30家国产电源管理芯片和功率半导体厂商调研分析报告.docx

目录电源管理芯片和功率半导体器件简介全球电源管理芯片(PMlC)市场规模及主要厂商国内电源管理芯片(PMlC)市场规模及主要厂商无线充电/快充细分市场及主要国内厂商全球功率半导体市场规模及主要厂商国内功率半导体市场规模及主要厂商宽禁带半导体市场及主要国内厂商30家国产电源管理芯片和功率半导体厂商基本信息30家国产电源管理芯片和功率半导体厂商综合实力对比30家国产功率器件和第三代半导体厂商调研分析报告一、电源管理芯片和功率半导体器件简介电源管理和功率(PoWER)器件是一切电子产品和设备的基础，从高压传输、交流-直流转换、DC-DC变换，到线性调压和稳压输出，都需要各种电源类分立器件、集成电路和模块的稳定工作。电源器件可以分为电源管理集成电路和分立的功率半导体器件，前者包括AC-DCDC-DC转换、LD0、电池管理IC、充电芯片和开关IC等；后者包括整流二极管、晶闸管、MoSFET和IGBT等。电源管理芯片是集成的电源管理器件，主要功能是稳压、升降压、恒流、交流-直流转换等，分为线性稳压器(LD0)、电荷泵(Charger-pump)芯片、DC-DC转换器、Ae-De转换器、LED驱动芯片等。其典型应用包括手机、笔记本电脑等消费电子的充电器、LED驱动器，以及电池供电设备的电量管理等。此外，工业自动化设备、智能电表等工业应用也是电源管理芯片的主要应用市场。在功率半导体器件中，工作在功率输出级的MOSFET器件通常作为标准器件搭配驱动电路使用，在消费电子和汽车电子领域的应用非常普及。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)非常适合直流电压在60OV及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等。整流二极管、稳压二极管、晶闸管等分立器件也广泛应用在5G、航空航天、电力电子、消费类电子、安防、工控、汽车电子、绿色照明、新能源等领域。此外，无线充电技术的发展和手机快充的市场需求也带动了无线充电收发器件和兼容各种快充协议的电源管理芯片市场的快速增长。而随着宽禁带半导体器件的工艺技术的成熟和制造成本的下降，以氮化钱(GaN)和碳化硅(SiC)为主的第三代半导体器件也开始进入主流市场，大有逐渐替代传统硅基半导体器件的趋势。二、全球电源管理芯片(PMlC)市场规模及主要厂商根据产业研究院的统计和预测,全球电源管理芯片市场规模从2015年的191亿美元增长到2018年的250亿美元。2019年仍保持着高速增长，其中以中国大陆为主的亚太地区是未来最大增长区域市场。预计到2026年全球市场规模将达到565亿美元，2018-2026期间年复合增长率(CAGR)为10.69%o随着电池供电设备和社会及市场对节能环保的要求越来越高，电子设备的电源管理趋于精细化和差异化，电源管理芯片已经成为提升整机性能和差异化竞争的关键。芯片正朝着高性能和微型化的方向不断发展，芯片内部的电路密度持续增大，而在电源供电过程中，芯片内部电路承受的电场强度随距离的减小而线性增加。以常规的5V电源电压为例，其电场强度足以将芯片击穿。因此，电子系统需要具备降压、稳压和抗干扰性能的电源管理芯片。无线通信、消费电子、IoT设备、5G和新能源电动车等热门应用都对电源管理和功率器件有强劲的需求，但也提出了更高的要求。电源管理器件和模块不但要做到更小尺寸和更高功率密度、符合EMI辐射和安全隔离标准规范，而且还要达到低静态电流、低噪声和高精度的性能。具体到产品类别，5G手机、5G基站、TWS无线耳机、无线/快充充电器、电池供电的IoT设备，以及电动车和充电桩等将是电源管理器件的主要驱动力。根据YoIe的统计，预计2018-2024年期间，移动通信和消费电子应用在全球电源管理芯片市场的占比将由51.4%降为48.8%,但仍是电源管理芯片的最大细分市场。此外，工业和计算机也是电源管理芯片的主要细分应用领域。201S2024尽管目前电源管理芯片最大的终端市场仍然是手机和消费类电子产品，但由于这类产品价格竞争激烈，芯片厂商的利润也比较低。而在汽车和工业电源IC市场应用领域，由于应用技术要求较高，产品毛利率高，国外厂商大多聚焦于门槛较高的汽车和工业电源领域。