数字电路的基础知识ppt课件.ppt
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1、(2-1),数字电路的基础知识,数字信号和模拟信号,电子电路中的信号,模拟信号,数字信号,时间连续的信号,时间和幅度都是离散的,(2-2),模拟信号:,u,正弦波信号,锯齿波信号,u,(2-3),研究模拟信号时,我们注重电路输入、输出信号间的大小、相位关系。相应的电子电路就是模拟电路,包括交直流放大器、滤波器、信号发生器等。,在模拟电路中,晶体管一般工作在放大状态。,(2-4),数字信号:,数字信号,产品数量的统计。,数字表盘的读数。,数字电路信号:,(2-5),研究数字电路时注重电路输出、输入间的逻辑关系,因此不能采用模拟电路的分析方法。主要的工具是逻辑代数,电路的功能用真值表、逻辑表达式及
2、波形图表示。,在数字电路中,三极管工作在开关状态,即工作在饱和和截止状态。,(2-6),第二章 门电路和组合逻辑电路, 2.1 概述, 2.2 分离元件门电路, 2.3 TTL集成门电路, 2.4 MOS门电路,2.5 逻辑代数,2.6 组合逻辑电路分析,2.7 利用小规模集成电路设计组合电路2.8 几种常用的中规模组件,(2-7), 2.1 概述,在数字电路中,门电路是最基本的逻辑元件。门电路的输入信号于输出信号之间存在一定的逻辑关系,所以门电路又称逻辑门电路。门电路是用以实现逻辑关系的电子电路,与基本逻辑关系相对应,门电路主要有:与门、或门、与非门、或非门、异或门等。,在数字电路中,门电路
3、的输入输出信号都是用电位(电平)的高低来表示。一般用高电平代表1、低点平代表0,即所谓的正逻辑系统。,(2-8),只要能判断高低电平即可,K开-Vo=1, 输出高电平K合-Vo=0, 输出低电平,可用三极管代替,(2-9),三极管的开关特性(截止区饱和区):,截止,饱和,(2-10), 2.2 分离元件门电路,一、二极管与门,(2-11),“与”逻辑,A、B、C都具备时,事件F才发生。,逻辑符号,(2-12),F=ABC,逻辑式,真值表,(2-13),二、二极管或门,(2-14),“或”逻辑,A、B、C只有一个具备时,事件F就发生。,逻辑符号,(2-15),F=A+B+C,逻辑式,真值表,(2
4、-16),三、三极管非门,嵌位二极管,(2-17),“非”逻辑,A具备时 ,事件F不发生;A不具备时,事件F发生。,逻辑符号,(2-18),逻辑式,真值表,(2-19),与非门,(2-20),几种常用的逻辑关系逻辑,“与”、“或”、“非”是三种基本的逻辑关系,任何其它的逻辑关系都可以以它们为基础表示。,与非:条件A、B、C都具备,则F 不发生。,(2-21),或非:条件A、B、C任一具备,则F 发生。,异或:条件A、B有一个具备,另一个不具备则F 发生。,(2-22),分离元件门电路缺点,1、体积大、工作不可靠。,2、需要不同电源。,3、各种门的输入、输出电平不匹配。,(2-23), 2.3
5、TTL集成门电路,一、TTL与非门的基本原理,与分离元件电路相比,集成电路具有体积小、可靠性高、速度快的特点,而且输入、输出电平匹配,所以早已广泛采用。根据电路内部的结构,可分为DTL、TTL、HTL、MOS管集成门电路。,(2-24),TTL与非门的内部结构,(2-25),1、任一输入为低电平(0.3V)时,1V,不足以让T2、T5导通,(2-26),1、任一输入为低电平(0.3V)时,1V,uo=5-uR2-ube3-ube43.6V高电平!,(2-27),2、输入全为高电平(3.4V)时,电位被嵌在2.1V,全反偏,1V,(2-28),2、输入全为高电平(3.4V)时,全反偏,uF=0.
