GIS组合电器技术解析课件.ppt
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1、SF6气体绝缘全封闭组合电器(GIS)技术,SF6气体绝缘全封闭组合电器(GIS)技术,第一章 概述,气体绝缘全封闭组合电器(GIS),英文全称Gas Insulater Switchgear。GIS设备由断路器、母线、隔离开关、电流互感器、电压互感器、避雷器、套管等七种电器元件组合而成。以SF6气体作为绝缘介质,电场结构采用同轴圆柱体间隙的稍不均匀电场。常规变电站电气设备采用空气绝缘、电场结构为棒-板组成的极不均匀电场,第一章 概述气体绝缘全封闭组合电器(GIS),英文全称,GIS设备的所有带电部分被金属外壳所包围,其材料为铝合金、不锈钢或无磁铸钢。并采用铜母线接地,内部充有一定压力的SF6
2、气体。,GIS设备的所有带电部分被金属外壳所包围,其材料为铝合金、不,GIS组合电器技术解析课件,GIS设备的特点,与常规设备比,GIS设备占地面积少,GIS设备的特点与常规设备比,GIS设备占地面积少,GIS设备的特点,GIS设备不受环境影响运行安全可靠、维护工作量少、检修周期长 由于SF6气体绝缘性能、灭弧性能均优于空气,断路器开断能力高,触头烧伤轻微,故维修周期长、故障率低。施工工期短GIS设备没有无线电干扰和噪声干扰,GIS设备的特点GIS设备不受环境影响,第二章 SF6气体的性质,第一节 SF6气体的基本性质 SF6气体是世界上目前最优良的绝缘介质和灭弧介质。它无色、无味、无嗅、无毒
3、、不燃烧;在常温常压下,化学性能稳定;与传统绝缘油相比,其绝缘性能和灭弧性能都要好得多。,第二章 SF6气体的性质第一节 SF6气体的基本性质,SF6分子量较大,为146,是氮气的5.2倍;在温度为20,气压为101.325kPa下密度为6.16kg/m3,空气的5.1倍。SF6气体在常温甚至较高温度下,一般不会发生化学反应,电气设备的最高允许温度在150时,SF6气态稳定。SF6气体本身的分解温度为500;在铜和铝中,温度达到200以上,才开始慢慢发生化学反应。但与其他金属不发生剧烈化学反应。,SF6分子量较大,为146,是氮气的5.2倍;在温度为20,SF6气体的热传导性较差,导热系数仅为
4、空气的2/3。气体的传热效应并不单纯靠传导作用,还有对流。对流传热的能力与分子比热有关,而SF6分子的比热是空气的3.4倍。导体在SF6气体的表面散热效果,是在空气中的2.5倍。SF6气体是负电性气体。,SF6气体的热传导性较差,导热系数仅为空气的2/3。气体的传,SF6气体在-40 T80,P0.8MPa范围内气态占优势,如果20时的充气压力为0.75MPa(相当于断路器中常用的工作气压),则对应的液化温度约为25,如果20时的充气压力为0.45MPa,则对应的液化温度为一40,可见一般不存在液化问题,在高寒地区,需考虑采取措施,如加热、采用SF6-N2混合气体。,SF6气体在-40 T80
5、,P0.8MPa范围内气,气体理想状态方程:P=RrT P为气体压力、R为气体常数、r为密度、T为温度当SF6气体的密度保持不变。气体的温度增加,其压力升高;当SF6气体的温度保持温度:密度上升,压力随着上升;密度下降,压力也下降;当气体的压力保持不变,温度上升,则气体的密度下降。,第二节 气体状态参数,气体理想状态方程:第二节 气体状态参数,第三节 SF6气体分解物的毒 性和其他性质,SF6气体本身是无毒的,但由于它比空气重,所以会沉积在低洼地区(如电缆沟),使人缺氧窒息;在高温小电流电弧作用下,SF6会分解一些低氟化合物,这些分解物又和电极材料、水分、氧气等进一步反应生成有毒性的其他化合物
