声光移频器在相干系统Readppt课件.ppt
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1、第二章 各种类型的光控器件,第一节 电光控制器件第二节 声光控制器件第三节 磁光控制器件,第一节 电光控制器件,2.1.1 几种常用电光材料的线性电光效应,常用的线性电光效应较强的材料:LiNbO3(铌酸锂)、LiTaO3 、KDP(磷酸二氢钾) 、KTN(铌酸锂钾) 、BaTiO3等,一、铌酸锂晶体的线性电光效应,铌酸锂是一种人工生长的晶体,简写为LN;0.45m光谱范围内的透过率大于95%;光学均匀性好不潮解,属于三方晶系点群结构,特点,2.1.2 铌酸锂的线性电光效应,线性电光系数矩阵:,在外加电场E(E1,E2,E3)作用下,新的折射率椭球方程:,一、外加电场平行于z轴,即E1=E2=
2、0,由于此时没有交叉项出现,说明加电场后折射率椭球的主轴与原来的折射率椭球的主轴完全重合,折射率椭球仍为旋转椭球。,一、外加电场平行于z轴,一般ij的量级为10-10cm/V,而E的量级通常为104V/cm, ij E1,利用泰勒级数展开:,一、外加电场平行于z轴,由此可以得到新的主折射率为:,对于纵向调制,两个正交的线偏振光经调制器出射所产生的相位差为:,横向调制所产生的相位差为:,LiNbO3晶体沿z轴方向加电场后,只产生横向电光效应,而不产生纵向电光效应。,二、外加电场平行于y轴,当外加电场平行于y轴时, E1=E3=0,折射率椭球主轴将绕x轴转动了一个角度,并且由单轴晶体变成了双轴晶体
3、。,新的主折射率为:,折射率主轴x轴不转动;折射率椭球z轴长短不变,x和y方向的主值发生了变化;适用于纵向及横向的应用。,三、外加电场平行于x轴,当外加电场平行于x轴时, E2=E3=0,出现两个交叉项,说明在E1的作用下,晶体的折射率椭球主轴绕两个主轴发生了转动。,新的主折射率为:,与外加电场平行于y轴对晶体的作用基本相同,差别仅在于主轴旋转的程度不一样。,2.1.3 GaAs和InP的线性电光效应,线性电光系数矩阵:,在外加电场E(E1,E2,E3)作用下,新的折射率椭球方程:,当外加电场平行于x轴时, E2=E3=0,出现一个交叉项,说明在E1的作用下,晶体的折射率椭球绕x轴转动了一定角
4、度(450),得到新的折射率椭球方程:,2.1.3 GaAs和InP的线性电光效应,没有外加电场时,折射率椭球为一球体.,新的主折射率为:,可运用在横向和纵向调制,2.1.3 GaAs和InP的线性电光效应,2.1.4 电光调制器,电光调制的物理基础是电光效应,即某些晶体在外加电场作用下,其折射率发生与电场相关的变化。当光波通过时,其传输特性就在外加电场的作用下发生可控的变化。这种现象就是电光效应作用的结果。 在外加电场的作用下,可以人为的改变媒质(包括晶体和各向同性媒质)的光学性质。利用这些电光材料做成的电光器件可以实现对光束的振幅、相位、频率、偏振态和传播方向的调制,使电光效应在现代光电工
5、程系统得到广泛的应用。,一、电光体相位调制器,设起偏器的偏振通光方向平行于晶体的感应主轴x(或y),因此,入射晶体的线偏振光不再分解成沿x,y的两个分量,外电场不改变出射光的偏振状态,仅改变其相位:,一、电光体相位调制器,对于KDP晶体:,假设外加电场为:,晶体入射面光场为:,晶体出射面光场为:,相位调制系数,一、电光体相位调制器,二、电光体强度调制器,比相位调制器多了一个检偏器和1/4波片,如果外电场为零,偏振面不发生旋转,通不过检偏器,则输出光强为零;如果外加电压正好使偏振面转过900,完全从检偏器通过,则输出光强最大,这个电压称为半波电压。,起光偏置作用,使调制信号的工作点位于线性调制区
6、域。,1.结构,二、电光体强度调制器,在外加电场作用下,电光晶体尤如一块波片,相位延迟随外加电场的大小而变,随之引起偏振态的变化,从而使得检偏器出射光的振幅受到调制。,2. 调制原理,二、电光体强度调制器,晶体的感应主轴x,y与未加电场时单轴晶体的两主振动方向为x,y成450,且与起偏器P的透光轴成450角。,KD*P类晶体纵向运用:,强度分布为:,则通过检偏器的光强为:,相对光强为:,二、电光体强度调制器,透射的相对光强随外加电压变化关系曲线I/I0V(或),晶体的透射比曲线,工作点在透射比曲线的非线性部分时,输出光信号失真;工作点选在透射比曲线线性区( /2附近)时,得到不失真的基频信号.
