石墨烯的特性、制备及应用课件.ppt
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1、石墨烯的特性、制备及应用,石墨烯的特性、制备及应用,目录,1、简介2、特性3、制备方法4、应用前景,目录1、简介,1、简介,2010年10月5日,瑞典皇家科学院在斯德哥尔摩宣布,将2010年诺贝尔物理学奖授予英国曼彻斯特大学的两位科学家安德烈海姆和康斯坦丁诺沃肖洛夫,以表彰他们在石墨烯材料方面的卓越研究。,1、简介 2010年10月5日,瑞典皇家科学院,1、简介,2004年,两位科学家通过使用胶带反复剥离石墨的方法在绝缘基底上获得了单层或少层的石墨烯并研究其电学性能,发现其具有特殊的电子特性以及优异的电学、力学、热学和光学性能,从而掀起了石墨烯应用研究的热潮。,1、简介 2004年,两位科学家
2、通过使用胶带反,1、简介,石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化连接形成的单原子层二维晶体,其厚度为0.335nm,碳原子规整的排列于蜂窝状点阵结构单元之中。电子显微镜下观测的石墨烯片,其碳原子间距仅0.142纳米。,“二维结构”从想象到现实,1、简介 石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化连,1、简介,石墨烯可看作是其他维数碳质材料的基本构建模块,它可以被包成零维的富勒烯,卷成一维的碳纳米管或堆叠成三维的石墨。,1、简介 石墨烯可看作是其他维数碳质材料的基本,2、特性,“最强性能”有许多,最薄最轻,载流子迁移率最高,电阻率最低,强度最大最坚硬,导热率最高,厚0.335nm,比表面积为2630m2/g,室
3、温下为20万cm2/Vs(硅的100倍),约为10-6cm(比铜和银更低),破坏强度:42N/m(结构钢的200倍),30005000W/mK(硅的50倍),2、特性“最强性能”有许多最薄最轻载流子迁移率最高电阻率最低,2、特性,单层石墨烯的价带与导带相交于布里渊区的六个顶点,这些顶点就是狄拉克点。由此,我们发现石墨烯是一种特殊能带结构的零带隙半导体材料。,低电阻率高迁移率高迁移速度半整数量子霍尔效应,2.1 电学特性,石墨烯三维能带结构图,2、特性 单层石墨烯的价带与导带相交于布里渊区,2.2 力学特性,2008年,美国哥伦比亚大学两名华裔科学家韦小丁和李昌钴研究发现,石墨烯是至今测量过的强
4、度最大的材料,比结构刚的强度要高200倍。 2013年,该研究团队发现即使是存在缺陷的石墨烯仍然是目前已知的强度最高的材料。完全由缝合晶界组成的石墨烯薄膜能保持超高强度,这是石墨烯在柔性电子和加强件等领域大量应用的关键。,2、特性,2.2 力学特性 2008年,美国哥伦比亚大,2.3 热学特性,(1)石墨烯的导热率高达5300Wm-1K-1,是铜的2倍和硅的50倍;(2)单层石墨烯的导热率与片层宽带、缺陷密度和边缘粗糙度密切相关;(3) 石墨稀片层沿平面方向导热具有各向异性的特点;(4) 在室温以上,导热率随着温度的增加而逐渐减小。,2、特性,2.3 热学特性(1)石墨烯的导热率高达5300W
5、m-1,2.4 光学特性,2008年,Nair等人发现石墨烯在近红外和可见光波段具有极佳的光透射性。他们将悬浮的石墨烯薄膜覆盖在几十个m量级的孔洞上,发现单层石墨烯的透光率可达97.7%,而且透光率随着层数的增加呈线性减少的趋势。,不同层数石墨烯的透射光谱,2、特性,2.4 光学特性 2008年,Nair等人发,3、制备方法,3、制备方法机械剥离法化学气相沉积法SiC热分解法氧化石墨烯,3、制备方法,3.1 机械剥离法,机械剥离法,是一种反复在石墨上粘贴并揭下粘合胶带来制备石墨烯的方法,缺点是很难控制所获得的石墨烯片的大小及层数。而且只能勉强获得数mm见方的石墨烯片。其优点是,可以获得采用其他
6、方法时无法实现的极高品质石墨烯片。还有人指出,“正是因为机械剥离法的出现才使石墨烯的分离研究在短时间内取得了进展”。,3、制备方法3.1 机械剥离法 机械剥离法,,3、制备方法,3.2 化学气相沉积法,另外,制造大面积石墨烯膜也已成为可能。采用的方法是化学气相沉积法。这是在真空容器中将甲烷等碳源加热至1000左右使其分解,然后在Ni及Cu等金属箔上形成石墨烯膜的技术。2010 年6 月韩国成均馆大学与三星电子等宣布,开发出了可制备30 英寸单层石墨烯膜的制造工艺以及采用这种石墨烯膜的触摸面板,这一消息让石墨烯研究人员及技术人员感到十分吃惊。不过,在1000高温下采用的工艺只能以分批处理的方式推
