PCM测试培训全课件.ppt
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1、PCM 测试培训,PCM 测试培训,概 述,PCM 测试的作用测参数参数有什么作用?建立器件模型制定出片标准监控工艺质量寻找低良原因,概 述PCM 测试的作用,PCM 设备类型CMOS/BICMOS/E2等低压器件测试设备:4070/4062/450/425;DMOS测试设备:FET3600(兼顾CP测试和中测打点的功能)二极管测试设备:APD01,概 述,PCM 设备类型概 述,三 PCM 测试系统结构,控制终端,测 试 仪TESTER,探针台PROBER,网线,概 述,开关矩阵和针卡,电容仪万用表脉冲发射器,三 PCM 测试系统结构 测探针台PROBER网线,PCM程序描述,4070:语言
2、BASIC程序结构:子程序 主程序 PRINT文件 LIMIT文件 坐标文件,TESTSUBS.6,PCM程序描述4070:TESTSUBS.6TESTS.6p,450程序描述:语言:C子程序 主程序 标准测试模块 LIMIT FILE 坐标文件,产品测试程序:CODE名,pgm,klf,plans,.wdu,PLANS,NMOS/PMOS,klf,.wdu,PGM,cpf/wpf,450程序描述:产品测试程序:CODE名pgmklfplan,开发PCM程序需要与PCM确认什么信息?,测试需要的硬件配(电容仪/脉冲发生仪等)针卡信息针卡上的针间距是否可以与开发产品WAFER上的PAD间距一致;
3、针卡上的针的个数与排列是否与开发产品WAFER上的PAD个数与排列一致测试电压电流要求PCM测试机台是否可以满足4070/4062: 见后页450/425: 200ma/200vFET3600:5A/2000V,开发PCM程序需要与PCM确认什么信息?测试需要的硬件配(,4070,4070,PCM测试培训全课件,450,450,PCM测试程序开发,开发PCM程序需要提供什么资料?测试模块坐标测试电学条件参数规范,PCM测试程序开发开发PCM程序需要提供什么资料?,PCM程序开发需要填写的表单?E状态产品的更改路径:Fas920aFab1文件库特别共享PI电性测量课TD程序调试申请报表M/N/P
4、/ER状态的更改使用路径,工作流路径:,什么时候需要写申请:单个产品更改的时候,子程序优化走PCM人员走-PCCB,PCM程序开发需要填写的表单? 什么时候需要写申请:单个,程序开发完后PCM人员做什么?E状态产品:,M/N/P/ER状态产品:EIP系统里会有附件附上.,程序开发完后PCM人员做什么?M/N/P/ER状态产品:,PCM异常处理流程,PCM异常处理流程,PCM测试问题分析流程,测试问题反馈测试问题思考方向:针卡/机台/操作习惯/程序,PCM测试问题分析流程测试问题反馈,经典案例分析,450 IOFF-弥补设备硬件差异MGLV P+ 测试问题-解决工艺缺陷VTFOX测试问题-TES
5、TKEY设计问题导致PCM问题FAIRCHART 扎偏移-找目标对测试的影响,经典案例分析450 IOFF-弥补设备硬件差异,450 IOFF,产品反映IOFF 450/4070测试值有台阶,导致工艺SPC不达标准,450 IOFF产品反映IOFF 450/4070测试值有台,450 IOFF,为什么会有漏电类参数,450测试结果比4070漏电小的呢?,450 IOFF为什么会有漏电类参数,450测试结果比407,450 IOFF,检查程序寻找差异,450漏电更小的原因是使用了皮安表,450 IOFF检查程序寻找差异,450漏电更小的原因是使用,450 IOFF,优化程序解决问题,450 IO
6、FF优化程序解决问题,LVMG产品一直以来都存在P+测试不出的问题,现在以在北京生产的ICET316/314尤为突出分析认为是PCM TEST设计结构不合理导致PCM测试有问题,MGLV P+ 测试问题,LVMG产品一直以来都存在P+测试不出的问题,现在以在北京生,PCM测试培训全课件,MGLV P+ 测试问题-PCM P+ 测试结构,备注:红色:N+;兰色:P+;绿色:AL,AL,SIO2,N+,NSUB,探针,结论:因为设计规则的问题,导致当探针过重扎穿AL/SIO2(1100A)直接与N+连通,即发生漏电,电阻测量不出。当探针轻扎时,P+是可以测试出来的,与实验吻合,见附录一。,MGLV
7、 P+ 测试问题-PCM P+ 测试结构备注:红色:,MGLV P+ 测试问题PCM N+ 测试结构,备注:红色:N+;兰色:P+;绿色:AL,结论:因为设计规则的问题,导致当探针过重扎穿AL/SIO2(1100A)直接与N+连通,因为所接触的还是N+,不会漏电,这就是N+从没有出现测量不出的原因,AL,SIO2,N+,PWELL,NSUB,MGLV P+ 测试问题PCM N+ 测试结构备注:红色:N,MGLV P+ 测试问题,结论:因为模块设计问题,导致会有测试不出的问题发生,与PCM工艺无关,MGLV P+ 测试问题结论:因为模块设计问题,导致会有测试,经过单点扎针测试,发现当高度为310
8、时,测试结果为片子真实值(同一点).,附件一:PCM探针高度实验,经过单点扎针测试,发现当高度为310时,测试结果为片子真实值,同一片在310高度测试的结果,05.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 710.5 0 0 UUU.U 500 90005.dat_4:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 53.8 -33.17 26.05 105.9 581 53.8 .U.O 0 25025.dat_4:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90025.dat_4:PPLUS CONT RES O
9、HMS/CNT -506.3 -192.2 130.3 2.3E+04 443.7 130.3 UU.Oo 0 25012.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 814 0 0 0 0 U.UUU 500 90012.dat_5:PPLUS CONT RES OHMS/CNT 2.4E+04 100.5 4.2E+04 2E+21 2E+21 4.2E+04 O.OOO 0 250,发现有的点能测试出,而有些点测不出. 加深为311,则测试结果如下:,15.dat_5: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 739.4 0 734.8 0 0 0 .U.UU
10、 500 90015.dat_4: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 721.1 713.5 0 744 713.5 U.U. 500 90017.dat_4: PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 715.1 745.5 721.1 696.8 742.4 721.1 . 500 900,认为针的高度对测试结果有很重要的结果,但很难保证测试高度合适,17.dat_6:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 0 0 0 0 0 UUUUU 500 90021.dat_5:PPLUS SHEET RES OHMS/SQ 0 710.5 0 0 748.5
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