6、。,第三节 SF6气体分解物的毒,影响SF6分解过程的主要因素电弧能量的影响;电极材料的影响;水分的影响氧气的影响设备中绝缘 材料的影响,影响SF6分解过程的主要因素,电弧作用下SF6分解物的性质 电气设备开断时产生电弧,在其作用下,SF6气体主要有下列分解物,其性质如下:四氟化硫(SF4)在常温下为无色气体。有类似氧化硫的刺激味;有毒性:SF4对肺有侵害作用,影响呼吸系统;其毒性与光气(二氯化碳基)相当。2. 氟化硫(S2F2)常温下无色有嗅味的气体;有毒性:为有毒的刺激性气体,对呼吸系统破坏作用较大。,电弧作用下SF6分解物的性质,3. 二氟化硫(SF2)化学性能极不稳定,受热后更加活泼,
7、易水解,生产S、SO和HF;有毒。4. 十氟化硫(S2F10)常温常压下为无色易挥发的液体,化学性能极其稳定;有毒:为剧毒物质,主要影响呼吸系统,3. 二氟化硫(SF2),5. 氟化亚硫酰(SOF2)无色气体,有刺激性,化学性能稳定,在高温下仍不活泼;有毒:可致肺水肿病,能使动物窒息而死。6. 二氟化硫酰( SO2F2 )无嗅无色气体,化学上极其稳定;有毒:能导致动物痉挛的有毒气体,5. 氟化亚硫酰(SOF2),7. 四氟化亚硫酰(SOF4)无色气体,有刺激性;有毒:对人的肺部有侵害作用。,7. 四氟化亚硫酰(SOF4),第四节 GIS设备中的水分,GIS设备中水分的来源GIS设备在制造、运输
8、、安装、检修过程中可能接触水分,将水分浸入到设备的各个元件里去;GIS设备的绝缘件带有0.1%0.5%ppmv的水分。在运行中,慢慢向外释放;GIS设备中的吸附剂本身就含有水分;SF6气体中含有水分,在新气一般都进行干燥处理,使其含水量在规程规定的范围内。,第四节 GIS设备中的水分GIS设备中水分的来源,水分对GIS设备的危害性水分引起设备化学腐蚀;水分对电气设备绝缘件的危害。GIS中水分的控制严格控制新气的含水量,使其满足国家标准;改善GIS设备密封材料的含水量,严格遵守安装密封环的工艺规程;,水分对GIS设备的危害性,3. 在GIS设备中放置吸附剂,并具备下列条件:吸附剂放置低温环境中,
9、提高其吸水能力吸附剂应有良好的戏份SF6分解物的能力吸附剂与SF6气体分解物反应时,不得产生二次有害物质吸附剂在工作时,不粉化、不潮解。,3. 在GIS设备中放置吸附剂,并具备下列条件:,4. GIS设备尽量使用室内式布置,可以控制室内的温度、湿度,减少产生水分的机会,避免灰尘和其他杂质侵入到设备里去。虽然GIS设备室要增加一些土建投资,但对减少故障,改善GIS设备的运行条件是大有好处的,其运行的经济效果远大于土建投资。,4. GIS设备尽量使用室内式布置,可以控制室内的温度、湿度,第五节 GIS设备中的吸附剂,吸附剂的性能 SF6气体中的水分、有毒气体都可以用吸附剂来吸收,在GIS气室里放置
