电工学第8章直流稳压电源.ppt

1,第 8 章 直流稳压电源,8.3 直流稳压电源的组成,8.5 滤波电路,8.6 稳压电路,8.4 整流电路,8.1 半导体的基础知识,8.2 半导体二极管,下一章,上一章,返回主页,大连理工大学电气工程系,2,8.1 半导体的基础知识,导体、半导体、绝缘体。,物质按导电能力划分：,半导体的导电性能：,价电子参与导电、掺杂增强导电能力、热敏特性、光敏特性。,一、本征半导体 1.什么是本征半导体 是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。,大连理工大学电气工程系,3,2.本征半导体的导电特性,在绝对零度时，不导电。温度（或光照）价电子获得能量：本征激发产生自由电子和空穴对。自由电子和空穴均参与导电，统称为载流子。温度 载流子的浓度 导电能力。自由电子释放能量跳回共价键 复合。本征半导体载流子浓度较低，导电能力较弱。,大连理工大学电气工程系,4,二、杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。,(1)掺入五价的杂质元素 自由电子的浓度 空穴的浓度。自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。称这种杂质半导体为 N 型半导体。(2)掺入三价的杂质元素 自由电子的浓度 空穴的浓度。空穴为多数载流子。自由电子为少数载流子。称这种杂质半导体为 P 型半导体。,大连理工大学电气工程系,5,杂质半导体的示意表示法,P 型半导体,N 型半导体,大连理工大学电气工程系,6,三、PN 结,1.PN 结的形成,扩散运动,扩散运动：多数载流子由于浓度的差别而形成的运动。,大连理工大学电气工程系,7,内电场,PN 结,多数载流子的扩散运动继续进行，使 PN 结加 宽，内电场增强。内电场越强，多数载流子的运动越难以进行。内电场越强，少数载流子的运动越易于进行。,大连理工大学电气工程系,8,漂移运动：少数载流子在内电场作用下的运动。漂移运动使 PN 结变薄，内电场削弱。内电场削弱，又有利于多数载流子的扩散运动，而不利于少数载流子的漂移运动。,漂移运动,大连理工大学电气工程系,9,多数载流子的扩散运动与少数载流子的漂移运 动达到动态平衡 平衡的 PN 结。,内电场,大连理工大学电气工程系,10,2.PN 结的特性,(1)正向偏置(2)反向偏置,正向导通,反向截止,I0,主要特性：单向导电性。,大连理工大学电气工程系,11,8.2 半导体二极管,一、普通二极管,(1)按结构分类 点接触型、面接触型。(2)按材料分类 硅管、锗管。(3)按用途不同分类 普通管、整流管、开关管等。,1.基本结构,大连理工大学电气工程系,12,二、伏安特性,反向 特性,正向 特性,死区,死区电压 Uth：硅管 0.5 V 锗管 0.1 V,导通压降 UD：硅管 0.6 0.7V 锗管 0.2 0.3V,(1)实际特性,锗管 硅管,大连理工大学电气工程系,13,UD,(2)近似特性,(3)理想特性,3.主要参数(1)额定正向平均电流（最大整流电流）IF(2)正向压降 UF(3)最高反向工作电压 UR 一般规定为反向击穿电压的 1/2 或 1/3。(4)最大反向电流 IRm,大连理工大学电气工程系,14,*二、光电二极管（光敏二极管）,作用：将光信号转化为电信号。反向电流随光照强度的增加而上升。,光电二极管电路,发光二极管电路,*三、发光二极管,作用：将电信号转化为光信号。发光的颜色取决于制造材料。,大连理工大学电气工程系,15,*四、光电耦合器（光电隔离器）,作用：电气隔离；抗干扰；系统保护。,大连理工大学电气工程系,16,8.3 直流稳压电源的组成,大小不合适的交流,大小合适的交流,脉动直流,不稳定的直流,稳定直流,大连理工大学电气工程系,17,电源变压器,将市电变换为整流所需的 交流电压,整流电路,将交流电变换为方向不变 的直流电,滤波电路,将脉动直流电变换为平滑 的直流电压,稳压电路,将不稳定的直流电压变换 为稳定直流电压,大连理工大学电气工程系,18,8.4 整流电路,u2 正半周，D1 和 D3 导通，uO=u2；电流通路：a D1 RL D3 b。