例如,ADl营收中超过一半来自汽车和工业领域。整体来看，未来电源管理芯片应用领域从低端消费电子市场向高端工业、汽车市场转型将成为行业发展的新趋势。目前，全球电源管理芯片市场主要被国际巨头公司垄断。从2018年市场占有率来看，TL高通、ADkMaXim和英飞凌五家厂商合计占71%。此外，NXP、MPS.安森美和DiOdeS等国际厂商也拥有极强的技术和市场实力。而国内电源管理芯片厂商则相对弱小而分散，整体实力仍比较薄弱。三、国内电源管理芯片市场及主要厂商根据赛迪顾问统计数据,2012-2018年，国内电源管理芯片市场规模从430.68亿元增长至681.53亿元,年复合增速达7.95%,行业整体保持着稳定增长的态势。在国内电源管理芯片市场上，TLMPS、PI等海外厂商合计占据了约80%的市场份额。其中消费电子市场竞争异常激烈，国产电源管理IC厂商正在这一市场迅速崛起。而海外厂商有逐步淡出消费类市场的趋势，转向汽车级、工业级、军品级和宇航级等局性能、局利润市场。TIMPS-PI矽力昂宝之子其他本土电源管理IC厂商中，圣邦股份、芯朋微、士兰微、矽力杰、上海贝岭/南京微盟、芯智汇等企业在国内市场占据领先优势，尤其是土兰微、圣邦股份和芯朋微，2018年其电源管理芯片销售额分别达6.63亿元、3.4亿元、3.12亿元。2018年本土电源管理芯片厂商市场份额如下：*M0.97%爰邦般份O4O%芯朗摄O47%富满电子0.29%上海贝岭0.23。士兰泰圣邦依份芯期米富满电子上海贝玲其他在新基建的七大板块中，5G、人工智能和大数据中心是实现“数字的产业化”，而新能源汽车、城际高速、特高压和工业物联网则是要实现“产业的数字化工无论传统工业还是新兴数字产业，都离不开电源和半导体等基础元素，而用于电源传输、转换和管理的功率半导体无疑将是最根本的新基建驱动力。新基建和“国产替代”趋势将为本土电源管理芯片厂商创造巨大的发展空间与机遇。四、无线充电/快充细分市场及主要国内厂商最近几年，由苹果、华为、三星和OPPo等全球主流智能终端厂商带动的快充和无线充电受到消费者的青睐。由于每部智能手机或笔记本电脑至少都会标配一个甚至多个电源适配器或充电器，庞大的终端应用有望显著提升电源管理芯片的市场需求。USBPD快充技术丰富的充电电压和电流配置使得各种电子设备都能通过一条USB线缆满足供电需求，不但可以为移动设备供电，甚至还能给笔记本、显示器直接供电，并且可以实现双向充电。鉴于USB接口在电子产品市场的高普及度，USBPD快充的应用前景十分广阔。此外，氮化钱(GaN)器件的应用也在推动快充技术的不断升级。GaN晶体管的开关性能要优于传统的硅基MOSFET,可以实现更高的开关频率，从而在保持合理开关损耗的同时提升功率密度和瞬态性能。由于具有更高的能量转化效率，GaN快充具有更低的功耗并减少发热，因此可以实现体积更小的充电器产品设计，有望成为快充升级的重要方向。在无线充电和快充充电器市场，已经有多家本土芯片厂商参与竞争，包括易冲无线、英集芯和中惠创智等。而在氮化钱快充充电器市场，珠海英诺赛科和苏州量微半导体等芯片厂商也开始量产出货。五、全球功率半导体市场规模及主要厂商功率IC、IGBT.MOSFET和功率二极管是四种使用最广泛的功率半导体产品。根据权威市调机构分析，在2017年全球功率半导体市场上，功率IC占54%,是市场份额最大的功率半导体产品。功率IC在半导体晶片上集成了晶体管、二极管、电阻器和电容器等组件，并具有所需的电路功能。根据应用不同，功率IC包括AC-DC转换、DC-DC转换、电源管理和驱动器IC等。IGBT占17%,由于IGBT的工作频率范围广，可以覆盖更高的功率范围，因此它广泛应用于铁路运输、光伏发电、汽车电子等领域；MOSFET占12%,主要用于不间断电源、开关电源、逆变器等领域;功率二极管占15%,主要用于电源、适配器、汽车和消费电子等领域。GlobalPowerSemiconductorMarketStructurebyTypePowerICG8TMOSFET-P0*9rDcdACXhftr根据IHS数据，2018年全球功率半导体市场规模约391亿美元，2019年全球功率半导体市场规模达到403亿美元。预计2021年市场规模将增长至441亿美元，2018-2021年的CAGR为4.1%。