GB_T 44000-2024 空间环境 材料空间环境效应地面模拟试验装置通用要求.docx
ICS49.020CCSV06G日中华人民共和国国家标准GB440(M>-2024空间环境材料空间环境效应地面模拟试验装置通用要求SpaceenvironmentGenera1.requirementsofgroundsimu1.ationtestfaci1.ityforspaceenvironmenta1.effectofmateria1.s2024-04-25»2024-04-25发布国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会前言III1范围12烷范性引用文件I3术语和定义I4一般要求14.1 眺室环境14.2 真空系统24.3 试脸控制系统24.4 试验测量系统24.5 安全34.6 其他35空间粒子辐射效应地面模拟试验装置要求35.1 空间粒子矩射效应地而模拟试验装置组成35.2 辎照源35.3 束液监测装Ja35.4 试样温控系统45.5 高压防护要求46空间紫外辐照效应地面模拟试验奘置要求46.1 空间紫外辐照效应地面模拟试蕤装置组成46.2 太阳近紫外辐照源46.3 太阳远紫外辎照源46.4 相照度监测46.5 紫外辐照防护47空间原子氧效应地而模拟试验装置要求57.1 空间原子制效应地面模拟试5金装置组成57.2 原子氧源57.3 原子辄束流监测57.4 原子氧辐照防护58空间充放电效应地面模拟试验装置要求58.1 空间充放电效应地面模拟试脸装置组成58.2 试验压力58.3 电子枪参数58.4 中拓能电子幅照源参数58.5 等离子体源参数68.6 摄像设备要求68.7 测量系统69材料真空出气性能测试地面模拟试5金装置要求79.1 材料真空出气性能测试地面模拟试验袋置组成79.2 溯试系统组成79.3 电子天平79.4 恒温恒海箱7IO空间碎片与微流星体撞击效应地面模拟试验装置要求710.1 空间碎片与微流星体捅击效应地面模拟试验装湿组成710.2 超高速发射系统710.3 测试系统810.4 安全防护8I1.热循环效应地面模拟试脸装置要求811.1 热循环装置811.2 加热与冷却模式811.3 冷却模式811.4 控温装置8本文件按照GB,T1.1-2020%标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则？的规定起草.请注意本文件的某些内容可能涉及专利。木文件的发布机构不承担识别专利的贡任。本文件由中国科学院提出。本文件由全国字肮技术及其应用标准化技术委员会(SRCZTC425)归口“本文件起侬单位：北京卫星环境工程研究所、深圳星地宇生科支有限公司、哈尔滨工业大学、中国科学院国家空间科学中心、湘潭大学、中国科学院.上海光学精密机械研究所、西安交通大学、北京东方计量测试研究所、上海瀚海检测技术股份行限公司'北京天工科仪空间技术有限公司、中国空间技术研究院-木文件主要起草人：沈自才、刘向赧赵旅、丁义刚、欧阳晓平、季启政、王世缸刘宇明、邱优锦帏建伟、”来、刘业楠、吴宜勇、崔公、张庆、杨铭、卜阿、路子成、吴军、王汉风、李昌龙、王月、刘薇、孙见£,I1.I空间环境材料空间环境效应地面模拟试验装通用要求1本文件规定了材料空间环境效应地面模拟装置的通用要求，包括试脸装置涉及的试验室环境、口空系统、试验控制系统、试验测W;系统、安全等般要求，以及开展不同的材料篁间环境效应地面模拟试验涉及的模拟海、试验监测系统、性能测试系统、安全与防妒等特殊要求.本文件适用于真空、带电粒子、空间紫外、空间原子氧、空间等离子体、空间碎片与微流星体等空间环境及产生的真空出气、热循环、粒子相射效应、紫外辎照、原子氧剥蚀、表面充放电、内部（深层）充放电、超高速撞击等效应的地面模拟装置的研制与应用.2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中,注日期的引用文件，仅该日期对应的版本动用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改学适用于本文件。GB.T324522015航天器空间环境术语GBrr345172017械大器用非金属材料真空出气评价方法GB.T324522015fHGB,T345172017界定的以及卜列术语和定义适用于本文件。3.1recoveryeffect材料在模拟环境试验条件下产生性能的退化,在停止模拟环境作用必需大气条件后,性能全部或部分回复的现纹.3.2JNmRMinsitumeasurement在直支条件下，对试样进行的测试。4Te要求4.1除非另有规定.试5金型环境要求如下：a）温度：15C'35C;b）相对湿度：20-80%;O压力：当地大气压力.4.2.1除非另有规定,真空室要求如F：a）空收压力应小FIO-'Pa:b）应能提供满足读验要求的测量和供电通道;C）应安装污染测量装四，如石英品体然量天平或光学试片等：d）连续空载运行21h后，其空室内的有机污染物沉积量不应超过1.oXK>'gc11?;e）真空室一般应有观察窗：0对有污染控制要求的戊空室，应配有热沉，热沉工作温度应低T-30C.真空抽气系统要求如下：a）真空抽气设备应采用无油系统：b）真空室应采用放气率低的材料，应采用无碳不饯钢，密封材料应采用金属-金属或金属-拨股,4.3 mamn试脸捽制系统要求如F：a）应对其空度遂行实时监控：b）应对模拟环境的关键参数进行实时监控，满足环境试验参数等效性:C）必要时应对试验件温度进行控制,满足试验要求的温J变越围.4.44.4.1 adttJKft温度测员系统要求如下：a）刻度测量传感器可使用热电偶或柏电阻:b）测量精度应高于H）.5匕。