有机波谱分析PPT课件第六章++质谱.ppt
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1、化学化工学院: 裴 强QQ: 23403960;Tel: 15937681641E-mail: peiqiang_,第五章 质谱,有机结构分析课件,学习要求:,1、掌握质谱仪的工作原理、质谱仪的基本结构 2、掌握质谱图、分子离子峰、碎片离子峰、亚稳离子峰、同位素离子峰的基本概念 3、了解质谱图、质谱表、分子离子峰、碎片离子峰、亚稳离子峰、同位素离子峰的应用,分子质量精确测定是化合物结构分析的重要工具。 1912年出现第一台质谱仪,可用于原子质量、同位素相对丰度的测定。 40年代出现高分辨率质谱仪,可用于有机化合物结构分析。 60年代末出现了色谱-质谱联用仪,可用于有机混合物分离分析,促进天然有
2、机化合物结构分析的发展。,低分辩质谱可以确定分子和碎片离子的整数质量,同时显示出相应同位素离子的相对丰度。在分子离子峰相当强的情况下,根据同位素的相对丰度能够估计可能的分子式。同理,也可以估计某些碎片的离子的元素组成,结合对分子断裂规律的分析,可以得到有机化合物骨架结构的启示和官能团存在的信息。,有机质谱仪按其性能可分为低分辩和高分辩两种。,再由高分辩质谱给出的精确相对分子质量和碎片离子质量,可以计算出该化合物的分子式和碎片离子的元素组成,为结构式的推断提供很大方便。,有机质谱在化合物结构鉴定中起着重要作用,与红外、紫外、核磁同为有机结构鉴定的四大分析工具。质谱方法以其高灵敏度、高分辨率和分析
3、速度快而居于特别重要的地位,通常只需要微克级甚至更少的样品即可得到很好的、可供结构鉴定的质谱图,一次分析仅需几秒,甚至不到一秒的时间即可完成。,第一节 基本原理与质谱仪,一、质谱仪,质谱仪需要在高真空下工作:离子源(10-3 10-5 Pa);质量分析器(10-6 Pa)。 原因:大量氧会烧坏离子源的灯丝;用作加速离子的几千伏高压会引起放电;引起额外的离子-分子反应,改变裂解模型,谱图复杂化,结构原理图:,1、进样系统,进样系统的作用是将待测物质(即试样)送进离子源。一般有直接进样、间接进样、色谱进样三种方式: 直接进样高沸点的试液、固体试样可用探针或直接进样器送入离子源,调节温度使试样气化
4、间接进样一般气体或易挥发试样 色谱进样色谱-质谱联用仪器中,经色谱分离的组分通过接口元件直接导入离子源。,2、离子源,离子源是质谱仪的心脏部分,最早使用的电子轰击离子源(electron impact sourse, EI)。至今仍是使用最广泛的最重要的离子源。 它具有如下特点:电离效率高,灵敏度高;应用最广,标准质谱图基本都是采用EI源得到的;稳定,操作方便,电子流强度可精密控制;结构简单,控温方便; 除了电子轰击离子源外,还有化学电离源(Chemical Ionization,CI)、场致电离源(Field Ionization,FI)。,3、质量分析器质谱仪的主体,质量分析器的作用是将离
5、子源产生的离子按照质荷比 m / z 的大小分离,使符合条件的离子飞过分析器,不符合条件的离子即被过滤掉 常见的有单聚焦质量分析器,双聚焦质量分析器和四极滤质器等,(1) 单聚焦质量分析器,加速后离子的动能 :(1/2)m 2= e V, = (2V)/(m/e)1/2,在磁场存在下,带电离子按曲线轨迹飞行;离心力 =向心力;m 2 / R= H0 e ;曲率半径: R= (m )/ e H0 ;质谱方程式:m/e = (H02 R2) / 2V;离子在磁场中的轨道半径R取决于: m/e 、 H0 、 V;改变加速电压V, 可以使不同m/e 的离子进入检测器。,质谱分辨率 = M / M (分
6、辨率与选定分子质量有关),若固定加速电压V,连续改变磁场强度H,称为磁场扫描 m / z H2 若固定磁场强度H,连续改变加速电压V,称为电场扫描 m / z 1/V 常用的为磁场扫描,无论什么扫描,m / z 相同的离子汇聚成离子束,即方向聚焦离子的m/z大,偏转半径也大,通过磁场可以把不同离子分开 在一定加速电压U,改变磁场强度B下,或在一定磁场强度B下,连续改变加速电压U,可以使不同离子先后通过检测器,实现质量扫描,得到质谱。 单聚焦质量分析器结构简单,操作方便,但分辨率低,(2)双聚焦质量分析器,高分辨率质谱仪一般采用双聚焦质量分析器 单聚焦质量分析器中离子源产生的离子在进入加速电场前
