导电聚合物appt课件.ppt
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1、白川英树 (1936-),白川英树今年岁,已经退休,现在是日本筑波大学名誉教授。白川年毕业于东京工业大学理工学部化学专业,曾在该校资源化学研究所任助教,年到美国宾夕法尼亚大学留学,年回国后到筑波大学任副教授,年升为教授。年他的研究论文关于聚乙炔的研究获得日本高分子学会奖,他还著有功能性材料入门、物质工学的前沿领域等书。,图1 常见的共轭聚合物,反式聚乙炔(PA),聚吡咯(PPy),聚苯胺(PAn),聚对苯撑乙烯(PPV),聚对苯(PPP),聚噻吩(PTh),导电聚合物的早期研究兴趣主要集中在掺杂导电态上。到了1990年随着聚合物发光二极管的发现3,导电聚合物本征半导态的电致发光特性4、激光特性
2、5光伏打效应6,7又引起了广泛关注。导电聚合物的突出优点是既具有金属和无机半导体的电学和光学特性又具有有机聚合物柔韧的机械性能和可加工性还具有电化学氧化还原活性。这些特点决定了导电聚合物材料将在未来的有机光电子器件和电化学器件的开发印发展中发挥重要作用。,导电聚合物结构和电导特性,导电聚合物结构的最突出特点是共轭聚合物链结构(见图1)和共轭链的型(空穴)掺杂和n型(电子)掺杂特性。共轭聚合物的本征态处于半导态或绝缘态,p型或n型掺杂后转变为导电态。导电聚合物的p型掺杂是其主链失去电子同时伴随对阴离子的嵌入,n型掺杂是其主链得到电子同时伴随对阳离子的嵌入,对离子的嵌入使导电聚合物整体上呈现电中性
3、。可见近红外吸收光谱是判断导电聚合物掺杂状态的有效手段,掺杂导电态在近红外区有较强的吸收,脱掺杂后的本征态则近红外区吸收消失。,图2 聚吡咯的可见近红外吸收光谱。,a掺杂态;b本征态,掺杂特性,前面已经提到的导电聚合物的掺杂结构涉及对离子的掺杂。但更一般地,只要有电荷注入共轭聚合物主链,都可以称为掺杂(doping)。导电聚合物的掺杂可通过给体或受体的电荷转移、电化学氧化还原、界面电荷注入等手段来实现。1化学掺杂 最初发现导电聚乙炔就是通过化学掺杂实现的1,2。化学掺杂包括p型掺杂和n型掺杂两种。 (1) p型掺杂 其中CP代表共轭聚合物。(2) n型掺杂,电化学掺杂,电化学掺杂是通过电化学反
4、应实现导电聚合物的掺杂20。许多共轭聚合物在高电位区可发生电化学p型掺杂脱掺杂(氧化再还原)过程,在低电位区又可发生电化学n型掺杂脱掺杂(还原再氧化)过程。发生电化学p型掺杂反应时,共轭链被氧化,其价带失去电子并伴随对阴离子的掺杂: 其中CP+(A-)代表主链被氧化对阴离子A-掺杂的导电聚合物。发生电化学n型掺杂反应时,共轭链被还原其导带得到电子并伴随对阳离子的掺杂:,界面电荷注入掺杂,在聚合物半导体器件,如聚合物发光二极管(LED)和聚合物场效应管(FET)中,在电场的作用下电荷可以直接从金属电极通过接触界面注入共轭聚合物,形成共轭聚合物的电荷“掺杂”,空穴注入共轭聚合物的价带形成p型掺杂,
5、电子注入共轭聚合物的导带形成n型掺杂。这种掺杂与前面提到的化学掺杂和电化学掺杂有所不同,这里没有对离子。这种电荷注入掺杂在聚合物半导体电子器件和光电子器件中有重要应用。最近Bell实验室利用聚合物FET技术,通过这种电荷注入掺杂观察到了导电聚合物的超导现象25这进一步表明这种电荷注入掺杂。,导电聚合物的制备,聚苯胺的化学氧化合成 聚苯胺和聚吡咯等都可以通过使用氧化剂在溶液中使其单体氧化聚合,其中常用的氧化剂有三氯化铁、过硫酸胺等。聚苯胺可通过过硫酸铵在盐酸水溶液中氧化苯胺单体来制备32,反应后得到的沉淀为盐酸掺杂的导电聚苯胺(PANHCl)粉末。再经过以下处理可制备导电聚苯胺薄膜:将PANHC
6、l粉末经氨水脱掺杂得到碱式聚苯胺粉末,然后溶于N甲基吡咯烷酮(NMP)中制得碱式聚苯胺溶液,再将此溶液在玻璃板上浇铸成碱式聚苯胺薄膜,这种薄膜经酸液浸泡掺杂后就成为导电聚苯胺膜。,导电聚吡咯的电化学合成 聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩等多种导电聚合物都可以通过其单体的电化学聚合来制备,但不同的导电聚合物的电化学制备条件有所不同。表1为几种导电聚合物单体的聚合电位。聚合电位的高低反映出电化学氧化聚合的难易,聚合电位越低,越容易进行氧化聚合。同样,在进行化学氧化聚合时,氧化聚合电位越高,使用的氧化剂也需越强。可溶性导电聚苯胺的制备 可溶性对导电聚合物的应用非常重要,但由于导电聚合物都是刚性链结构,一般不溶