10、适量的吸附剂,可以减少水分和毒气,从而保证运行人员的安全。吸附剂的材料 用作吸附剂的材料有活性炭、活性氧化铝、分子筛等。,第五节 GIS设备中的吸附剂吸附剂的性能,活性炭 能吸收的分解物SOF2、SO2、SF5OCF3,对SOF4 、SO2F2也有一定的吸附能力,吸附S2F10O的性能最强,对SO2F2的吸附效果差,对其总的评价是吸附能力最强,但选择性差。由于活性炭吸附SF6气体的能力也很强,所以不能用于GIS设备;2、活性氧化铝(Al2O3) 能吸收的分解物SOF2、 SO2F2 、 S2F10O 、SO2、SOF4等分解物,但对 S2F10O 、SO2等不能定量吸附,有较好的选择性。对 S
11、O2F2的吸附能力差。它不吸收SF6气体,所以是GIS设备较理想的吸附剂;,活性炭,第六节 SF6气体的绝缘特性,SF6气体高电气强度的原因F是卤族元素中负电性最强的,因此SF6分子具有很强的负电性,容易吸附电子成为负离子,阻碍放电的形成和发展;SF6分子的直径比氧、氮分子的要大,使得电子在SF6气体中的平均自由行程缩短,不易积累能量;而SF6的电离电位又比氧、氮分子的大,因而减少了电子碰撞电离的可能性;电子与SF6分子相遇时,还会因极化等过程增加能量损失,减弱其碰撞电离的能力。,第六节 SF6气体的绝缘特性SF6气体高电气强度的原因,在不同电场下气体击穿特性 在空气间隙中,由于电子碰撞产生的
12、自由电子越来越多,当大量的正负离子的密度大致相当时,则在间隙中形成等离子体,它具有良好的导电性能,待等离子充斥整个间隙后,间隙则完全丧失绝缘性能,成为良导体,这一现象成为击穿。间隙一旦击穿,外界的游离因素可以取消,而由本身产生游离维持能量,这一过程叫做自持放电。,在不同电场下气体击穿特性,OA段电流随电压升高而升高;AB段电流趋于稳定BC段出现碰撞电离C点出现自持放电。,OA段电流随电压升高而升高;,1. 均压电场下气体击穿特性 在均匀电场中,一旦电场间隙转入自持放电,间隙就被击穿。 在均匀电场中,空气的击穿场强约为30kV/cm。,1. 均压电场下气体击穿特性,2. 极不均匀电场下气体击穿特
13、性 在电场中一极是平板,另一极是棒电极,则形成棒-板电极,构成极不均匀电场。当电压加于棒-板电极时,棒电极附近的电场很强,距棒一定距离后,电场急剧下降。这时,棒电极及其周围的气体已到达自持放电,而在其周围发生电晕,称为电晕放电,此时的电压称为电晕起始电压;随着间隙电压升高,电晕不断发展,直到间隙被击穿。,2. 极不均匀电场下气体击穿特性,极性效应 棒-板电极的击穿电压与施加电压的极性有关。当棒电极为正时,电晕的起始电压较高,而击穿电压较低;棒电极为负时,电晕起始电压较低而击穿电压较高,因此负棒正板的击穿电压要比正棒负板的击穿电压高。,极性效应,GIS组合电器技术解析课件,3. 稍不均匀电场下气
14、体击穿特性在稍不均匀电场中,气体击穿前,也将在电场最大的电极上先产生电晕,但不能形成稳定的电晕放电。因为电场强度随距离的增加降低不多。故一旦发生电晕放电,很快会导致间隙击穿,电晕的起始电压就是击穿电压。稍不均匀电场也有极性效应,正极性击穿电压高于负极性。,3. 稍不均匀电场下气体击穿特性,稍不均匀电场的击穿场强介于均匀电场和不均匀电场之间,其值与电场的均匀程度有很大关系。因此在安装GIS设备时不能破坏电场的均匀性,如所有的均压罩都应装好,位置正确。均压罩稍有歪斜就会影响电场的均匀性,击穿电压就会降低许多。,稍不均匀电场的击穿场强介于均匀电场和不均匀电场之间,其值与电,SF6气体的击穿特性SF6