6、3V,此电路,(2-29),1、电压传输特性,二、 TTL与非门的特性和技术参数,测试电路,(2-30),UOL,(0.3V),传输特性曲线,UOL,(0.3V),阈值UT=1.4V,理想的传输特性,输出高电平,输出低电平,(2-31),(1)输出高电平UOH、输出低电平UOL,UOH2.4V UOL 0.4V 便认为合格。,典型值UOH=3.4V UOL 0.3V 。,(2) 阈值电压UT,uiUT时,认为ui是低电平。,uiUT时,认为ui是高电平。,UT=1.4V,(2-32),2、输入、输出负载特性,(1)前后级之间电流的联系,(2-33),前级输出为 高电平时,前级,后级,流出前级电
7、流IOH(拉电流),(2-34),前级输出为 低电平时,前级,后级,流入前级的电流IOL 约 1.4mA (灌电流),(2-35),关于电流的技术参数,(2-36),(2)扇出系数:,与非门电路输出驱动同类门的个数,前级输出为高电平时,例如:,(2-37),前级,前级输出为 低电平时,(2-38),输出低电平时,流入前级的电流(灌电流):,输出高电平时,流出前级的电流(拉电流):,与非门的扇出系数一般是10。,(2-39),1、悬空的输入端相当于接高电平。,2、为了防止干扰,可将悬空的输入端接高电平。,说明,(2-40),(3)平均传输时间,tpd1,tpd2,平均传输时间,(2-41),三、
8、 其它类型的TTL门电路(三态门),E-控制端,(2-42),(2-43),(2-44),符号,功能表,(2-45),符号,功能表,(2-46),三态门主要作为TTL电路与总线间的接口电路,用途:,E1、E2、E3分时接入高电平,(2-47), 2.4 MOS门电路,半导体集成门电路按导电类型分为: 双极型(TTL)(双极型晶体管) MOS型(绝缘栅场效应管)(单极型晶体管)MOS型:优点: 制造工艺简单、集成度高、功耗低、抗 干扰能力强,便于向大规模集成电路发展。缺点:工作速度较低。,(2-48),一、场效应晶体管,场效应管与双极型晶体管不同,它是多子导电,输入阻抗高,温度稳定性好。,结型场
9、效应管JFET,绝缘栅型场效应管MOS,场效应管有两种:,(2-49),1、 绝缘栅场效应管:,(1)结构和电路符号,P型基底,两个N区,SiO2绝缘层,(2-50),金属铝,导电沟道,N沟道增强型,(2-51),P沟道增强型,(2-52),P沟道耗尽型,予埋了导电沟道,(2-53),(2)MOS管的工作原理,以N沟道增强型为例,(2-54),UGS=0时,对应截止区,(2-55),UGS0时,感应出电子,VT称为阈值电压,(2-56),UGS较小时,导电沟道相当于电阻将D-S连接起来,UGS越大此电阻越小。,(2-57),当UDS不太大时,导电沟道在两个N区间是均匀的。,当UDS较大时,靠近
10、D区的导电沟道变窄。,(2-58),UDS增加,UGS=VT时,靠近D端的沟道被夹断,称为予夹断。,(2-59),(3)增强型N沟道MOS管的特性曲线,转移特性曲线,(2-60),输出特性曲线,UGS0,(2-61),二、 NMOS门电路1、NMOS“非”门电路,ui=“1”,ui=“0”,(2-62),实际结构,?,等效结构,(2-63),2、”与非”门电路,A,Y,UCC,B,(2-64),2、”或非”门电路,A,Y,UCC,B,(2-65),三、 CMOS反相器(互补对称),(2-66),ui=0,u=“”,1、“非”门电路,(2-67),ui=,u=“”,(2-68),2、“与非”门电
11、路(略)3、“或非”门电路(略),(2-69),三、CMOS电路的优点,、静态功耗小。,、允许电源电压范围宽(318V)。,3、扇出系数大,抗噪容限大。,(2-70),2.5 逻辑代数,一、逻辑代数运算法则,在数字电路中,我们要研究的是电路的输入输出之间的逻辑关系,所以数字电路又称逻辑电路,相应的研究工具是逻辑代数(布尔代数)。,在逻辑代数中,逻辑函数的变量只能取两个值(二值变量),即0和1,中间值没有意义,这里的0和1只表示两个对立的逻辑状态,如电位的低高(0表示低电位,1表示高电位)、开关的开合等。,(2-71),1、几种基本的逻辑运算,从三种基本的逻辑关系,我们可以得到以下逻辑运算:,0
12、 0=0 1=1 0=0,1 1=1,0+0=0,0+1=1+0=1+1=1,(2-72),2、逻辑代数的基本定律,(1)基本运算规则,A+0=A A+1=1 A 0 =0 A=0 A 1=A,(2-73),(2)基本代数规律,交换律,结合律,分配律,A+B=B+A,A B=B A,A+(B+C)=(A+B)+C=(A+C)+B,A (B C)=(A B) C,A(B+C)=A B+A C,A+B C=(A+B)(A+C),(2-74),(3)吸收规则,a. 原变量的吸收:,A+AB=A,证明:,A+AB=A(1+B)=A1=A,利用运算规则可以对逻辑式进行化简。,例如:,(2-75),b.反
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