7、,二、电光体强度调制器,加入1/4波片,引入固定的偏置相位差光偏置法,如何获得 /2的偏置相位差,由于引入了/2的偏置相位差,P和A之间的总相位差为: /2,?,且1/4波片位置可前可后。,如果交流调制信号电压为正弦信号:,输出相对光强为:,二、电光体强度调制器,可用于实现激光通信;可用于测定高电压及用作电光开关;用电光效应实现光束偏转的器件称为电光偏转器件。,三、电光波导调制器,具有较大体积尺寸的分离器件;几乎整个晶体材料都受到外加电场的作用,因此器件必须施加强大的电场,以改变整个晶体的光学特性,从而使之通过的光波受到调制。,电光体调制器,1. 电光波导调制器的概念,介质光波导是集成光学技术
8、的基本组成部件,它主要可分为平面波导和矩形波导(条形波导)两大类,波导层的厚度一般为微米量级。从外界输入信号对介质波导中传播的光波加以控制,就称之为光波导调制器。,光波导调制器,三、电光波导调制器,光波导调制器的优势:体积小,易于集成;所需的驱动功率比体调制器要减小12个量级。,相同点: 由介质构成的光波导调制器,其电光、声光等物理效应对光参数的控制过程,也是使介质的介电张量产生微小的变化(即折射率变化),从而使两传播模间有一相位差;不同点:外场的作用会导致波导中本征模传输特性的变化及两个不同模式之间的耦合转换,因此光波导调制器的基本特性可以用介质光波导的耦合模理论来描述。,光波导调制器与体调
9、制器比较,2. 电光波导调制器的调制原理,当波导上加上电场时,产生介质折射率的微小变化,从而引起波导中本征模传输特性的变化及两个不同模式之间的耦合转换。,模式间的耦合与介电张量的变化的关系:,(1) 如只含有对角线介电张量元素xx和yy 将会引起TE模之间或TM模之间的自耦合,只改变其各自的相位,从而产生相对的相位延迟,与电光体相位调制器一样。,(2) 介电张量变化含有非对角张量元素xy 将会引起TE模和TM模之间的互耦合,将导致模式间的功率转换。,3.对电光体调制器的要求及其参数选择,1)调制器应有足够宽的调制带宽,以满足高效率无畸变地传输信息;2)调制器消耗的电功率小;3)调制特性曲线的线
10、性范围大;4)工作稳定性好。,要求,参数选择,(1)电光晶体材料的选择,光学性能好,对调制光透明度要高,吸收和散射损耗小,并且晶体的折射率均匀,折射率变化n10-4cm;电光系数大消光比高(103以上),透过率要高8598,透过范围要宽(0.2m2 m)较好的物理化学性能,参数选择,3.对电光体调制器的要求及其参数选择,(2)降低调制器功率损耗的方法 采用n级晶体串联的方式,注意:串接晶体的块数不宜过多,以免造成透过率太低或电容太大,(3)调制电压的选择 为保证调制光发生畸变,限制高次谐波的幅值,(4)电光晶体尺寸的选择 电光晶体尺寸是指其长度和横截面的大小。增加长度有助于减小调制器的电容,使
11、频带展宽。但不能过长。,2.2.1 声光控制器件的类型,第二节 声光控制器件,用来调制光束强度的声光器,用来改变光束方向的声光器,选择光束波长的声光器件,引起光束频移的声光器件,2.2.1 声光控制器件的类型,一、用来调制光束强度的声光器,声光调制技术,声光调制是一种先进和实用的光调制技术,输入声光调制器的电信号可以载入通过器件的激光束,输出激光束的强度将随输入电信号的幅度变化而变化。,脉冲(开关)声光调制器,正弦波声光调制器,多信道声光调制器,分类,根据输入电信号的类型,响应速度高,比电光调制的适用面广。声光调制具有效率高和全电控的特点,可对激光共振腔进行腔内或腔外调制,优势,2.2.1 声
12、光控制器件的类型,二、用来改变光束方向的声光器件,声光偏转是一种先进的光偏转技术,既可以实现连续的光偏转,又可以实现随机的光偏转,无可动部件,是全电控的。,有两种方式:一种是连续地改变光束传播方向,相邻两个光点是部分重叠的,许多光点组成一条光扫描线;另一种是离散地、随机地改变光束传播方向。,改变声光偏转器的驱动电信号的频率,如果在改变声光偏转器驱动电信号频率的同时,对电信号施以幅度调制,则输出光在改变传播方向的同时,光束的强度也受到调制,称为声光偏转调制器,2.2.1 声光控制器件的类型,三、选择光束波长的声光器件,声光可调谐滤光器:利用声光器件可以从自发辐射的宽光谱入射光中,选择输出光的波长
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