其中，中国市场占比约35%,市场规模达138亿美元，同比增长9.5%,是全球功率半导体最大的单一市场。2019全球年功率半导体市场的主要厂商及市场份额如下：140*120*10.0»ao%6l04.0200.0目前，全球功率半导体市场主要被英飞凌、TL安森美、ST等海外厂商垄断，我国本土厂商在多个细分市场的自给率较低，功率半导体的国产替代势在必行。六、国内功率半导体市场规模及主要厂商由于全球新冠疫情的影响，2020年全球功率半导体市场的增长趋势变得难以预测。可能的预期将是负增长-91%,市场规模将达到367亿美元。从2020到2021年将增长8.1%,达到396亿美元。45AQMCCCC15.OH39.1町亚39.66403530252015105036.0236.7HTt三2015201620172018201920202021三mMarketSso(BiiionUSS)"YoYGrowth2019年中国的功率半导体市场约144.8亿美元，占全球功率半导体市场的35.9%。2020年将出现负增长，下降到138亿美元。预期2021年恢复增长，增长率超过10%o182015201620172018201020202021Market See (BUon USS) YoY Growth14012.0*10X>*ao604(M2(MH-20-4.0*6.0M虽然中国市场规模占据全球功率半导体市场的1/3,但本土厂商占比却比较低。英飞凌、ST和瑞萨等国际大厂仍在国内市场占据主导地位。但我们也可以看到，像吉林华微、扬州扬杰和苏州固铸等传统功率半导体厂商在中低端MOSFET、二极管和晶闸管等市场已经表现出很强的竞争力。华润微、士兰微和比亚迪半导体在IGBT领域也逐渐赢得市场地位。下表列出了部分国产功率半导体厂商及其主要产品。ComPan尸Producttypes*3JihnSino-microPowerIC.IGBT1MOSFET,PowerDiode:YangzhouYanje-PowerIC,IGBT.MOSFET,PowerDiode-2SuzhouGood-AricjPowerIC.MOSFET.PoverDiodeWInQteGhTechnology-'PowerIC.IGBT1MOSFETWeEnSemiconductors,PowerDiode.PowerICjNcepower-IGBT,MOSFETjHangzhouLi-OnMicroelectronicsijMOSFET.PowerDiodeJIe)IeMicroelectronics-PowerIC.MOSFET,PowerDiodeStarpower-PowerIC,IGBT1MOSFET.PowerDiodej以MOSFET为代表的中低端功率半导体产品的技术和应用相对成熟，行业门槛不高，有利于本土厂商快速进入。随着海外大厂陆续退出中低端功率半导体市场而专攻汽车电子和新能源等领域的高利润产品，全球中低端功率半导体产业逐渐向台湾和大陆转移。凭借成本优势和更贴近本土市场的区位优势，本土功率半导体厂商有望率先在产业链中低端取得突破，持续提升市场份额。七、宽禁带半导体市场及主要国内厂商以氮化钱(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体材料的研究和应用已经有20多年的历史，但直到最近几年才开始凸显出其商业化的发展前景。5G通信的射频前端有着高频和高效率的严格要求，这正是氮化钱(GaN)的用武之地。另外，汽车电动化和便携式电子产品快速而高效的充电需求也将驱动氮化钱(GaN)功率器件走向大众市场，逐渐替代传统的硅功率器件。氮化钱(GaN)器件可分为分离器件和集成器件两大类，其中分离器件主要包括增强模式(E-Mode)GaN晶体管和耗尽模式(D-MOde)GaN晶体管,代表厂商包括松下、EPC、英飞凌、安森美、GaN系统和TranSPhOrm等。集成器件又分为系统级封装集成和系统级芯片集成，代表厂商包括TI>EPC>英飞凌、纳微(NaVitas)、PoWerIntegrationS(Pl)和dialog等。IntegrationGdiaIOgDiscrete(S) NavitasGaN器件的主要分类及代表厂商。