。据此, 面心立方晶体的滑移系共有11143=12个; 体心立方晶体可同时沿110112123晶面滑移; 密排六方晶体的滑移系仅有(0001)1 3=3个。由于滑移系数目太少,hcp多晶体的塑性不如fcc或bcc的好。 面心立方,体心立方和密排六方精选实例的滑移面和滑移方向见下表5.1:,c滑移的临界分切应力 晶体的滑移是在切应力作用下进行的,但其中许多滑移系并非同时参与滑移,而只有当外力在某一滑移系中的分切应力达到一定临界值时,该滑移系方可以首先发生
12、滑移,该分切应力称为滑移的临界分切应力。,滑移的临界分切应力是一个真实反映单晶体受力起始屈服的物理量。其数值与晶体的类型、纯度,以及温度等因素有关,还与该晶体的加工和处理状态、变形速度,以及滑移系类型等因素有关,常见金属发生滑移的切应力见表5.2。,例5.1 设为滑移面法线与外力F中心轴的夹角,为滑移方向与外力F的夹角,则F在滑移方向的分力为Fcos,而滑移面的面积为A/cos ,于是外力在该滑移面沿滑移方向的分切应力 为(如图5.6):,F/A为试样拉伸时横截面上的正应力当 =c,开始滑移F/A = s,图5.6 例5.1示意图,coscos称为取向因子或施密特因子,它是 分切应力 与轴向应
13、力F/A的比值,取向因子越大,则分切应力 越大。 对任一给定角而言,若滑移方向是位于F与滑移面法线所组成的平面上,即+90o。则沿此方向的 值较其他 的 值大,这时取向因子coscos =cos,cos(90o-)=1/2sin2 ,故当 值为45o时,取向因子具有最大值0.5。,这就是说,当滑移面与外力方向平行,或滑移方向与外力方向垂直的情况下不可能产生滑移; 而当滑移方向位于外力方向与滑移面法线所组成的平面上,且45o。时,取向因子达到最大值(0.5),s最小,即以最小的拉应力就能达到发生滑移所需的分切应力值 通常,称取向因子大的为软取向;而取向因子小的叫做硬取向,d滑移时晶面的转动 单晶
14、体滑移时,除滑移面发生相对位移外,往往伴随着晶面的转动,对于只有一组滑移面的hcp,这种现象尤为明显. 图5.7 为单轴拉伸时晶体发生转动的力偶作用机制。 晶体受压变形时也要发生晶面转动,但转动的结果是使滑移面逐渐趋于与压力轴线相垂直,如图5.8。 另外,单晶体拉伸变形过程见图5.9。,图5.7 单轴拉伸时晶体转动的力偶作用,图5.8 晶体受压时的晶面转动(a)压缩前(b)压缩后,图 5.9 单晶体拉伸变形过程a) 原试样 b) 自由滑移变形 c) 受夹头限制的变形,e多系滑移 对于具有多组滑移系的晶体,滑移首先在取向最有利的滑移系(其分切应力最大)中进行,但由于变形时晶面转动的结果,另一组滑
15、移面上的分切应力也可能逐渐增加到足以发生滑移的临界值以上,于是晶体的滑移就可能在两组或更多的滑移面上同时进行或交替地进行,从而产生多系滑移。,f滑移的位错机制 实际测得晶体滑移的临界分切应力值较理论计算值低34个数量级,表明晶体滑移并不是晶体的一部分相对于另一部分沿着滑移面作刚性整体位移,而是借助位错在滑移面上运动来逐步地进行的。,晶体的滑移必须在一定的外力作用下才能发生,这说明位错的运动要克服阻力。,位错运动的阻力首先来自点阵阻力。由于点阵结构的周期性,当位错沿滑移面运动时,位错中心的能量也要发生周期性的变化,如图5.10 所示。,图5.10 位错滑移时核心能量的变化,图5.10中1和2为等
