防雷器件陶瓷放电管GDTTVS 半导体放电管TSS MOV等大汇总ppt课件.ppt
《防雷器件陶瓷放电管GDTTVS 半导体放电管TSS MOV等大汇总ppt课件.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《防雷器件陶瓷放电管GDTTVS 半导体放电管TSS MOV等大汇总ppt课件.ppt(33页珍藏版)》请在三一办公上搜索。
1、,讲解人:丁耀鸿 指导老师:雷斌,防雷器件的学习 硕凯电子,2,前言,1. 浪涌是如何产生的?雷电引起感应雷,雷电侵入波,静电放电,大功率设备的启停,工程设计不完善,如接地不合理,没有安装防浪涌装置等。2. 浪涌的危害? 1、系统瘫痪,设备停机,产品质量下降导致商业竞争力减弱。2、设备寿命降低,可靠性下降,造成成本上升。3、由于微电子技术的迅猛发展,超大集成电路的应用,这些元 件的抗浪涌能力很低是造成设备损坏的主要原因。3. 如何有效的防止浪涌?将浪涌电流引入地下将输出电压钳制在一个安全的水平上不能阻止雷电的发生,但能防止其造成破坏。,各种防雷元器件,主要内容,1. GDT,TSS(电压开关型
2、)2. TVS,MOV(电压钳位型)3.电感,电阻,导线4.正温度系数热敏电阻(PTC)5. 网络变压器6.保险丝,1.1 GDT学习,1.1.1 陶瓷气体放电管(GDT)工作原理气体放电管是一种开关型保护器件,工作原理是气体放电。当两极间电压足够大时,极间间隙将放电击穿,由原来的绝缘状态转化为导电状态,类似短路。导电状态下两极间维持的电压很低,一般在2050V,因此可以起到保护后级电路的效果。,正常高阻态,进入辉光状态,进入弧光状态,进入辉光状态,电流增加,恢复高阻状态,外加过电压,无持续电流,V-t曲线图,G 辉光放电区(Glow mode range)A/B 弧光放电区(Arc mode
3、 range),1.1.1 陶瓷气体放电管(GDT),管子性能参数气体放电管的主要指标有:残压、响应时间、直流击穿电压、冲击击穿电压、通流容量、绝缘电阻、极间电容、续流遮断时间。气体放电管的响应时间可以达到数百ns以至数ms,在保护器件中是最慢的。绝缘电阻高109,通流量较其他防雷器件大,极间电容的值非常小,一般在5pF以下,极间漏电流非常小,为nA级。因此气体放电管并接在线路上对线路基本不会构成什么影响。设置在普通交流线路上的放电管,要求它在线路正常运行电压及其允许的波动范围内不能动作,则它的直流放电电压应满足:min(ufdc)1.8UP。式中ufdc直流击穿电压,min(ufdc)表示直
4、流击穿电压的最小值。UP为线路正常运行电压的峰值。,GDT性能参数,气体放电管的续流遮断是设计电路需要重点考虑的一个问题。如前所述,气体放电管在导电状态下续流维持电压一般在2050V,在直流电源电路中应用时,如果两线间电压超过15V,不可以在两线间直接应用放电管。在50Hz交流电源电路中使用时,虽然交流电压有过零点,可以实现气体放电管的续流遮断,但气体放电管类的器件在经过多次导电击穿后,其续流遮断能力将大大降低,长期使用后在交流电路的过零点也不能实现续流的遮断;还存在一种情况就是如果电流和电压相位不一致,也可能导致续流不能遮断。因此在交流电源电路的相线对保护地线、相线对零线以及相线之间单独使用
5、气体放电管都不合适,当用电设备采用单相供电且无法保证实际应用中相线和中线不存在接反的可能性时,中线对保护地线单独使用气体放电管也是不合适的,此时使用气体放电管需要和压敏电阻串联。在交流电源电路的相线对中线的保护中基本不使用气体放电管。(我司有断续流产品BH601,原理是什么?),1.1.1 陶瓷气体放电管(GDT),应用领域气体放电管主要可应用在交流电源口相线、中线的对地保护;直流RTN和保护地之间的保护;信号口线对地的保护;天馈口馈线芯线对屏蔽层的保护。气体放电管的失效模式多数情况下为开路,因电路设计原因或其它因素导致放电管长期处于短路状态而烧坏时,也可引起短路的失效模式。气体放电管使用寿命
6、相对较短,多次冲击后性能会下降,同时其他放电管在长时间使用会有漏气失效这种自然失效的情况,因此由气体放电管构成的防雷器长时间使用后存在维护及更换的问题。,1.1.2 GDT内部结构与生产流程,(1)、陶瓷气体放电管分别由电极、 瓷管、焊料、阴极发射材料 (电子粉)、惰性气体,(2)、相关材料成份如下: 电极铁镍合金(4J42) 瓷管95瓷(95%AL2O3) 焊料银铜合金(AgCu28) 电子粉金属氧化物混合体 惰性气体Ne、Ar及相应混合气,1.1.2 GDT内部结构与生产流程,电极清洗,电子粉涂敷,瓷管划碳线,瓷管吹尘,装配组合,封接/老练,电镀,加压检漏/测试,检测外观,点焊,移印,浸硅
7、油,编带包装出售,1.2 TSS学习,1.2.1 半导体放电管TSS工作原理电压开关型瞬态抑制二极管(TSS,Thyristor Surge Suppressor)与TVS管相同,也是利用半导体工艺制成的限压保护器件,但其工作原理与气体放电管类似,而与压敏电阻和TVS管不同。当TSS管两端的过电压超过TSS管的击穿电压时,TSS管将把过电压钳位到比击穿电压更低的接近0V的水平上,之后TSS管持续这种短路状态,直到流过TSS管的过电流降到临界值以下后,TSS恢复开路状态。VDRM断态电压IDRM断态电流VS转折电压IS转折电流VT导通压降IT导通电流IH维持电流,1.2.1 半导体放电管TSS,
8、管子性能参数精确的导通电压,快速的响应速度(小于1ns)、浪涌吸收能力强、电容值低、双向对称、可靠性高。易于制成表贴器件,很适合在单板上使用,TSS管动作后,将过电压从击穿电压值附近下拉到接近0V的水平,这时二极管的结压降小,所以用于信号电平较高的线路(例如:模拟用户线、ADSL等)保护时通流量比TVS管大,保护效果也比TVS管好。TSS适合于信号电平较高的信号线路的保护。在使用TSS管时需要注意的一个问题是:TSS管在过电压作用下击穿后,当流过TSS管的电流值下降到临界值以下后,TSS管才恢复开路状态,因此TSS管在信号线路中使用时,信号线路的常态电流应小于TSS管的临界恢复电流。临界恢复电
9、流值随TSS管的型号和设计应用场合的不同而不同,使用时应注意在器件手册中查明所用具体型号的确切值。TSS管的击穿电压(min(UBR)、通流容量是电路设计时应重点考虑的。在信号回路中时,应当有:min(UBR)(1.21.5)Umax,式中Umax为信号回路的峰值电压。,1.2.1 半导体放电管TSS,应用领域TSS管较多应用于信号线路的防雷保护。TSS管的失效模式主要是短路。但当通过的过电流太大时,也可能造成TSS管被炸裂而开路。TSS管的使用寿命相对较长。,1.2.2 TSS内部结构与生产工艺,1.2.2 TSS内部结构与生产工艺,我司封装工艺,芯片订购,芯片脱粒,焊接组装,成型,熟化,切
10、弯脚,包装入库,T.M.T.P,电镀,关键工序,出货,2. MOV,TVS参数性能,2.1 MOV参数性能工作原理压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性,当过电压出现在压敏电阻的两极间,压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值,从而实现对后级电路的保护。压敏电阻有碳化硅压敏电阻和氧化锌压敏电阻。常用的是氧化锌(ZnO)压敏电阻,它主要是以氧化锌为原料,添加多种微量金属氧化物,它的外面包封环氧树脂(可添加颜料)。,2.1 MOV参数性能,性能参数压敏电阻的主要参数有:压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。压敏电阻的响应时间为ns级,比空气放电管快,比TVS管稍慢一些,一般情
11、况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千pF的数量级范围,很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中,应用在交流电路的保护中时,因为其结电容较大会增加漏电流,在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大,但比气体放电管小。压敏电阻的压敏电压(min(U1mA)、通流容量是电路设计时应重点考虑的。在直流回路中,应当有:min(U1mA) (1.82)Udc,式中Udc为回路中的直流额定工作电压。在交流回路中,应当有:min(U1mA) (2.22.5)Uac,式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。上述取值原则主要是为了保证压敏电阻在电源电
12、路中应用时,有适当的安全裕度。在信号回路中时,应当有:min(U1mA)(1.21.5)Umax,式中Umax为信号回路的峰值电压。压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计指标来定。一般而言,压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。,2.1 MOV参数性能,应用领域压敏电阻主要可用于直流电源、交流电源、低频信号线路、带馈电的天馈线路。压敏电阻的失效模式主要是短路,当通过的过电流太大时,也可能造成阀片被炸裂而开路。压敏电阻使用寿命较短,多次冲击后性能会下降。因此由压敏电阻构成的防雷器长时间使用后存在维护及更换的问题。,2. MOV,TVS参数性能,2.2 TVS参数性能工作原理TVS(
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 防雷器件陶瓷放电管GDTTVS 半导体放电管TSS MOV等大汇总ppt课件 防雷 器件 陶瓷 放电 GDTTVS 半导体 TSS MOV 汇总 ppt 课件
链接地址:https://www.31ppt.com/p-1368677.html