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1、教学进度,图像传感器的概述,光电技术基础,光源,CCD图像传感器基本工作原理,典型面阵ICCD,视频信号处理及计算机数据采集,图像传感器的典型应用,典型线阵ICCD,图像传感器基本原理及电视制式,第五讲 CCD图像传感器基本工作原理,CCD型图像传感器突出特点:以电荷为信号载体;CCD的基本功能:电荷的存储和电荷的转移;CCD图像传感器的基本工作过程:光电转换 (将光转换成信号电荷)电荷的储存(存储信号电荷-光积分)电荷的转移(转移信号电荷)电荷的检测(将信号电荷转换成电信号),FD放大器,CCD,CCD的工作过程,电荷存储电荷耦合CCD电极结构电荷注入和检测CCD特性参数电荷耦合摄像器件:工
2、作原理、特性参数,第五讲 CCD图像传感器基本工作原理,一、电荷存储光电转换得到的信号电荷怎么存储?,信号电荷以何种机制储存?信号电荷是空穴还是电子?CCD多用电子利用电子可以被高电势所吸引的性质。 在光电二极管中,不管用什么方法只要做出高于周围电势的部分,信号电荷(电子)就可以在此集中储存。 电势阱:储存信号电荷的电势分布状态,为了存储电荷必须制造一个存储区。不仅要把生成的电荷尽量收集起来,而且保证所收集电荷不被复合。,MOS 电容器(也称MOS二极管),CCD是由若干MOS单元组成,它具有存储和转移信息的能力,故又称为动态移位寄存器。 MOS电容器有二种类型:表面沟道和掩埋沟道。 这二种类
3、型MOS电容器的制造只有些许不同;然而,由于埋沟电容结构具有很多显著的优点,因此这种结构成了CCD制造工艺的首选。事实上今天制造的所有CCD几乎都利用埋沟结构。,CCD的构成基础:MOS电容器(Metal-Oxide-Semiconductor) 金属 -氧化物- 半导体,MOS电容器的结构如图所示。在P型(或N型)半导体硅衬底上,生长一层很薄的SiO2绝缘层,再蒸镀上一层金属(铝)或高掺杂的多晶硅作为栅电极。衬底接地,栅极外接电压。,半导体作为底电极,称为“衬底”。衬底分为 P型硅衬底和 N型硅衬底,它对应不同的沟道形式,由于电子迁移率高,所以,大多数 CCD选用 P型硅衬底。,当在栅电极上
4、加上 UG 0的小电压时, P型衬底中的空穴从界面处被排斥到衬底的另一侧,在Si表面处只留下一层不能移动的受主离子,这种状态称为多数载流子“耗尽状态”,形成图中的充电区域(空间电荷区)称作耗尽区。(相当于 MOS电容器充负电),正电压 UG进一多增加,当 UG超过某一阈值Uth时,将使得半导体体内的电子(少数载流子)被吸引到半导体表面附近,形成一层极薄(厚度约10nm)但电荷浓度很高的反型层。这种情况称之为“反型状态”。(电势能最低点) 反型层电荷的存在表明MOS结构存储电荷的功能。,表面势 :半导体与氧化层界面上的电势。表面势表征了耗尽区的深度,与栅极电压和氧化层厚度有关,势阱:由表面势产生
5、的阱状空间。有的定义为:存储电荷的电势分布状态。电极上的电压越大,势阱越深,可存储的电荷量越多,也就代表了CCD器件具有电荷存储功能。,理论分析参见半导体物理,栅极电压不变时,表面势与反型层电荷密度的关系:,反型层电荷填充势阱时,表面势收缩的情况:,势阱存信号电荷类似水桶盛水,水桶模型,溢出现象,电荷的收集 埋沟MOS 电容器,埋沟电容是在 一个 p-型衬底上建造的;在p-型衬底表面上形成一个 n-型区(1m厚); 然后,生长出一层薄的二氧化硅(0.1m厚);再在二氧化硅层上用金属或高掺杂的多晶硅制作电极或栅极;至此完成了MOS电容的制作。,电子的势能:,q 是电子的电荷量,而为静电势,2-6