16、同位置,当位错处于这种平衡位置时,其能量最小,相当于处在能谷中。当位错从位置1移动到位置2时,需要越过一个势垒,这就是说位错在运动时会遇到点阵阻力。由于派尔斯(Peierls)和纳巴罗(Nabarro)首先估算了这一阻力,故又称为派一纳(P-N)力。,式中,b为滑移方向上的原子间距,d为滑移面的面间距,为泊松比,W=d/(1-)代表位错宽度。,P-N = 2G/(1-)exp(-2W/b),由派一纳力公式可知,位错宽度越大,则派一纳力越小,这是因为位错宽度表示了位错所导致的点阵严重畸变区的范围宽度大则位错周围的原子就能比较接近于平衡位置,点阵的弹性畸变能低,故位错移动时其他原子所作相应移动的距
17、离较小,产生的阻力也较小。,位错运动的阻力除点阵阻力外,位错与位错的交互作用产生的阻力;运动位错交截后形成的扭折和割阶,尤其是螺型位错的割阶将对位错起钉扎作用,致使位错运动的阻力增加;位错与其他晶体缺陷如点缺陷,其他位错、晶界和第二相质点等交互作用产生的阻力,对位错运动均会产生阻力,导致晶体强化。,2孪生,孪生是塑性变形的另一种重要形式,它常作为滑移不易进行时的补充。,a孪生变形过程,当面心立方晶体在切应力作用下发生孪生变形时,晶体内局部地区的各个(111)晶面沿着 方向(图5.11a的AC),产生彼此相对移动距离为 的均匀切变。,图5.11 面心立方晶体孪生变形示意图(a)孪晶面和孪生方向(
18、b)孪生变形时原子的移动,这样的切变并未使晶体的点阵类型发生变化,但它却使均匀切变区中的晶体取向发生变更,变为与未切变区晶体呈镜面对称的取向。这一变形过程称为孪生。变形与未变形两部分晶体合称为孪晶;均匀切变区与未切变区的分界面(即两者的镜面对称面)称为孪晶界;发生均匀切变的那组晶面称为孪晶面(即(111)面);,孪生面的移动方向称为孪生方向。,b孪生的特点,(1) 孪生变形也是在切应力作用下发生的,并通常出现于滑移受阻而引起的应力集中区,因此,孪生所需的临界切应力要比滑移时大得多。 (2) 孪生是一种均匀切变,即切变区内与孪晶面平行的每一层原子面均相对于其毗邻晶面沿孪生方向位移了一定的距离,且
19、每一层原子相对于孪生面的切变量跟它与孪生面的距离成正比。 (3) 孪晶的两部分晶体形成镜面对称的位向关系 。,在晶体中形成孪晶的主要方式有三种:一是通过机械变形而产生的孪晶,也称为“变形孪晶”或“机械孪晶”,它的特征通常呈透镜状或片状;其二为“生长孪晶”,它包括晶体自气态(如气相沉积)、液态(液相凝固)或固体中长大时形成的孪晶;,c孪晶的形成,其三是变形金属在其再结晶退火过程中形成的孪晶,也称为“退火孪晶”,它往往以相互平行的孪晶面为界横贯整个晶粒,是在再结晶过程中通过堆垛层错的生长形成的。它实际上也应属于生长孪晶,系从固体中生长过程中形成。 通常,对称性低、滑移系少的密排六方金属如Cd,Zn
20、,Mg等往往容易出现孪生变形。面心立方晶体中孪晶的形成见图5.12。,图 5.12 面心立方晶体中孪晶的形成,通过位错增殖的极轴机制形成,图 5.13 孪生的位错极轴机制,d孪生的位错机制,由于孪生变形时,整个孪晶区发生均匀切变,其各层晶面的相对位移是借助一个不全位错(肖克莱不全位错)运动而造成的,孪生的位错极轴机制 见图5.13。,为了使晶体的形状与外力相适应,当外力超过某一临界值时晶体将会产生局部弯曲,这种变形方式称为扭折,变形区域则称为扭折带。扭折变形与孪生不同,它使扭折区晶体的取向发生了不对称性的变化。扭折是一种协调性变形,它能引起应力松弛,使晶体不致断裂。,由于各种原因,晶体中不同部