7、进,这是该制造工艺的瓶颈。而且这种工艺还存在反复转印的过程中容易混入缺陷及杂质的问题。,3、制备方法3.2 化学气相沉积法 另外,制,3、制备方法,3.3 SiC热分解法,SiC 基板的热分解法是,将SiC 基板加热至1300左右后除去表面的Si,剩余的C自发性重新组合形成石墨烯片的工艺。IBM 公司2010 年1 月将原来的机械剥离法改为这种方法制作了石墨烯FET。其优点是“不会受原来SiC基板上存在的若干凹凸的影响,可像从上面铺设地毯一样形成石墨烯片” 。而其存在的课题是,需要非常高的处理温度,石墨烯片的尺寸不易达到数m 见方以上,而且很难转印至其他基板,只能使用昂贵的SiC 基板。,3、
8、制备方法3.3 SiC热分解法 SiC,3、制备方法,3.4 氧化石墨烯还原法,第4 种制作工艺是三菱气体化学2000 年开发的氧化石墨烯法。这种方法首先使石墨粉氧化,然后放入溶液内溶化,在基板上涂上薄薄的一层后再使其还原。目前,这种方法用于制作大面积透明导电膜以及采用涂布工艺制作的TFT。尽管该工艺的温度较低而且方法简单,但由于采用折叠多个数十nm 见方断片的构造,而且不能完全还原,因此存在的课题是很难确保充分的导电性及透明性。,3、制备方法3.4 氧化石墨烯还原法 第4,3、制备方法,3、制备方法石墨烯产品最终能否抢占硅量产化进一步改进CVD法,4、应用前景,许多研究机构及厂商已开始以具备
9、多项穿透特性的单层石墨烯为研究对象,研发新一代器件的实用化,其应用领域从原子尺寸扩大到宇宙。,4、应用前景 许多研究机构及厂商已开始以具备多,4.1 晶体管,(1)我们可以利用石墨烯的高载流子迁移率及高迁移速度制作THz频率的高速动作型RF电路用晶体管,理论上估计其工作频率可达到10THz。 (2)我们正在寻找打开石墨烯带隙的方法,从而可以用石墨烯制作逻辑电路。,4、应用前景,4.1 晶体管 (1)我们可以利用石墨烯的,4.1.1 高速晶体管 世界上许多公司及大学都致力于石墨烯高速晶体管的开发,其原因之一在于如果开发出以THz频率工作的晶体管,就能够使迄今在技术方面有很大不同的电子和光子,也就
10、是电和光的控制技术实现无缝连接。,4.1 晶体管,4、应用前景,4.1.1 高速晶体管时间单位栅长截止频率2008年12月, 2010年12月,IBM在举行的国际会议IEDM 2010上首次透露了采用双层石墨烯在室温下实现3.2104这一最大开关比的可能性。 2012年6月,三星先进技术研究院(SAIT)声明开发出一种器件,通过调节栅极电压控制石墨烯-硅肖特基势垒实现105的开关速度。 2012年12月11日,日本产业技术综合研究所和物质材料研究机构宣布开发出了4端子石墨烯晶体管,电流开关比达到2.54104。2013年5月,麻省理工学院的研究人员们将六方氮化硼和单层石墨烯结合在一起,最终得到
11、的混合材料既有石墨烯的导电特性,还终于具备了建造晶体管所必需的能隙。 2013年6月,英国曼彻斯特大学Irina Grigorieva博士于发表的一份报告中显示,在石墨烯中创建基本磁矩,然后可以切换和关闭它们。,4.1.2 打开带隙的方法:,4.1 晶体管,4、应用前景, 2010年12月,IBM在举行的国际会议IEDM 201,4.2 触摸面板,现有手机触摸屏的工作层中不可缺少的材料为陶瓷材料氧化铟锡(ITO) 。由于其透明性与导电性的优秀结合,ITO被广泛地应用于电子器件。然而ITO在使用过程中也存在一些缺点,包括:(1)铟的价格持续上涨,使得ITO成为日益昂贵的材料;(2)ITO易脆的性
12、质使其不能满足一些新应用(例如可弯曲的LCD、有机太阳能电池)的性能要求;(3)ITO的制备方法(例如喷镀、蒸发、脉冲激光沉积、电镀)费用高昂。 虽然石墨烯透明导电薄膜的研究还在初期阶段,但是石墨烯在许多方面比ITO 具有更多潜在的优势,例如质量、坚固性、柔韧性、化学稳定性、红外透光性和价格等。因此采用石墨烯制备透明导电薄膜是很有前景的一项工作。,4、应用前景,4.2 触摸面板 现有手机触摸屏的工作层,一般来说,高透明性与高导电性是互为相反的性质。从这一点来看,ITO 正好处在透明性与导电性微妙的此消彼长关系的边缘线上。这也是超越ITO 的替代材料迟迟没有出现的原因。 石墨烯的载流子迁移率非常
13、高,但是载流子密度却较低。虽然这样会比较容易穿过更大波长范围的光,但是也会导致导电性下降。,4.2 触摸面板,4、应用前景,一般来说,高透明性与高导电性是互为相反的性质,2013年1月30日,东芝在国际纳米技术展会“nano tech 2013”上展出了利用涂覆工艺将石墨烯和银纳米线成膜制成的透明导电膜。 东芝利用银纳米线的高导电性和石墨烯的出色阻隔性能,制作出了此次的透明导电膜,同时实现透明导电膜的高性能和高耐久性。,4.2 触摸面板,4、应用前景,2013年1月30日,东芝在国际纳米技术展会,2012年,常州二维碳素科技有限公司成功研制全球首款手机用石墨烯电容触摸屏。2013年,该公司年产
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