根据Yole对GaN应用的细分市场预测，从2019年开始，GaN在电源应用领域开始快速增长，预计到2022年将超过2亿美元，其中移动设备快充充电器是其主要驱动力。SSOOM$400M Ochr au<hov wdcU R&D Server md <hc CtnUm UDAR e Wireless power :Envelop tracking UPS PV EV/HEV (tndud<nf chamr and DODC) b Power supplyGaN器件的主要应用市场增长及规模，其中非汽车的电源应用增长最快。虽然中国本土的第三代半导体研究和制造起步较晚，但一批氮化钱和碳化硅重大项目正在投入建设中，包括厦门三安集成涵盖GaAs>GaN.SiC芯片及外延的生产线；华润微电子的8英寸硅基氮化铁生产线；英诺赛科在苏州投产的8英寸硅基氮化钱生产线；杭州土兰微电子在度门的12英寸先进化合物半导体生产线。除了这些重资本投入的IDM或代工制造产线外，深圳基本半导体和成都氮矽科技等初创公司也开始加入市场，预期未来将有更多本土厂家在新兴的宽禁带半导体行业成立和增长。八、30家国产电源管理芯片和功率半导体厂商基本信息分析师团队从众多国产电源管理和功率器件厂商中挑选30家最有代表性的企业，按照如下分类分别挑选：电源管理芯片：15家无线充电/快充器件：5家功率半导体器件：5家宽禁带半导体：5家30家国产电源管理芯片和功率半导体厂商信息统计表：IatIUGiWCkgbdCTrUCH石尸"F在这30家厂商中，有12家是上市公司，两家是成立不到5年的初创公司。从公司总部所在地分布来看，深圳最多，有9家；上海有4家；北京、无锡和杭州各有3家；苏州和珠海各有2家；成都、广州、扬州和吉林各有1家。附：30家国产电源管理芯片和功率半导体厂商综合实力对比圣邦股份核心技术：低功耗模拟信号链和电源管理技术主要产品：16大系列1400余款型号的高性能模拟IC产品，包括运算放大器、比较器、音/视频放大器、模数/数模转换器、模拟开关、电平转换及接口芯片、小逻辑芯片、LD0、微处理器电源监控芯片、DC/DC转换器、背光及闪光LED驱动、OVP及负载开关、马达驱动、MOSFET驱动、电池保护及充放电管理芯片等。关键应用：通信设备、消费电子、工业控制、物联网智能设备、可穿戴设备主要客户：模拟器件通用型强，应用范围广泛，客户很多竞争优势：完整的模拟信号链和电源管理产品线矽力杰核心技术：30W隔离充电泵快充技术、MiniLED驱动器主要产品：电池管理芯片、DC-DC转换器、过流保护器件、LED驱动器、PMU关键应用：消费电子、工业应用、计算机、通信网络设备主要客户：智能电视厂商、计算机和平板电脑厂商竞争优势：超过1200项PMIC相关专利芯朋微核心技术：高压工业级电源管理技术主要产品：AC-DC转换器、DC-DC转换器、充电管理、AC-DC工业电源芯片关键应用：家用电器、标准电源、移动数码、工业驱动主要客户：美的、格力、创维、飞利浦、中兴通讯、华为竞争优势：高低压集成技术平台晶丰明源主要产品：LED照明驱动芯片、电机控制芯片组核心技术：智能照明驱动芯片技术关键应用：LED照明、电机驱动富满电子主要产品：电源管理、LED控制及驱动、MOSFET、MCU>非易失性存储器、RFID、射频前端核心技术：TyPe-CPD控制器、LED照明系统的温度控制关键应用：消费电子、汽车电子上海贝岭主要产品：智能计量SoC>电源管理、非挥发存储器、高速高精度ADC>工控半导体核心技术：下一代智能电表计量、5G通信用数据转换器技术关键应用：电表、手机、液晶电视及平板显示、机顶盒昂宝电子核心技术：亚微米CMOS>BipolarBicmos>BCD工艺技术的模拟及数字模拟混合IC主要产品：AC/DC电源管理芯片、照明和背光驱动芯片、MCU产品关键应用：通信、消费类电子、计算机及接口设备竞争优势：电脑和手机充电器的AC/DC电源管理芯片主导厂商，超过300项电源管理相关专利南芯半导体核心技术：buck-boost技术主要产品：升降压(buck-boost)电源芯片、充电管理芯片、电荷泵芯片、无线充电器件关键应用：手机充电器、消费电子、移动电源、车载充电器主要客户：华为、小米等手机厂商竞争优势：获得智能终端周边充电设备的主导地位杰华特我心技术：高