4.4.2压力测量范围：1.OX1.（HPaT.Ox1.O5Pa.4.4.3应具备对试样光学性俄、电学性能等具有回史效应的性能进行原位测试的能力。4.4.4污染测ht系统要求如下：a）应采用石英晶体微口天平等仪器时污染沉枳值进行监测：b）沉积污染溯量精度应高于1.OX10-8g（cm?HZ）,4.4.5对需要控制温度的试样,可利用浴油温控系统、恒温循M闻或也光加热系统等温控装置进行通度控制。GB"44000如244.5 ft试验安全要求如下：a）试验猾的水、电、气应符合相关安全要求：b）试验装置应接地良好：c）危险品应在安全区域内，保持试验室内通风状况良好：d）注意试验区的防火，广虬场的灭火器应在有效期内；e）应具有高电压防护袋置。4.6 其他其他要求如I'：a）试验仪器与设备功能应完好；b）试脸用仪器应经二级以上（含二级）计啦部门检定合格,并在有效期内使用：c）试验室内应采取有效措旗减少或消除各种污染物,特别是有机污染物：d）应使用符合污染控制要求的材料和器材。空间粒子辐射效对也面模拟试波装置一般由羯时源、束流监测装置、性能测试装置、直空系统、试样温控系统等部分组成。&2&21三w电子辐照源及要求如下：a）根据需求可选用电子枪或电子加速器,能Bt在100keV以卜推荐选用电子枪,能St在100keV以上宜选用电子加速器：b）电/能Gi般在IokeV0.5MeVJ1.Sm般在1X1伊011二0广卜10”刖入七C）试样被辐照面的束流不均匀性一般不超过±20%.束流不税定性一般每小时不超过±5%.&22质子«质子辐照源及要求如F：a）根据需求选用质子源!蜘子加速器,能处在100KV以卜.宜选用质子海，陇Ift在100keV以上宜选用质子加速器；b）旗手能做一般在IokeV-IMeV,通法一般在IXIOeCm3sJ'1.x1.O"cmsJ.质了纯度优于95%以上：c）试样被辐照面的束流不均匀性一般不超过±3第束流不稳定性一般每小时不超过±5%.5.3HGX09束流监测装置及要求如下：a）试验中应对带电粒子束流进行标定和监测:7空间原子会闻MMm试"KH求空间原子氧效应地面模拟试验装置由原子乳源、真空系统及相应的测量仪器等部分缎成.7.2 *7*三原子氧源要求如卜;a）应采用微波等离子体、激光解离或其他原子乳源：b）原子氧束流能量范困应在3eV-10eV;c）原子氧束流通R应满足10'"cm-1s-,'10,6c11r2s-'d）原子乳照射面枳内束流密度不均匀性应小于10%;e）原子乳的作用方式应使用定向束流式原子氧设备7.3 *T*三三M应采用KaP（OnH薄膜标准样或质谱仪监测原了氧I的束流密度。7.4 原子WJ1.R1»护原子氧乐照防护要求如下：a）时未用微波等离子体产生原子乳的设备，应具备微波辎射防护能力：b）时采用激光解离原了氧的设备，应具备激光与紫外辐射防护能力。空间充放电效应地面模拟试骗装设主要由电广枪或者电了加速器、电了放射源或等热广体源、出空系统及相应的测V系统组成。电子怆用于表面充放电，中岛能电子加速器、电子放射源用于内部（深层）充放电试验.&2试It压力试验压力要求如下：a）在使用电子枪或者电子加速器.电子放射源的环境卜,其空容器内工作压力应不高于IXIO-jPa;b）在使用低温等离子体源的环境下，出空容器内工作压力应不高于QO1.Pa&3电子检«电子枪参数要求如F：a）电干束流密度应满足0.1nAcmi'1.OOnAcn":b）电子能量应满足1keV-30keV;c）电子枪辐照面（大于试件）不均匀性应小于30%,&4中高碗子mK中高能电子辐照源参数要求如下:a）电f束流密度应为0.1pm2IOpAcm"t级：b）电子应为100keVnMeV的单能电子或者连续能谱电子；C）电子束幅照面（大于试件）不均匀性应小于30h,&5WKTMM等离子体源参数要求如下：a）等离子体密度应满足IO'Cm-»io?Cmeb）等您子体温度应小于5cV;C）等愍了体体积（大于试件）不均匀性应小于30%。&6摄像设备要求如H：a）掇像设备应具备在低照度的试验环境下（光照度低于061x）拍摄试脸现象的链力：b）摄像设缶的拍摄帧数应不低于25帧每秒（俏）：C）扭像设备应具有防强光保护功链，防止放电亮度过强烧毁图像传感器芯片：d）摄像记录时间应长于组件完成一次试验过程的时间.&767.1 电子超Bs瓶电了束流测值系统要求如下：a）在使用电子枪模拟时采用法拉第杆和微电流计测量电子束流：b）微电流计测盘盘程一般应满足2%10/'.4-2*1认；0一般应具有移动扫描设备。67.2 ImT体ftj糠等国子体参数测ht系统要求如下：a）在使用等离子体源模拟时，应采用朗线尔探针测量等离子体参数；b）等离子体密度测盘范围一般应满足10"Cm-，'KfcmJ,温度测量范用最大满足20eV;C）一般应具有移动扫描设备。8.7.3表面电位流JJ兼表面电位测Jft系统要求如下:a）在使用电子枪或中而能电子辑照时,我用非接触式测量方法测址表面电位：b）测量值Ia应湎足-20kV-+20kV:O测研精度优于5%;d）测后最小分辨能力优于IV;e）应具有移动扫描设备。&7.4ttWMM放电脓冲测量要求如下：a）可使用电流探头测盘放电电流脉冲，也可使用天线接收静电放电的电场信号:b）电流探头测量电流范用应满足0A-15A:
