电子类项目环评方法及典型案例分析课件.ppt
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1、电子类项目环评方法及典型案例分析,曹大勇2019年7月,电子类项目环评方法及典型案例分析曹大勇,电子工业简述,电子行业涉及的范围十分广泛,包括照明、显示、集成电路等器件制造及计算机、通讯设备、家电等领域。目前主要有集成电路芯片制造、发光二极管(LED)电光源芯片制造、液晶显示器、等离子显示器制造。该类项目技术含量高,消耗的原辅材料品种多,但用量相对较少,纯度要求高。但是该类项目用水量大,水资源压力比较大。废水排放量大,且含污染物种类多,有时有一类污染物。此外,电子行业排放的污染物有很多没有排放标准和环境标准,给环评带来难度。,电子工业简述电子行业涉及的范围十分广泛,包括照明、显示、集成,玻璃基
2、板,基板清洗,CVD溅射,光刻,刻蚀,剥离,清洗,切割断屏,模块组装,液晶显示器生产工艺流程图,清洗氧化硅片离子注入光刻芯片生产工艺流程图CVD沉积CMP抛,案例基本情况,项目名称:LED外延片、芯片项目建设单位:外资企业(产业政策,沟通方式)建设性质、地点:新建,位于开发区内。生产规模:拟建项目年产2英寸LED外延片48万片/年,外延片进一步通过激光切割生成两种不同规格的芯片(背光源应用芯片(10*23)以及大尺寸照明应用芯片(22*22,45*45) ),平均一个外延片可切割成一万个芯片。,案例基本情况项目名称:LED外延片、芯片项目,产业政策,产业结构调整指导目录(2019年本)外商投资
3、产业指导目录2019产业政策一般没问题,但应注意和区域环保政策的符合性。,产业政策产业结构调整指导目录(2019年本),组成一览表,组成一览表设施内 容主体工程生产主厂房一座,划分为外延片生,报告书编制工程污染因素分析,报告书编制工程污染因素分析名称规格年耗量(t/a)名称重要,报告书编制工程污染因素分析,首先是将蓝宝石衬底放入外延炉(简称MOCVD),再通入三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟蒸气与氨气,在高温下,发生热解反应,生长出一层厚度仅几微米(的化合物半导体外延层。长有外延层的基片也就是常称的外延片。,CVD沉积过程中产生的CH4、过量的NH3和微量的有机气体(未反应的残留的三甲基镓等烷烃类
4、。固废主要是含有Ga、In等的固态沉积废渣以及检测出的不合格外延片。,报告书编制工程污染因素分析首先是将蓝宝石衬底放入外延炉(简,报告书编制工程污染因素分析,(1)金属镀膜:在GaN晶体的表面和侧面镀上对输出波长增透的增透膜。(2)图形光刻:涂胶是在芯片表面涂上光刻胶;曝光是使用光刻机,并透过光掩膜版对涂胶的芯片进行光照,使部分光刻胶得到光照,另外部分光刻胶得不到光照,从而改变光刻胶性质;显影是对曝光后的光刻胶进行去除,由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液,这样就使光刻胶上形成了沟槽。 (3)刻蚀:刻蚀的目的是将光刻后暴露的氧化层去除,使基质暴露出来。干法离子刻蚀
5、是指反应气体通过放电产生各种活性等离子体,靠射频溅射使活性离子作固定的定向运动,产生各间异性腐蚀。湿法刻蚀常用的是以盐酸或氢氟酸与纯水配成的刻蚀液,刻蚀完成后要用酸、纯水反复冲洗,以保证刻痕的清洁。(4)清洗:芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。在芯片的加工工艺中,往往首先采用异丙醇清洗去除表面附着的光刻胶以后,再送入清洗槽利用纯水清洗干净后进入下一道工序。,报告书编制工程污染因素分析(1)金属镀膜:在GaN晶体的表,报告书编制工程污染因素分析,(5)保护层制作SiO2沉积,是指在芯片表面上通过沉积的方式添加一层氧化硅保护膜,反应气体(Si3N4)和携带气体(O2)在高温下反应生成Si
6、O2。(6)SiO2腐蚀:为了除去电极区域的SiO2薄层需要使用腐蚀工艺;利用光刻胶作掩膜腐蚀SiO2的腐蚀液为HF和H2O的配比液,在SiO2上得到电极的图形,腐蚀之后再去除光刻胶。(7)研磨&抛光:将基板放置于钻石研磨机内,利用钻石砂轮将蓝宝石基板减薄,之后再利用树酯铜盘对蓝宝石基板作抛光的动作。此工序会使用到研磨液、丙酮等,这些均为有机溶剂。(8)切割:在金属晶片上安装有效元件,用激光器将晶片切割成单个的小晶片。(10)目检、计数:利用人工透过显微镜的方式将自动挑捡机无法辨识外观异常的晶粒剔除,剔除后再至计数器计数晶粒的数量。,报告书编制工程污染因素分析(5)保护层制作SiO2沉积,报告
7、书编制工程污染因素分析,总物料平衡特征污染物平衡(氟、氯、异丙醇、氨)水平衡,报告书编制工程污染因素分析总物料平衡,工程分析废气处理,拟建项目有组织废气污染源为生产车间工艺废气,在MOCVD炉、光刻、刻蚀、去胶、SiO2沉积、SiO2腐蚀、剥离等工序均有产生,废气中含有酸雾的废气统一收集到酸雾净化塔进行碱液喷淋,有机废气的通过另一条通道收集后进活性炭吸附后排放,因此,各工序产生的废气均进入各自的处理系统处理后排入大气。,工程分析废气处理拟建项目有组织废气污染源为生产车间工艺废气,酸性废气,有机废气,活性炭吸附,两级碱液喷淋,酸液喷淋,酸液喷淋,15m排气筒 排放,25m排气筒 排放,活性炭吸附
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