u2 负半周，D2 和 D4 导通，uO=u2；电流通路：b D2 RL D4 a。,大连理工大学电气工程系,19,uO,iO,大连理工大学电气工程系,20,1.负载直流电压,UO=0.9U2,2.负载直流电流,3.二极管平均电流,4.二极管反向电压,5.整流元件的选择,IFID,URURm,大连理工大学电气工程系,21,例8.4.1 一桥式整流电路，已知负载电阻 RL=240，负载所需直流电压=12 V，电源变压器一次电压 U1=220 V。试求该电路正常工作时的负载电流、二极管平均电流 ID 和变压器的电压比 k。,解 负载直流电流,二极管平均电流,变压器的二次电压,变压器的电压比,大连理工大学电气工程系,22,8.5 滤 波 电 路,一、电容滤波电路,电容放电,当二极管导通时，电容被充电储能。当二极管截止时，电容放电。滤波电容的选择：,大连理工大学电气工程系,23,输出电压的平均值:UO=1.2 U2（全波）空载输出直流电压:,滤波电容的耐压：,大连理工大学电气工程系,24,例8.5.1 一桥式整流、电容滤波电路，已知电源频率 f=50 Hz，负载电阻 RL=100，输 出直流电压 UO=30 V。试求：(1)选择整流二极管；(2)选择滤波电容器；(3)负载电阻 断路时的输出电压UO；(4)电容断路时的输出电压UO。,解(1)选择整流二极管,IO=,大连理工大学电气工程系,25,查附录，选用 2CZ53B 4 个（IF=300mA，UR=50V）。,(2)选择滤波电容器,C,=,=(300500)F,F,UCN,=35.4 V,(3)负载电阻断路时,(4)电容断路时,UO=0.9U2=0.925 V=22.5 V,IF2ID=20.15A=0.3 A，URURm=34.5 V,大连理工大学电气工程系,26,二、电感滤波电路,对直流分量:XL=0，大部分整 流电压降在 RL 上。对谐波分量:f 越高，XL 越大，电压大部分降在 XL 上。,大连理工大学电气工程系,27,三、复式滤波电路,1.LC 形滤波电路,2.RC 形滤波电路,大连理工大学电气工程系,28,一、稳压二极管 又称为齐纳二极管。为面结型硅二极管。,反向特性,正向特性,特点：反向击穿电压小；反向击穿特性陡。,击穿 电压,8.6 稳压电路,大连理工大学电气工程系,29,解(1)Ui10 V 时 DZ 反向击穿稳压：UO=UZ=5 V。(2)Ui=3 V 时DZ 反向截止：UO=Ui=3 V。(3)Ui=5 V 时DZ 正向导通：UO=0 V。(4)ui=10sin t V 时 当 0ui5 V 时，DZ 反向截止：UO=Ui=10sin t V。当 ui5 V 时，DZ 反向击穿稳压：,例8.6.1 如图所示电路，设 UZ=5 V，正向压降 忽略不计。当直流输入Ui=10 V、3 V、5 V 时，Uo=？当输入为交流 ui=10sin t V 时，分析 uO的波形。,UO=UZ=5 V。当 ui0 V 时，DZ 正向导通：UO=0 V。,大连理工大学电气工程系,30,二、稳压二极管稳压电路,稳压过程：,UO IZ I IR,UO,大连理工大学电气工程系,31,三、集成稳压电路,分为线性集成稳压电路和开关集成稳压电路。,1.三端固定式集成稳压器,CW7800 系列正电压稳压器。CW7900 系列负电压稳压器。,输出电压规格：5V,6V,8V,9V,12V,15V,大连理工大学电气工程系,32,CW7800 接线图,大连理工大学电气工程系,33,CW7900 接线图,大连理工大学电气工程系,34,同时输出正负两组电压的接线图,大连理工大学电气工程系,35,*3.三端可调式集成稳压器,类型：,CW117、CW217、CW317(正电压),CW137、CW237、CW337(负电压),输出电流等级：,0.1A,0.5A,1.5A,典型电路：,大连理工大学电气工程系,36,输出电压计算公式：,第 8 章 结 束,下一章,上一章,返回主页,