6、,无偏置时, n-型层内含有多余的电子向p-型层扩散, p-型层内含有多余的空穴并向n-型层扩散; 这个结构与二极管结的结构完全相同。上述的扩散产生了内部电场,在n-型层内电势达到最大。,沿此线的电势示于上图.,电势,CCD厚度方向的截面图,这种埋沟结构的优点是能使光生电荷离开CCD 表面,因为在CCD表面缺欠多,光生电荷会被俘获。这种结构还可以降低热噪声(暗电流)。,电荷的收集 MOS 电容器,电子势能最小的地方位于n-型区内并与硅 - 二氧化硅 (Si - SiO 2) 的交界面有一定距离,这个势能最小(或电位最高) 的地方就是多余电子聚集的地方。,CCD曝光时,每个像元有一个电极处于高电
7、位 。硅片中这个电极下的电势将增大,成为光电子收集的地方,称为势阱。其附近的电极处于低电位,形成了势垒,并确定了这个像元的边界。像元水平方向上的边界由沟阻确定。,电荷的收集 MOS 电容器,电势,电势,势能,势能,CCD曝光时,产生光生电荷,光生电荷在势阱里收集。随着电荷的增加,电势将逐渐变低,势阱被逐渐填满,不再能收集电荷,达到饱和。 势阱能容纳的最多电荷称为满阱电荷数。,电荷的收集 MOS 电容器,实际的埋沟结构埋沟结构的两边各有一个比较厚(0.5-1.5m)的场氧化物区。该区与高掺杂的 p-型硅一起形成形成沟阻,该区的静电势对栅极的电压和电压变化不敏感,始终保持形成势垒。,电荷的收集 M
8、OS 电容器,埋沟结构的MOS电容的主要特点是:能在单一电极之下的一个局部区域内产生势阱;能调整或控制栅极下面的势能;储存电荷的位置 (势能最小处)离 Si- Si02 交界面有一定的距离;低的暗电流使其能够长时间的储存信号电荷 (取决于工作条件可以从数十秒到数小时);所收集的电荷可以通过光照、电注入等产生;能快速地将电荷从一个电极之下的一个位置转移到下一个邻近的电极下面,而且损失非常低。,电荷的收集 MOS 电容器,像元边界,电荷包,SiO2 绝缘层,电极结构,像元边界,入射的光子,光子入射到CCD中产生电子空穴对, 电子向器件中电势最高的地区聚集,并在那里形成电荷包。每个电荷包对应一个像元
9、。,电荷的收集,电荷收集的效率与电势的分布、复合寿命和扩散长度有关。,二、电荷耦合MOS电容器中存储的电荷如何移动?,显微镜下的MOS元表面,原理:利用电势阱移动信号电荷类比:水按顺序倾倒到相邻水桶问题:如何实现?时序驱动脉冲,以三相CCD为例说明控制电荷定向转移的过程:,电极仅靠势阱合并,每一个像素上有三个金属电极,依次在上面施加三个相位不同的控制脉冲,三相CCD的电荷包转移过程,注意各个电极上电压的变化:,驱动脉冲波形设计,三相普通结构CCD假设初始时刻电荷存储在电极1下,向右定向移动,从上到下依次为1 2 3,作业一,设计由普通电极结构组成的四相CCD的驱动脉冲。 设计要求:信号电荷最初
10、仅存在于电极2下,并要求信号电荷从左到右在CCD中定向移动。 波形分析:根据驱动波形知道驱动脉冲的占空比为多少?驱动脉冲时序上的关系 (2 比1延迟多长时间)?驱动电路:相应的时序电路如何设计?,说明:,CCD的电极分成几组,每一组称为一相,每一组施加同样的时钟驱动脉冲。 CCD工作所需要的驱动脉冲相数由其电极结构决定。对于普通结构的 CCD,为了使电荷包单向转移,至少需要三相。 对于特殊结构的 CCD,也可采用二相供电或四相供电等方式。信号电荷必须在相应驱动脉冲作用下,才能以一定方向逐单元地转移。CCD电极间隙必须很小(不大于3微米),电荷才能不受阻碍地从一个电极转移到相邻电极下;如果电极间
