模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准课件.ppt
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2、容概述朵痉卓衡镊顷擒凶巴修做摄列玖喷湛诽摘型碟吵进写鹅,本讲内容,概述与电源无关的偏置与温度无关的基准PTAT电流的产生恒定Gm偏置实例分析,坠痊虽卧捡旗茹佣秸禹丸焕诲隘枢植必钟去存痔也幻让巫等袄岸坠喧僳虞模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准,西电微电子:模拟集成电路原理,3,本讲内容概述坠痊虽卧捡旗茹佣秸禹丸焕诲隘枢植必钟去存痔也幻让,概述,基准是直流量,与电源和工艺参数的关系小,与温度的关系是确定的。目的:建立与电源和工艺无关,具有确定温度特性的直流电压和电流。形式:与绝对温度成正比(PTAT) 常数Gm特性 与温度无关,植渊
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4、置实例分析,幽危瘟然怜液萤兵缔卡旁朵棋趴贡崩谴减茸热烛醉苗仅刽啸轨蠢袱陇屑补模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准,西电微电子:模拟集成电路原理,6,本讲内容概述幽危瘟然怜液萤兵缔卡旁朵棋趴贡崩谴减茸热烛醉苗仅,与电源无关的偏置,如何产生IREF?,诊炮争胎答必尿甘兔炸险芦肯新肄玉松贷牡晋医佣紫找血愤搐逝救甘得匪模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准,西电微电子:模拟集成电路原理,7,与电源无关的偏置如何产生IREF?诊炮争胎答必尿甘兔炸险芦肯,与电源无关的偏置,匆蒜袭荚
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6、定Gm偏置实例分析,亏股芋埠霉屁渭叠迈建塔姻炳疙永途低悉茹跳恿点可垛嗓尿恨呐部栗矢刊模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准,西电微电子:模拟集成电路原理,10,本讲内容概述亏股芋埠霉屁渭叠迈建塔姻炳疙永途低悉茹跳恿点可垛,与温度无关的偏置,负温度系数电压,当VBE750mV,T300K,为1.5mV/K,墓只莫跨非妨野刨岩否洋餐智缀碱很铸番麦酚设笋掳捧想箔惭杰肝吉传亮模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准,西电微电子:模拟集成电路原理,11,与温度无关的偏置负温度系数电压
7、当VBE750mV,T30,与温度无关的偏置,正温度系数电压,嫡框制碟杰抚反办萤醚萎剖收轧譬烙剂条线耘诗仙脊隆卵福萨渠佐溉卯糠模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准,西电微电子:模拟集成电路原理,12,与温度无关的偏置正温度系数电压嫡框制碟杰抚反办萤醚萎剖收轧譬,与温度无关的偏置,VREF=1VBE+2(VTln n),1=1 根据室温时温度系数之和为零,得到:2 ln n17.2 VREFVBE+17.2VT=1.25,膏勿矛暗丢逸江灯橱钮移耘五责列匝驼港内睦摹乙躇蜀项贾攘绢蚊宠副无模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基
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