半导体激光器ppt课件.pptx
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1、半导体激光器,目 录,CONTENTS,基本介绍及发展,基本原理及构成,分类、应用及发展前景,1,2,3,4,主要特性,基本介绍及发展,高能态电子束低能态电子束,高能态 低能态 同频同相的光发射,同频同相光 谐振腔内多次往返放大,激光,激光:通过一定的激励方式,实现非平衡载流子的粒子数反转,使得高能态电子束大于低能态电子束,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生激光。激光具有很好的方向性和单色性。用途十分广泛,高功率半导体激光器, 、1962年9月16日,通用电气公司的罗伯特霍尔 (Robert Hall)带领的研究小组展示了砷化镓(GaAs)半导体的红外发射, 首个半导体激光器的
2、诞生。、70年代,美国贝尔实验室研制出异质结半导体激光器,通过对光场和载流限制,从而研制出可在室温下连续运转且寿命较长的激光器。、80年代,随着技术提升,出现了量子陷和超晶格等新型半导体激光器结构; 1983年,波长800nm的单个输出功率已超过100mW,到了1989年,0.1mm条宽的则达到3.7W的连续输出,转换效率达39%。、90年代在泵浦固体激光器技术推动下,高功率半导体激光器出现突破进展。1992年,美国人又把指标提高到一个新水平:1cm线阵连续波输出功率达121W,转换效率为45%。,基本原理构成,半导体激光器是指以半导体材料为工作物质的半导体激光器,由于物质结构上的差异,不同种
3、类产生激光器不同。常用工作物质有砷化(GaAs)、硫化镉(CdS)等。工作原理:通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或能带与杂质能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。激励方式主要有:电注入式、光泵浦、电激励。而将十几个或几十个单管激光器芯片集成封装、形成激光器靶条,将多个靶条耦合就可实现高功率半导体激光器。,半导体激光器工作原理图,半导体激光器,半导体激光器基本结构主要包括:1)光隔离器:其作用是防止LD输出的激光反射,实现光的单向传输。位于LD的输出光路上;2)监视光电二极管(PD):其作用是监视LD的输
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