15、气体的击穿过程与空气相似,所不同的是SF6气体是卤族元素,具有较强的负电性,易吸收自由电子形成负离子。由于离子在SF6气体中的平均自由行程比电子短。因而获得的能量也小。另一方面它和分子碰撞时,又容易将原来积累起来的能量损失掉。因此离子要积累足够的能量的可能性也很小。故此离子的游离能力远不如电子。因此在气体放电中,负离子起阻碍放电形成的作用。,SF6气体的击穿特性,在均匀电场中,SF6气体在0.1MPa下的击穿场强约为88.5kV/cm,几乎是空气的三倍。在极不均匀电场中,SF6气体的击穿:工频击穿电压随气压的变化曲线存在“驼峰”现象;驼峰区段内的雷电击穿电压明显低于静态击穿电压。,在均匀电场中
16、,SF6气体在0.1MPa下的击穿场强约为88.,原因:与空间电荷的运动有关。由于空间电荷对棒极的屏蔽作用会使击穿电压提高,但在雷电冲击电压作用下,空间电荷来不及移动到有利位置,故其击穿电压低于静态击穿电压。又气压提高时,空间电荷扩散得慢,因此在气压超过0.10.2MPa时,屏蔽作用减弱,工频击穿电压也会下降。,原因:与空间电荷的运动有关。由于空间电荷对棒极的屏蔽作用会使,第七节 SF6气体击穿电压 的影响因素,电场均匀性对击穿电压的影响电子数量增加速度的影响 在极不均匀电场中,当电场强度不断增大时,SF6气体中的带电质点的增长速度较空气大得多,因此电晕起始电压提高不多。,第七节 SF6气体击
17、穿电压 的影响因,SF6气体的自屏蔽效应的影响 与空气相比,SF6气体分子的空间电荷热运动速度低,使得棒极周围的空间电荷密集,而不易向往扩散,未形成有效的均匀电荷层,因此其自屏蔽效应不如空气好。从而使得SF6气体的 击穿电压与起晕电压比较接近。SF6气体在不均匀电场中的击穿电压,要比均匀电场低得多,比空气击穿电压的降低速度还要大,甚至接近。,SF6气体的自屏蔽效应的影响,电极间隙对击穿电压的影响 在均匀电场中,空气和SF6气体的击穿电压都随间隙的增大而升高。不过SF6气体的击穿电压比空气要大3倍。在稍不均匀的电场中SF6气体的击穿电压和电极间的间隙呈明显饱和现象。在极不均匀电场中,SF6气体的
18、击穿电压随间隙距离的增大而出现饱和现象,其数值和空气接近。,电极间隙对击穿电压的影响,SF6气体击穿电压与电极间隙的关系,SF6气体击穿电压与电极间隙的关系,SF6气体压力对击穿电压的影响 提高SF6气体的压力,可以提高间隙的绝缘强度。因为压力升高后,减少了电子的平均自由行程,使得电子在二次碰撞之间所积累的动能减少,从而减少电离。因此气体的压力增加后,间隙中的击穿电压也随之升高,到压力增高到一定程度后,击穿电压出现饱和现象。,SF6气体压力对击穿电压的影响,曲线未达到饱和时,间隙距离一定,压力越高,击穿电压越高;击穿电压一定时,压力越大,间隙距离就可以越小。,曲线未达到饱和时,间隙距离一定,压
19、力越高,击穿电压越高;击穿,电极表面状态对SF6气体击穿电压的影响 在均匀电场和稍不均匀电场中,空气的击穿电压与电极表面的状态和材料关系不大。但在高气压下,电极表面粗糙、有杂质、尘埃等,都将使击穿电压降低。这是因为电极表面产生强场放射的缘故。电极表面粗糙度的影响 电极表面越粗糙,强场放射作用就越强,间隙击穿电压就越低。且正极性击穿电压比负极性降低幅度要大。,电极表面状态对SF6气体击穿电压的影响,面积效应的影响 定义:电极面积越大,出现降低击穿电压的概率就越多,其击穿电压就会降低。 电极表面越光滑,气压越高,其面积效应就越大。电极面积增大到一定程度后,面积效应就不再明显。,面积效应的影响,电极
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