21、位的受力情况和形变方式可能有很大的差异,对于那些既不能进行滑移也不能进行孪生的地方,晶体将通过其他方式进行塑性变形,相关实例见图5.14和图5.15。,3扭折,图 5.14 伴随着形成孪晶而产生的扭折带,图 5.15 单晶镉被压缩时的扭折 (a) 扭折示意图 (b) 镉单晶中的扭折带,5.2.2 多晶体的塑性变形,实际使用的材料通常是由多晶体组成的。室温下,多晶体中每个晶粒变形的基本方式与单晶体相同,但由于相邻晶粒之间取向不同,以及晶界的存在,因而多晶体的变形既需克服晶界的阻碍,又要求各晶粒的变形相互协调与配合,故多晶体的塑性变形较为复杂。,1晶粒取向的影响,晶粒取向对多晶体塑性变形的影响,主
22、要表现在各晶粒变形过程中的相互制约和协调性。 当外力作用于多晶体时,由于晶体的各向异性,位向不同的各个晶体所受应力并不一致。处于有利位向的晶粒首先发生滑移,处于不利方位的晶粒却还未开始滑移。 为了使多晶体中各晶粒之间的变形得到相互协调与配合,通过各晶粒的多系滑移来保证。(5个独立的滑移系),这就与晶体的结构类型有关: 滑移系甚多的面心立方和体心立方晶体能满足这个条件,故它们的多晶体具有很好的塑性; 相反,密排六方晶体由于滑移系少,晶粒之间的应变协调性很差,所以其多晶体的塑性变形能力可低。,2晶界的影响,从第3章得知,晶界上原子排列不规则,点阵畸变严重,何况晶界两侧的晶粒取向不同,滑移方向和滑移
23、面彼此不一致,因此,滑移要从一个晶粒直接延续到下一个晶粒是极其困难的,在室温下晶界对滑移具有阻碍效应。,对只有23个晶粒的试样进行拉伸试验表明,在晶界处呈竹节状(见图5.16)。,多晶体试样经拉伸后,每一晶粒中的滑移带都终止在晶界附近。,如图5.17所示。在变形过程中位错难以通过晶界被堵塞在晶界附近。这种在晶界附近产生的位错塞积群会对晶内的位错源产生一反作用力。此反作用力随位错塞积的数目n而增大:,式中,0为作用于滑移面上外加分切应力;L为位错源至晶界之距离;k为系数,螺位错k=1,刃位错k=1-v。当它增大到某一数值时,可使位错源停止开动。使晶体显著强化。,图5.16 经拉伸后晶界处呈竹节状
24、,图5.17 位错在相邻晶粒中的作用示意图,因此,对多晶体而言,外加应力必须大至足以激发大量晶粒中的位错源动作,产生滑移,才能觉察到宏观的塑性变形。,由于晶界数量直接决定于晶粒的大小,因此,晶界对多晶体起始塑变抗力的影响可通过晶粒大小直接体现。实践证明,多晶体的强度随其晶粒细化而提高。多晶体的屈服强度ss与晶粒平均直径d的关系可用著名的霍尔佩奇(Hall-Petch)公式表示:,式中,0反映晶内对变形的阻力,相当于极大单晶的屈服强度;K反映晶界对变形的影响系数,与晶界结构有关。,进一步实验证明,霍尔佩奇公式适用性甚广。因此,一般在室温使用的结构材料都希望获得细小而均匀的晶粒。因为细晶粒不仅使材
25、料具有较高的强度、硬度,而且也使它具有良好的塑性和韧性,即具有良好的综合力学性能。,当变形温度高于0.5Tm(熔点)以上时,由于原子活动能力的增大,以及原子沿晶界的扩散速率加快,使高温下的晶界具有一定的粘滞性特点,它对变形的阻力大为减弱,即使施加很小的应力,只要作用时间足够长,也会发生晶粒沿晶界的相对滑动,成为多晶体在高温时一种重要的变形方式。此外,在高温时,多晶体特别是细晶粒的多晶体还可能出现另一种称为扩散性蠕变的变形机制,这个过程与空位的扩散有关。,据此,在多晶体材料中往往存在一“等强温度Te”,低于Te时,晶界强度高于晶粒内部的;高于Te时则得到相反的结果(见图5.18)。,图5.18
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