7、,其初始能量并不为零,能量各不相同,最后不能全部聚焦在检测器上,使仪器分辨率低,使用双聚焦质量分析器可解决离子能量分散的问题,静电场,磁场,结构:磁场 电场原理:能量聚焦 方向聚焦 磁偏转特点:高分辨率 操作复杂,双聚焦质量分析器是指同时实现方向聚焦和能量(速度)聚焦。将一静电场分析器置于离子源和磁场之间。静电分析器是由恒定电场下的一个固定半径的管道构成。加速的离子束进入静电场后,只有动能与其曲率半径相应的离子才能通过狭缝2 进入磁场。在进行方向聚焦之前,实现了能量(或速度)上的聚焦,大大提高分辨率,(3)四极滤质器,四极滤质器由四根平行的金属杆组成,其排布见左图所示。被加速的离子束穿过对准四
8、根极杆之间空间的准直小孔。通过在四极上加上直流电压U和射频电压Urf,在极间形成一个射频场,离子进入此射频场后,会受到电场力作用,只有合适m/z 的离子才会通过稳定的振荡进人检测器。 只要改变U和Urf并保持U/ Urf比值恒定时,可以实现不同m/z的检测。,4、检测器,最主要的检测器是电子倍增管,它可以测出10-17A微弱电流。如果电流更微弱,则需采用渠道式电子倍增器阵列,它可以使电流放大。,三、质谱的表示方法,在质谱分析中,质谱的表示方法有条图和表格形式:,图5-2是一张条图,又称质谱图。以质荷比m/z 为横坐标,离子相对强度为纵坐标,相对强度是把原始质谱图上最强的离子峰定为基峰,规定其相
9、对强度为100%,其它离子峰以对基峰的相对百分值表示,由质谱图很直观地观察整个分子的质谱信息。,表5-1是用表格形式表示质谱数据,由质谱表可准确地给出m/z值及相对强度。,第二节 质谱中主要离子峰,从质谱图上可看到许多离子峰,这些峰的m/z和相对强度取决于分子结构,还与仪器类型,实验条件有关。质谱中出现离子峰,归纳起来有以下几种:分子离子峰,碎片离子峰,同位素离子峰,重排离子峰及亚稳离子峰等。,一、分子离子峰,分子受电子束轰击后失去一个电子而形成的离子 称分子离子峰,分子,分子离子,由 所形成的峰称为分子离子峰。因此,分子离子峰的m/z的数值就是该化合物的相对分子质量Mr。是有机化合物的重要质
10、谱数据,分子离子峰若能出现,应位于质谱图的右端。,几乎所有的有机分子都可以产生可以辨认的分子离子峰。有些分子如芳香环分子可产生较大的分子离子峰,而高分子量的脂肪醇、醚及胺等则产生较小的分子离子峰。若不考虑同位素的影响,分子离子应该具有最高质量。,其相对强弱随化合物结构而变化,其强弱顺序一般为芳环 共轭多烯 烯 环状化合物 羰基化合物 醚 酯 胺 酸 醇 高度分支的烃类。分子离子峰的强弱也与实验条件有关。,1、分子离子峰的特点,一般质谱图上质荷比最大的峰为分子离子峰;但有例外,由稳定性判断。形成分子离子需要的能量最低,一般约10电子伏特。,2、分子离子的判断,(1) 规律,由C,H,O 组成的有
11、机化合物,M 一定是偶数;由C,H,O,N 组成的有机化合物,N 奇数,M 奇数;由C,H,O,N 组成的有机化合物,N 偶数,M 偶数。,(2)质量差是否合理,分子离子峰与相邻峰的质量差必须合理,3、分子离子的获得,(1)制备挥发性衍生物,(2)降低电离电压,增加进样量,(3)降低气化温度,(4)采用软电离技术,4、分子离子峰强度与结构的关系,二、碎片离子峰,当轰击电子的能量超过分子离子电离所需的能量时(约为5070eV),使分子离子的化学键进一步断裂,产生质量数较低的碎片,称为碎片离子,在质谱图上相应的峰,称为碎片离子峰。 碎片离子峰在质谱图上位于分子离子峰的左侧。,一般有机化合物的电离能
12、为713电子伏特,质谱中常用的电离电压为70电子伏特,使结构裂解,产生各种“碎片”离子。,分子的断裂即产生什么样的碎片离子与分子结构有密切的关系。 通常根据主要碎片离子峰及相对强度为推测分子结构提供参考信息。,常见离子碎片的质量:,三、同位素离子峰(M+1峰),1、同位素离子峰,除P、F、I外,组成有机化合物的常见的十几种元素中C、H、O、N、S、Cl、Br等都有同位素,因而在质谱图中会出现不同质量的同位素形成的峰,称为同位素离子峰。 由于同位素的存在,可以看到比分子离子峰大一个质量单位的峰;有时还可以观察到M+2,M+3,例如:CH4 M=1612C + 1H4=16(M)13C + 1H4
13、=17(M+1) 12C + 2H + 1H3=17(M+1)13C + 2H + 1H3=18(M+2),例:某化合物的质谱数据如下,试确定该化合物的化学式,m/z M(150) M+1(151) M+2(152),与M强度比% 100 9.9 0.9,(M+2)/M强度百分比为0.9%,M+2强度弱,说明不含Cl、Br、S;查阅Beynon表,相对分子质量为150的化学式共有29个,其中M+1峰的强度百分比在9%11%的化学式共有七种:,化学式 (M+1)/M % (M+2)/M % C7H10N4 9.25 0.38 C8H8NO2 9.23 0.78 C8H10N2O 9.61 0.6
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