能效电池管理系统主要产品：DC-DC转换器、电池管理系统、线性电源、LED照明驱动关键应用：消费电子、工业应用、通信和企业计算领域微源半导体核心技术：电源管理和电池充电主要产品：电池充电芯片、电池管理系统芯片、过压/过流保护芯片、升压/降压器件、LED驱动芯片关键应用：电池系统、显示系统、无线通讯系统和个人穿戴设备等深圳芯智汇核心技术：电量计量、功耗管理、音频编解码器等领域拥有独特领先技术主要产品：电源管理单元、电池管理单元、音频编解码器、接口单芯片关键应用：平板电脑、电视盒、行车记录仪、运动DV、无线存储设备、智能硬件、手持支付终端、电子书、微型投影仪等产品广州金升阳核心技术：系统集成封装(ChiPletSiP)平台技术、磁电隔离技术和产品的研究与应用主要产品：CAN/485隔离收发模块、AC/DC电源控制芯片、DC/DC电源控制芯片、接口芯片、启动芯片、数字隔离器、接触器节电控制芯片关键应用：工控、电力、轨交、汽车电子、物联网、5G、医疗竞争优势：500多项发明专利和自主研发技术，ChiPletSiP封装工艺，提供一站式电源解决方案环球半导体/无锡博通微核心技术：数字电源管理芯片主要产品：120-18OV兼容DCM-CCM-QR模式同步整流，85V工艺SSR芯片关键应用：5G智能终端，消费类通信，工业控制，TV电源及白色家电，马达-电机电源应用，网通产品，医疗设备电源主要客户：阿里，百度，小米，联想，京东，中兴，长虹，美菱，腾讯新兴项目：电机-马达电源管理，锂电池充电包管理竞争优势：第三代数字电源管理芯片创新者，一站式电源解决方案的芯片供应商芯洲科技核心技术：功率转换和功率控制主要产品：高压输入降压DCDC转换器、大功率升压DCDC转换器、大功率功率器件栅极驱动器、无线充电发射端PMIC关键应用：工业控制，工业电源，BMS,智能工具，机器人，白色家电，汽车电子，通讯基站，音频系统，无线充电功率发射主要客户：英维克，石头科技，禾迈，美的，TCL空调，格力晶弘，汇川，华阳，掌锐，国光，贝兰德，凌通新兴项目：车规级DC-DC转换器华润微电子核心技术：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务主要产品：MOSFET、IGBT功率1C、智能传感器、MCU等关键应用：功率器件聚焦三电应用：电池、电源、电机；智能传感器聚焦物联网和大健康领域主要客户：家电类有美的、海尔等大的整机厂商，在低速电动车电机控制器中占据了大多数的市场份额，还有一些小家电和手机充电器等厂商竞争优势：拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的半导体企业，公司产品设计自主、制造过程可控，在分立器件及集成电路领域均己具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线。中惠创智核心技术：磁共振无线供电技术，厨房电器无线供电技术方案主要产品：各种功率无线供电Ie及模块关键应用：手机无线充电、机器人无线供电、电动工具无线供电、电能车无线充电主要客户：国网智能、美的、新宝股份、牧原股份、亿嘉和竞争优势：厨房电器无线供电商用化第一家量微半导体核心技术：氮化钱功率器件，氮化钱IC,氮化钱基先进电源解决方案主要产品：氮化钱功率器件关键应用：USB-PD适配器，智能家居，PC/服务器电源，电动汽车OBC主要客户：比亚迪，美的，小米，福瑞康，航嘉，TCL,海能等竞争优势：最前沿的氮化线功率器件技术及解决方案美芯晟核心技术：高电压、大电流、高功率模拟电源管理和数字电路设计主要产品：无线充电接收端芯片、集成USB-PD协议的发射端芯片、LED驱动芯片关键应用：无线充电器、手机快充、TWS耳机充电仓等智能终端设备竞争优势：专注于高性能模拟电源、数字和软件为一体的高集成度电源管理芯片和系统开发易冲无线核心技术：即放即充，无需对准，全平面快充的无线充电技术主要产品：多模无线充电接收芯片EC4016和EC3016,多款无线充电发射端方案，无线充电系统优化工具和线圈设计工具关键应用：手机和平板电脑等电子设备的无线充电应用竞争优势：拥有无线充电核心美国专利超过30余项，在无线充电系统架构,电力电子技术，电磁兼容设计，电磁辐射防护以电磁安全领域有着多年的工程研发经验。与香港无线充电技术领导厂商ConVenientPoWer(CP)合作成立易冲无线集团公司(ConVenientPoWerSyStems,CPS)英集芯核心技术：电源管理、电池管理、无线信号处理和高性能音频信号处理等技术主要产品：电源管理、音频处理和电池管理(含移动电源SOC)关键应用：智能手机、平板、机顶盒、IPC、车载充电等领域芯茂微核心技术：合封高压同步整流主要产品：AC-DC转换器、高压同步整流器件、快充芯片关键应用：消费类电子、通信、计算机、机器人、无人机、电力电子、医疗电子等劲芯微核心技术：反向无线充方案CV8035D,支持最高20W接收+IOW发射。主要产品：无线充电发射和接收端芯片关键应用：专注于无线充电、穿戴式设备、健康医疗、移动终端等新兴领域比亚迪半导体核心技术：车规级IGBT和SiC器件的设计、制造和测试主要产品：功率半导体器件、IGBT功率模块、电源管理IC、CMOS图像传感器、传感及控制IC、音视频处理IC等关键应用：新能源汽车、工业控制主要客户：比亚迪竞争优势：国内唯一车规级IGBT器件供应商，半导体器件和电动车系统一体化优势扬杰科技核心技术：SiC/IGBT/MOSFET/Clip封装和晶圆设计等研发技术平台主要产品：分立器件芯片、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET,功率模块、碳化硅等关键应用：电源、家电、照明、安防、网通、消费电子、新能源、工控、汽本由孑笺每个新揄一竞争优势:垂直一体化（IDM）半导体厂商苏州固铝核心技术：专注于半导体整流器、功率二极管、整流桥和IC封装测试主要产品：桥式整流器、二极管、聚合物静电抑制器、MOSFET>汽车整流器等关键应用：电源管理模块、消费电子、汽车电子、工业设备、计算机设备、照明和通讯设备主要客户：HW、苹果、比亚迪、松下、伟创力、伟世通、海拉、欧姆龙竞争优势：完整的半导体分立器件产品线，MEMS-CMOS三位集成制造平台吉林华微核心技术：功率半导体器件的设计、终端设计和工艺控制技术主要产品：以IGBT、MOSFET>BJT（双极晶体管）为主的全控型功率器件；以ThyriStOr（晶体闸流管）为主的半控型功率器件；以肖特基二极管、FRD（快恢复二极管）为主的不可控型功率二极管器件；IPM（功率模块）；TVS（瞬态抑制二极管）、Zener（齐纳二极管）、TSS（半导体放电管）等半导体保护器件关键应用：新能源汽车、光伏、变频、工业控制、消费类电子等领域竞争优势：完整的功率半导体晶圆生产线英诺赛科核心技术：第三代半导体电力电子器件研发与生产主要产品：30V-650V氮化钱功率与5G射频器件关键应用：新能源汽车、5G通信、数据中心、无线充电和快充新兴项目；8英寸硅基氮化钱生产线竞争优势：建成中国首条8英寸硅基氮化线外延与芯片大规模量产生产线士兰微核心技术：高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快恢复二极管、MEMS传感器等工艺的研发，形成了比较完整的特色工艺制造平台；主要产品：电源与功率驱动产品线、MCU产品线、数字音视频产品线、射频与混合信号产品线、分立器件产品线等；关键应用：消费电子、工业控制、汽车电子、家电；主要客户：华为、海康、美的、格力、海信、海尔、三星、索尼、台达、达科、日本NEC等全球品牌客户；新兴项目：年产能&9亿只MEMS传感器扩产项目、特色功率模块及功率器件封装测试生产线项目；竞争优势：半导体和集成电路产品设计与制造一体(IDM)模式基本半导体核心技术：650V10kV碳化硅工艺技术主要产品：全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、120OV碳化硅MoSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品；150mm碳化硅外延片关键应用：新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等领域竞争优势：碳化硅功率器件的研发及产业化氮矽科技核心技术：国产量产级别650V增强型氮化钱MoSFET主要产品：分离式高速氮化线栅极驱动芯片(DXISE-A)、650V增强型氮化钱MOSFET、氮化钱功率IC(DX2SE65A150)关键应用：手机快充、数据中心、车载充电(OBC)、LED电源驱动和5G通信电源等领域。30家国产功率器件和第三代半导体厂商调研分析报告分析师团队从众多功率器件和第三代半导体厂商中精心挑选30家最具代表性的企业，按照基础功率器件、MOSFET.IGBT.SiC和GaN这五大类别进行分类，并对每家公司按照核心技术、关键产品、主要应用和竞争力等评估标准逐一详述。分析师团队从众多国产功率器件和第三代半导体厂商中挑选30家最有代表性的企业，按照如下类别进行分类：基础半导体器件：双极晶体管、二极管、晶闸管、整流管、TVS、ESD保护器代表厂商：安世半导体、时代电气、扬杰、固得、华微、瑞能半导体硅基功率器件(MOSFET/IGBT)MOSFET：华润微、土兰微、扬杰、固铝、华微、新洁能、安世半导体、东微半导体、芯导科技、芯派科技、捷捷微电IGBT：士兰微、比亚迪半导体、斯达半导体、时代电气、华大半导体第三代半导体(SiC/GaN)SiC:基本半导体、瑞能半导体、瞻芯电子、派恩杰、芯聚能、泰科天润、瀚薪科技、臻驱科技GaN:英诺赛科、氮矽科技、量微、钱未来、赛微电子、能华微、芯冠科技IDM还是Fabless?自从台积电(TSMC)于上世纪90年代开创晶圆代工(FoUndry)以来，全球半导体产业链分工越来越专业细化，使得IC设计公司(FableSS)成为整个半导体产业份量最大的板块，也造就了高通、英伟达和联发科这样的国际芯片巨头。传统的垂直整合模式(IDM)日渐暴露出其经济规模劣势，再加上晶圆制造先进工艺的资本投入越来越大，迫使半导体巨头“减肥瘦身”，以应对半导体行业的激烈竞争和应用市场的快速变化。采用先进晶圆工艺的微处理器芯片最能说明这一变化趋势。英特尔是IDM模式典型，从半导体材料和机构研究、制造工艺技术开发、IC设计、晶圆制造直到封装测试，都是自研、自产和自销。过去10年来，英特尔在先进工艺的竞赛中逐渐被台积电和三星赶超。虽然英特尔高层决策失误和自我封闭是导致目前结局的一个重要因素,但IDM模式自身的缺陷也暴露无遗。现任CEoPatGelSinger上任一年来改革动作频繁，最为明显的是推出英特尔代工服务（IFS）。这一融合IDM和代工的混合模式能否成功，还需要时间来验证。对于CPU、GPU、Al芯片，甚至MCU和电源管理芯片，FabIeSS无疑是IC设计公司的最优化模式选择。但是，对于技术变化没那么快且设计和使用周期很长的功率器件，IDM和FableSS哪个更好呢？对于有着几十年历史的二极管、双极管和MoSFET,压根就没有FableSS模式的存在。无论国际半导体巨头（像英飞凌、ST、TI）,还是国内半导体厂商（像固得、扬杰和华微），在传统功率半导体分立器件方面都是采用IDM模式。而渐成主流的IGBT以及新兴的第三代半导体（碳化硅和氮化钱），IDM还是Fabless的选择就成了一个让人纠结的问题。下表列出了8家典型国产IGBT厂商的运营模式，正好4家采用IDM,4家采用Fablesso中车时代电气和比亚迪半导体因为主要是为母公司的整机服务，采用IDM模式可以发挥其一体化垂直整合优势，从功率器件设计、制造到集成到模组/板卡/系统的应用方案都可以高效协调，实现最优化效果。华润微是整合传统功率器件制造工厂的集团公司，又为业界提供晶圆代工服务，采用的是IDM+Foundry模式。2020年IGBTW劣体量（亿元）式下“中全力长,66K)M凯攵为主.土国括¥电友电和电算961».电43（20%）、SK*（4%）.IHt触液电（3%）比Mit半导体7IDM电动车为主.还包IS工左等19JJS为主.还网恬充电r阴解多发争?67OM费修*电.1区为主.已5RI光伏和电动T华烈I1KM工控为主新活蜿21年开殆“*XSW发25科技开始悠Ftbitm光伏.工检寻士兰微是国产半导体厂商中从Fabless转型到IDM模式的典型代表，从其过去3年的财报数据可以看出，这种转型需要付出不小的代价（最为明显的是利润相对FableSS公司明显偏低）。随着产线的就绪和制造运营能力的提升，IDM模式的优势逐渐显现出来。2021年半导体产能和芯片短缺进一步证明了其转型决策的正确。对于FabIeSS阵营，斯达半导体是IGBT的成功典型。根据Omdia的统计报告，该公司在2020年全球IGBT模块市场排名第6,是唯一进入全球前十的中国企业。IGBT模块的产品生产环节主要分为芯片和模块设计、芯片外协制造、模块生产三个阶段，该公司的IGBT芯片及配套的FRD芯片部分来自外购，部分来自自主研发设计并委托晶圆代工厂生产。该公司具备独立的模块自动化封装和测试产线，具有IGBT芯片设计能力，但自身不涉及晶圆制造业务，是典型的Fabless模式。SiC和GaN只能采用IDM模式才能成功吗？去年3月初,斯达半导体宣布募资20亿元投资高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目。预计将形成年产6万片6英寸SiC芯片生产能力，同时还建设有年产8万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。这标志着斯达从开始Fabless走向IDM模式，难道SiC和GaN这类第三代半导体必须走IDM模式才能成功吗？在分析师团队采集汇编的国产第三代半导体厂商中，拥有碳化硅外延片或器件制造能力的厂商包括基本半导体、芯聚能和泰科天润等，而像安世半导体和瑞能半导体这类从外资转变为中国企业的厂商还不算在内。在氮化钱方面，英诺赛科、赛微电子和能华微也都是重金投资产线，提供从芯片和模块设计、制造到封装测试，甚至应用方案的一条龙服务。为什么国产厂商都热衷IDM模式呢?笔者分析，原因有三：1.虽然SiC和GaN材料和器件的研究已经有多年历史，但真正开始商业化和产业化还是最近几年的事。国家“双碳”目标和新能源车的大环境为第三代半导体创造了巨大的商业发展机会，投资机构和厂商对其发展前景都是比较乐观的。2.SiC和GaN制造的难点在于衬底和外延片，像Wolfspeed和三安光电这类上游供应商其实更有主导权。英飞凌和ST德国国际器件厂商也在往上游材料领域扩展，以把握主动。SiC和GaN器件的性能和市场竞争力关键在于制造环节,新进入市场的国产厂商必须掌握这一关键环节才能确保未来的市场地位。3.第三代半导体器件的制造一般采用成熟的工艺，晶圆制造设备投资相比先进工艺的数字芯片并不大。此外，目前中国半导体投资热已经不是纯粹的商业和市场行为，而是关系到国家战略和未来发展的重要产业，因此动辄数亿元的融资并不是难事。从技术和商业逻辑来分析，国产第三代半导体厂商采用IDM模式是正确的选择。但是，太多厂商在短时间内进入这一新兴市场，未来3-5年是否会引起产能过剩和市场竞争过于激烈，而导致国产厂商自相残杀，让新兴的国产第三代半导体产业成为红海呢？在国产SiC和GaN初创企业中，也有采用FableSS模式的，比如瞻芯电子、派恩杰、瀚薪科技和臻驱科技等碳化硅器件厂商都有芯片或模块进入量产。GaN方面也有不少Fabless公司的产品已经进入快充市场。这些Fabless公司也许在融资和制造环节没有优势，但他们将有限的资源放在市场开拓和客户支持上，同样可以获得市场认可，实现量产出货。总之，对于IGBT、SiC和GaN这类市场需求巨大的功率器件，供应商无论采用IDM还是FableSS模式，都有可能成功，也有可能失败，具体还要看每家公司的技术能力和运营水平。至少目前来看，大家都在同一起跑线上，重装上阵的IDM可以赢得市场，轻装上阵的Fabless同样可以获得客户青睐。30家国产功率器件和第三代半导体厂商信息统计表：公司算称中文幺忤英文林公司母部三KCfO±9le,S>产品类别笛注IlW由W电子<1本公AJCNruResourcesMcroecronicsUnAedJtIeMOSHT/1GeY的KMOS；EI».»*BYD*SU4受市一与<«*公BBSefniconduClOfCa.M*GTMCV-三B1史州士一15电子发怦S窜公司HargrhouSianMcroetectrono»*除何乐KOSHTzIGeTzXMS上殳丽tSJ:叱电Pfi如1母公EZhuzhouCRRCTkrsEtoctrtc冲cje玄世IrV体-Et公司«5*#»20D)棺公司<iX,O-Wr-ritVG6T0KKUMOSnT,微.M,3aca公B闻呷懵子公af的怎lM恪产用子人段龄中15尊公司YCcuEtectrocXT9chn009yY，一9GXi8TMOS