11、隙过大,两电极的势阱就被势垒隔开,不能合并,也就不能发生移动了。,CCD转移电极一般用金属铝或多晶硅制成;CCD转移电极基本要求:电荷定向转移相邻势阱耦合,三、CCD的电极结构信号电荷转移的驱动接入,1、三相电极结构(三相 CCD) 采用对称电极结构,三相 CCD是最简单的电极结构。因为在某一确定的时刻,对存贮有电荷的电极而言,两个相邻电极,需要一个被“打”开,另一个保持“关”闭,以阻止电荷倒流。 通常这种电极结构有三种形式: 三相单层铝电极结构三相电阻海结构三相交叠硅栅结构,(1)三相单层铝电极结构,在轻掺杂的硅衬底上先生成一层0.1m的 SiO2,而后在 SiO2上蒸发一层铝,采用光刻工艺
12、形成间隙很窄的电极。 结构存在明显的缺点:电极间隙处 SiO2表面裸露在周围气氛中,有可能沾污 SiO2表面,造成表面势不稳定,影响转移效率。,(2) 三相电阻海结构,为得到封闭的电极结构,采用的方法之一就是引用硅栅结构。在氧化物层上沉积一层多晶硅,然后按要求对电极区域选择掺杂(硼或磷),形成图中的低阻多晶电极,电极间互连和焊接区采用蒸铝来实现。,结构优点:封闭式,性能稳定,成品率高;缺点:由于光刻和多晶硅定域掺杂难以保证电极间高阻区很窄,使得每个单元尺寸较大,这样的结构仅用于小型列阵器件。,(3) 三相交叠硅栅结构,三相交叠硅栅结构是常用三相交叠电极结构形式。电极间窄间隙,又封闭的电极结构。
13、三相交叠电极可以是多晶硅,也可以是铝金属,或者两种混用。,(3) 三相交叠硅栅结构,三相交叠硅栅的形成工艺:先在硅表面生成一层高质量的氧化物(栅氧),跟着沉积一层多晶硅,掺杂后按规定图案光刻出第一组电极;而后再进行热氧化,形成一层氧化物,再沉积多晶硅、掺杂,第二次光刻出第二组电极;第三组电极形成方法与第二组电极相同。,2、 二相硅-铝交叠栅结构,为使 CCD能在二相时钟脉冲驱动下工作,电极本身必须设计成不对称性,在这种不对称电极下产生体内势垒,即由电极本身保证电荷能定向运动。 常用方法:利用绝缘层厚度不同的台阶和离子注入产生的势垒,优点:二相时钟方法的时钟驱动简单。缺点:厚氧化层下面是阻挡势垒
14、,不能存贮电荷,加之势阱势垒差减小, 所以,能够存贮在势阱中的信号电荷量比三相时钟情况少。,3、四相CCD,四相 CCD工作状态与三相器件、二相器件相比,较为适合于工作时钟频率很高的情况(如100MHz),此时驱动波形接近正弦波。,双重势垒相隔,转移效率提高,4、体沟道CCD (埋沟道CCDBCCD),前面讲的CCD,信号电荷是贴近氧化层界面的衬底内转移。表面 CCD存在如电荷转移速度和转移效率低等问题。其主要原因是受表面态和迁移率的影响。,设法将信号的转移沟道移到半导体体内,即通过对转移沟道进行离子注入,使势能的极小值离界面有一定距离。,两种来源:光注入(图像传感器)电注入,四、电荷的注入C
15、CD的MOS电容器中信号电荷的来源?,、光注入:分为正面照射式和背面照射式,Qin =qANeotc,2、电注入:给 CCD势阱中注入电荷通过输入结构对信号电压或电路进行采样,然后转换成信号电荷注入到相应的势阱中。,电压注入法结构,模拟输入信号,IG:输入栅极;当CR2为高电平时,可将ID极看成MOS晶体管的源极,IG为栅极,CR2为漏极。,电流注入法结构,注入信号电荷与Uin非线性关系,五、电荷的检测 (输出) MOS电容器中信号电荷最后咋输出?,目前的CCD输出电荷信号主要是利用电流输出方式。,电路组成:1 输出二极管反向偏置电路。由电源UD 、电阻R、 衬底p和N+区构成的输出二极管反向
16、偏置电路,对于电子来说,N+区下面相当于一个很深的势阱。2 源极输出放大器3复位场效应管TR,过程描述:1. CCD信号电荷向右转移到最后一级转移电极CR2 ;,2. CR2电压由高变低,势阱抬高,信号电荷通过输出栅OG下的势阱进入反向偏置的二极管中。在输出二极管反向偏置电路上产生电流ID ;3. 电流ID造成A点电位发生变化,检测A点电位,可得到注入输出二极管中的电荷量,输出电流Id与注入到二极管中的电荷量QS成正比例关系。且QS越大,Id越大,从而A点电位就越低。 隔直电容只将A点的电位变化取出,然后通过放大器输出。,复位场效应管TR其作用:迅速排空检测二极管的深势阱中的剩余电荷,即对深势
17、阱进行复位,从而避免前后两个电荷包重叠,为下一个信号电荷的检测做准备。,过程:在复位脉冲RS作用下,TR导通,导通电阻远小于偏置电阻R,检测二极管中的剩余电荷从这流走,恢复A点高电位。,1、电荷转移效率和电荷转移损失率 CCD工作时电荷从一个电极经多次耦合转移到最后电极并输出,如果每次转移都会损失一部分信号电荷,会怎样?,电荷转移损失率:,电荷转移效率与损失率的关系:,六、CCD的特性参数电荷耦合器件的,转移效率:一次转移后到达下一个势阱中的电荷量与原来势阱中的电荷量之比。表征CCD性能好坏的重要参数,起始时刻电极下电荷量为Q(0)时刻t该电极下电荷量为Q(t),起始电荷量为Q(0),n次转移
18、后输出的电荷量为Q(0)n。若=0.99, 24次转移后剩下79%,1024次后仅剩下3.4%。,提高转移效率 是电荷耦合器件能否实用的关键。一般常为0.999 995以上。怎么提高转移效率呢?分析电荷损失原因:界面态对信号电荷的俘获解决方法:采用“胖0”工作模式(在CCD中利用电注入的方式在转移沟道中注入胖0电荷)。即让0信号也有一定的电荷。,“胖0” 缺点: “胖0”电荷分量越大,CCD输出暗电流也越大,并且不能通过降低器件温度来减小。,相同驱动频率,“胖0” 多,损失率低;相同 “胖0” , 频率低,损失率低;,2、驱动频率,驱动频率:加在转移栅上的脉冲频率,如CR1或CR2的频率。 1
19、)驱动频率的下限 限制来源:为避免热激发少数载流子的干扰,要求电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间 t 必须小于少数载流子的平均寿命为i 。载流子平均寿命与温度有关,温度高寿命短。,2)驱动频率的上限限制来源:为保证信号电荷能够跟上驱动变化,否则转移效率大大下降。因此,要求转移时间 t 要大于电荷从一个电极转移到另一个电极的固有时间为g 。,对于相同结构设计的n沟道(P型衬底)CCD比p沟道CCD的工作频率高。 图示为:三相多晶硅n型表面沟道(SCCD)的实测驱动脉冲频率与电荷转移损失率之间的关系曲线。由曲线可以看出,表面沟道CCD驱动脉冲频率的上限为10MHz,高于10MHz以后,CCD
20、的转移损失率将急骤增加。,体沟道CCD的驱动频率要高一些,目前,最高驱动频率已经达到240MHz。这对CCD在高速成像系统中的应用很重要。,七、电荷耦合摄像器件 ICCDCCD在摄像领域的应用,(一)工作原理 电荷耦合摄像器件( ICCD): 用于摄像或像敏的CCD; ICCD功能:把光学图像信号转变成一维以时间为自变量的 视频输出信号。线阵CCD: 可以直接将接收到的一维光信息转换成时序的电信号输出,获得一维的图像信号。若想用线阵CCD获得二维图像信号,必须使线阵CCD与二维图像作相对的扫描运动,所以用线阵CCD对匀速运动物体进行扫描成像是非常方便的。 应用:扫描仪、传真机、航空图像扫描系统
21、面阵CCD: 二维的图像传感器,可以直接将二维图像转变为视频信号输出。,1、线型CCD摄像器件的两种基本形式,(1) 单沟道线阵 ICCD,转移次数较多,效率低,适用于像元数较少的摄像器件。,组成: 光敏阵列+ 转移栅+CCD模拟移位寄存器+输出放大器。光敏阵列:由光栅控制的MOS光积分电容或PN结光电二极管;光敏阵列与CCD之间通过转移栅相连,既可以隔离二者,又可以沟通二者。,单沟道线阵 ICCD工作过程描述:,光敏阵列与CCD之间通过转移栅隔离时(转移控制栅接低电平),光敏阵列进行光注入(积分),光敏单元不断积累电荷;转移栅变为高电平时,光敏区所累积的信号电荷将通过转移栅转移到CCD模拟移
22、位寄存器中。在光积分时间期间(控制栅接低电平时),CCD模拟移位寄存器在三相交叠脉冲作用下,将信号电荷一位位移出器件,并经过输出放大器形成时序信号。,单沟道线阵 ICCD工作过程描述: 当入射光照射在光敏元件阵列上,梳状电极施加高电压时,光敏元件聚集光电荷,进行光积分,光电荷与光照强度和光积分时间成正比。在光积分时间结束时,转移栅上的电压提高(平时低电压),与CCD对应的电极也同时处于高电压状态。然后,降低梳状电极电压,各光敏元件中所积累的光电电荷并行地转移到移位寄存器中。当转移完毕,转移栅电压降低,梳妆电极电压回复原来的高电压状态,准备下一次光积分周期。同时,在电荷耦合移位寄存器上加上时钟脉
23、冲,将存储的电荷从CCD中转移,由输出端输出。这个过程重复地进行就得到相继的行输出,从而读出电荷图形。,单沟道线阵 ICCD:,(2) 双沟道线阵 ICCD,在光敏阵列两侧各有一列CCD模拟移位寄存器和一个转移栅,缺点:由于奇偶信号电荷分别通过两个模拟移位寄存器和两个 输出放大器输出,导致输出的奇偶信号不均匀。,优点:同样的像敏单元,双沟道比单沟道线阵CCD的转移时间缩短一半,因此转移效率提高。,2、面阵CCD,分类(按照排列方式):帧转移方式隔列转移方式线转移方式,按照一定的方式将一维线阵CCD的光敏单元及移位寄存器排列成二维阵列,即可构成二维面阵CCD。,(1) 帧转移面阵CCD,像敏区由
24、并行排列的若干个电荷耦合沟道组成, 沟道之间用沟阻隔开,水平电极横贯各沟道; 暂存区的结构及单元数和像敏区完全相同; 暂存区和行读出寄存器均用金属铝遮蔽。,帧转移三相面阵CCD 组成:1.像敏区2.信号电荷暂存区3.水平读出寄存器,帧转移面阵CCD 工作过程(配合电视制式):,场正程:像敏区光积分并存储信号电荷;场逆程:像敏区信号电荷并行转移到暂存区;下一个场正程:行逆程:最下面一行信号电荷转移到行读出寄存器中,暂存区下移一行;行正程:水平读出寄存器输出一行视频信号;,信号电荷的转移依赖相应的驱动时钟。,思考题:,光积分期间,转移栅的电压是高电位还是低电位?为什么?答案:低电平。光积分时,光生
25、电荷在三个电极中哪个下面的势阱中?答案:三个电极中加高电平的电极下。场逆程时,是由图中哪些脉冲驱动完成帧的转移的?答案:ICR1/2/3 和 SCR1/2/3 共六组电极。行正程期间,暂存区的电位变化吗?为什么?答案:不变化。原因同1。,帧转移面阵CCD的优缺点:,优点:结构简单,光敏单元的尺寸可以很小,传递函数MTF较高;缺点:光敏面积所占总面积的比例小。,(2) 隔列转移型面阵CCD,以两相驱动的面阵CCD为例:工作时序类似帧转移型,(2) 隔列转移型面阵CCD,(3)线转移型面阵CCD,优点:有效光敏面积大,转移速度快,效率高。不足:电路比较复杂;,特点:取消了存储区,多了线寻址电路。根