7、不融,给加工处理带来很大困难。后来人们从几种不同途径来解决这一可溶性问题,取得了一些可喜的进展。 解决可溶性的一个途径是在导电聚合物的共轭链上接上柔性支链,比如在噻吩环或吡咯环的3位或和4位上引进长的烷基或烷氧基取代基,或在吡咯环的N上引进一个长的烷基取代基,可使制备的聚合物溶于有机溶剂。,结束语,掺杂导电态的应用包括用于电池43,44、电色显示器件和超电容(supercapacitor)45的电极材料、静电屏蔽材料、金属防腐蚀材料46,47、电解电容器、微波吸收隐身材料、电致发光器件正极修饰材料、透明导电涂层、化学和生物传感器48、导电纤维等;中性半导态的应用领域有电致发光材料、场效应管(F
8、ET)半导体材料、聚合物光伏打电池材料等。导电聚合物的研究迄今已获得辉煌的成就。随着近10年来聚合物光电子材料和器件的发展以及最近共轭聚合物超导现象的发现,导电聚合物的研究已涉及到聚合物半导体、导体和超导体的宽广领域。可以预见,导电聚合物的研究在21世纪将得到更大的发展,聚合物光电子材料和器件将走进我们生活的每一个角落。,参考文献1 Shirakawa H, Louis E L, MacDiarmid A. G. J. Chem. Soc. , Chem. Commun. , 1977:5782 Chiang C K, Fincher C R, Park Y W, et al. Phys. R
9、ev. Lett. , 1977, 37:10983 Burroughes J H, Bradley D D C, Brown. Nature, 1990, 347:5394 Park I D. J. Appl. Phys., 1994, 75:16565 Hide F. Diaz-Garcia M, Schwartz B. Andersson M Q. Heeger A J. Science, 1996, 73:18336 Sariciftci N S, Smilowitz L, Heeger A J, Wud, Science, 1992, 258:14747 Yu G, Gao J, H
10、ummelen, Science, 1995, 270:17898 Heeger A J, NaarmannH, Theophilou N. Synth. Met. , 1988,25:799 Kraft A, Grimsdale A C, Holmes A B, Angew. Chem. Int. Ed., 1998, 37:40210 Pei Q, Yang Y, Yu G, Zhang C, Heeger A J. J. Am. Chem. Soc. , 1996, 118:3922,诺贝尔化学奖历届获奖者名单,诺贝尔奖自1901年12月10日颁布实施至今的100年来,共有28个国家的4
11、75名科学家荣获了诺贝尔奖的3个自然科学奖物理学奖、化学奖、生理学或医学奖1901年 J. H. 范特霍夫(Jacobus Hendricus Vant Hoff, 18521911, 荷兰人),发现溶液中化学热力学法则和渗透压规律。1902年 E. H. 费雪(Emil Hermann Fisher, 18521919德国人),合成了糖类及嘌呤诱导体。1903年 S. A. 阿伦纽斯(Svante August Arrhenius, 18591927, 瑞典人),提出电解质理论,首创电离学说。1904年 W. 拉姆赛(William Ramsay, 18521916, 英国人),发现空气中的
12、六中惰性气体,并确定了它们在元素周期表中的位置。1905年 A. 拜尔(Adol von Baeyer, 18351917, 德国人),从事有机染料以及氢化芳香族化合物的研究。1906年 H. 莫瓦桑(Henri, Moissan, 18521907, 法国人),从事氟元素的研究,制成纯氟并发明高温电气弧光炉。1907年 E. 毕希纳(Eduard Bucher, 18601917, 德国人),从事酶化学研究。1908年 E. 卢瑟福(Ernest Rutherford, 18711937, 英国人),提出放射性元素的蜕变理论。,1909年 W. 奥斯特瓦尔德(Wilhelm Ostwald,
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