光纤通信ppt课件概要.ppt
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1、第三章 光接收机,3.1光接收机简介 3.2光电检测器 3.3放大电路及其噪声 3.4光接收机灵敏度的计算 3.5光接收机的组成模块,3.1 光接收机简介,3.1.1 光接收机的组成 光接收机分为模拟光接收机和数字光接收机两种数字光接收机框图,数字光接收机分为光电检测器、前置放大器、主放大器、AGC电路、均衡器、判决再生和时钟提取七个部分 光接收机也可以分为三部分:光检测器和前置放大器合起来称为接收机前端,是光接收机的核心;主放大器、均衡滤波器和自动增益控制组成光接收机的线性通道;判决器、译码器和时钟恢复组成光接收机的判决、再生部分,3.1.2 光接收机的性能指标 光接收机主要的性能指标是误码
2、率(BER)、灵敏度以及动态范围 误码率是码元被错误判决的概率,可以用在一定的时间间隔内,发生差错的码元数和在这个时间间隔内传输的总码元数之比来表示 接收机灵敏度的定义为:在满足给定能的误码率指标条件下,最低接收的平均光功率Pmin。在工程上常用dBm来表示,即 接收机的最低输出光功率(用dBm来描述)和最大允许输入光功率(用dBm来描述)之差(dB)就是光接收的动态范围Pmax和Pmin为保证系统误码率指标条件下,接收机允许的最大接收光功率和最小接收光功率,3.2 光电检测器,光纤通信中对光电检测器最重要的几点要求如下: 在所用光源的波长范围内有较高的响应度; 较小的噪声; 响应速度快; 对
3、温度变化不敏感; 与光纤尺寸匹配; 工作寿命长,3.2.1 PN结的光电效应 在光的照射下,使物体中的电子脱出的现象叫做光电效应 右图为半导体PN结的形成,加反向偏压后光电二极管及其能带结构,3.2.2 PIN光电二极管 1原理与结构 PIN光电二极管的原理和结构,2光电二极管的波长响应(光谱特性) (1)上截止波长 光电效应必须满足条件 hvEg 或 c是真空中的光速, 是入射光的波长,h是普朗克常量,也就是说,入射光的波长必须小于某个临界值,才会发生光电效应,这个临界值就叫做上截止波长,定义为(2)响应波长的下限 设x = 0时,光功率为p(0),材料吸收系数为 经过x距离后吸收的光功率可
4、以表示为,3光电转换效率 常用量子效率和响应度衡量光电转换效率当入射功率为P0时,光生电流可以表示为w1是零电场的表面层的厚度,w是耗尽区的厚度量子效率表示入射光子能够转换成光电流的概率,可以知道,要提高量子效率,必须采取如下措施: 尽量减小光子在表面层的反射率,增加入射到光电二极管中的光子数; 尽量减小中性区的厚度,增加耗尽区的宽度,使光子在耗尽区被充分地吸收 光电转换效率也可以直接用光生电流Ip和入射光功率p0的比值来表示,称其为响应度,4响应速度 响应速度常用响应时间(上升时间和下降时间)来表示 影响响应速度的主要因素有3点 (1)光电二极管和它的负载电阻的RC时间常数 结电容与耗尽区的
5、宽度w及结区面积A有关,(2)载流子在耗尽区里的渡越时间下图为漂移速度与电场强度关系若想使载流子能以极限漂移速度渡越耗尽区,反向偏压须满足 VEsw,(3)耗尽区外产生的载流子由于扩散而产生的时间延迟 5光电二极管的暗电流 暗电流是指无光照时光电二极管的反向电流,3.2.3 雪崩光电二极管 1工作原理 APD载流子雪崩式倍增示意图(只画出电子),2APD的平均雪崩增益 平均雪崩增益的定义为IM是雪崩增益后输出电流的平均值;Ip是未倍增时的初始光生电流,光电二极管输出电流和反向偏压的关系 平均雪崩增益也用一较简单的式子表示为,3APD的结构 光纤通信在0.85m波段常用的APD有拉通型(RAPD
6、)和保护环型(GAPD)两种,另一种在长波长波段使用的APD的结构称为SAM (Seperated Absorption and Multiplexing)结构,4APD的过剩噪声 APD的过剩噪声系数为在工程上,为简化计算,常用过剩噪声指数来表示过剩噪声系数,即,3.3 放大电路及其噪声,3.3.1 噪声的数学处理 1噪声的统计性质 对噪声的分析应采用随机过程的分析方法 电阻内部微观粒子的热骚动是一个随机过程,对于随机噪声XN来说,落在x1和x1+dx1之间的概率是P(x1XNx1+dx1)它的积分就是概率分布函数,为 F(x1, t1) = P(XNx1)= P(XNx1)表示XN是落在(
7、,x1)中的概率,2随机过程的数字特征 (1)均值 设 是一个随机过程,它的均值(数学期望) 为均值也可以用时平均值(用符号表示)来代替,即,(2)标准差(均方差) 随机变量的方差D (X)和标准差(均方差) 分别为,3平稳随机过程的功率谱密度 设有时间函数x (t),假设x (t)满足荻氏条件,且绝对可积,那么x (t)的傅里叶变换为 和 之间有以下的巴塞伐(parseval)等式成立,把函数x (t)限制在的 时间间隔里,可以得到 左边表示平均功率,而就是此函数的双边平均功率谐密度,简称功率谱密度,它表示1 Hz频带上平均功率的大小。所谓“双边”,是指对的正负频域都有意义,3.3.2 放大
8、器输入端的噪声源 放大器噪声的概率密度函数可以表示为高斯函数 对随机噪声,m=0时,上式可写成,1输入端的等效电路及噪声源 光接收机的等效电路,带有热噪声的电阻可以有两种等效方式 一种是等效为一个无噪声的电阻和一个噪声电流源并联 这种等效下并联电流噪声源的功率谱密度为 另一种等效方式是把带有噪声的电阻等效为一个理想的电阻和一个噪声电压源串联 电压噪声源的双边功率谱密度为,2放大器的输出噪声电压的计算 放大器输出噪声电压的均方值为 ; ; 是放大器、均衡滤波器的传递函数,它表示输入电流与输出电压之间的传递关系,实为转移阻抗可以看出:偏置电阻Rb越大,电阻的热噪声越小;输入电阻Rt越大、输入电容C
9、t越小,串联电压噪声源对总噪声的影响越小,3.3.3 场效应管和双极晶体管的噪声源 1输入端的等效电路及噪声源 场效应管的主要噪声源有两个 :栅漏电流的散粒噪声沟道热噪声,(1)散粒噪声散粒噪声其功率谱密度为e0为电子电荷, C,Igate是场效应管的栅漏电流(2)沟道热噪声 功率谱密度为gm是场效应管的跨导;是器件的数值系数,对Si FET, ;对GaAs FET,(3)输出瑞的总噪声功率 当Rb足够大时,上式中的第一项可以忽略,因此得到,2双极晶体管的噪声源 散粒噪声基区电阻的热噪声分配噪声,(1)散粒噪声 功率谱密度为Ib是晶体管的基极工作电流(2)基区电阻的热噪声 基区电阻的热噪声在输
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