26、据不同寻求,线寻址电路发出不同的地址选取信号后,相应行一位位输出。从而非常方便选择扫描方式,实现逐行或隔行扫描;还可以工作在线阵CCD的状态,下面通过类比说明 CCD 收集、转移和测量电荷的过程。,小盆,虹吸泵,雨水量筒,CCD的工作过程类比说明,每个小盆接到的雨水数量不同,类比中,雨滴表示光子;收集的雨水表示CCD探测的电荷;小盆表示像元,小盆的深度表示每个像元可以容纳多少电荷;虹吸泵表示CCD的移位寄存器;雨水量筒表示CCD的输出放大器。,CCD的工作过程类比说明,先将雨水向左移动,首先,最左边一行接雨水的小盆将所接的雨水通过虹吸泵转移到与雨水量筒排成一排的一行小盆(读出寄存器)中。,为了
27、测量每个小盆中的雨水(雨停以后),虹吸泵将每个小盆中的雨水向雨水量筒转移。,CCD的工作过程类比说明,倒空量筒,然后将最靠近量筒小盆中的雨水通过虹吸泵导入量筒中测量它的数量。每次测量完成以后,都要将量筒倒空,准备下一次测量。,图示的状态是一次测量后的状态。,CCD的工作过程类比说明,又一次测量结束。,倒空量筒,CCD的工作过程类比说明,倒空量筒,一行电荷测量结束。,CCD的工作过程类比说明,重复上述转移测量的过程,直到所有小盆中雨水的数量都测量完毕。准备好进行下一次开始接雨水(曝光)。,CCD的工作过程类比说明,1、光电转换特性 存储于CCD的像敏单元中信号电荷包是由入射光子被硅衬底材料吸收,
28、并被转换成少数载流子(反型层电荷)形成的,具有良好的光电转换特性。它的光电转换因子可达到99.7%以上。,2、光谱响应,(二)ICCD的基本特性参数,线性关系,(三)ICCD的动态范围,1、势阱可存储的最大信号电荷量 取决于CCD的电极面积、器件结构、时钟驱动方式、驱动脉冲电压幅度等。,2、噪声来源:电荷注入、转移、检测复位 噪声的度量方法:用等效电子数表示;,(1)光子噪声 (2)电流噪声 (3)胖零噪声(4)浮获噪声(5)输出噪声,动态范围定义:像敏单元的势阱中可存储的最大电荷量 和噪声决定的最小电荷量之比。,(四)ICCD的暗电流及产生原因,1、耗尽的硅衬底中电子自价带至导带的本征跃迁,
29、2、少数载流子在中性体内的扩散,3、Si-SiO2界面引起的暗电流,(A/cm),In=10-3sNss,暗电流是大多数摄像器件共有的特征,是判断摄像器件好坏的重要标准。即使没有光照或者其他电荷注入时,仍然会存在。,载流子浓度、寿命,耗尽区宽度,(五)ICCD的分辨率 MTF或像元数,二维面阵CCD在水平方向和垂直方向上的分辨率是不同的,水平分辨率的要求往往高于垂直分辨率。 在评价面阵CCD的分辨率时,只评价它的水平分辨率,且利用电视系统的评价方法为电视线数的评价方法。电视线评价方法表明,在一幅图像的水平方向能够分辨出黑白线的条数为其分辨率。 分辨率与水平方向上CCD的像元数量有关,像元数越多,分辨率越高。现在面阵CCD的分辨率越来越高。,几种面阵CCD的参数,本讲小结(重点考核内容),掌握ICCD工作过程:光电转换、电荷存储、电荷转移、电荷检测MOS电容器存储信号电荷的原理电荷耦合的原理(理解驱动脉冲和电极配合达到目的的过程)CCD电极结构的基本要求及并了解几种典型的电极结构电荷的注入及电荷的检测(理解检测电路构造及工作过程)CCD的特性参数:转移效率(提高方式)和驱动频率上下限ICCD的工作原理及分类(线阵和面阵)掌握线阵及面阵CCD的结构组成,并理解工作过程;了解ICCD的基本特性参数、动态范围、暗电流、分辨率本章课后习题会做(下页PPT),
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