各种太阳能技术及其主要材料介绍.ppt

能源材料,太阳能利用涉及的技术问题很多，但根据太阳能的特点，具有共性的技术主要有四项，即太阳能采集、太阳能转换、太阳能贮存和太阳能传输，将这些技术与其它相关技术结合在一起，便能进行太阳能的实际利用-光热利用、光电利用和光化学利用。,一、太阳能的热应用,太阳能的热利用，是将太阳的辐射能转换为热能，实现这个目的的器件叫“集热器”。例如“太阳灶”；“太阳热水器”；“太阳能干燥器”等等。太阳能热利用是可再生能源技术领域商业化程度最高、推广应用最普遍的技术之一。1998年世界太阳能热水器的总保有量约5400万平方米。按照人均使用太阳能热水器面积，塞浦路斯和以色列居世界一、二位，分别为1平方米人和O7 平方米人。日本有2O的家庭使用太阳能热水器，以色列有80的家庭使用太阳能热水器。,太阳能的热利用主要是以下方面：1太阳能空调降温太阳能制冷及在空调降温研究工作重点是寻找高效吸收和蒸发材料，优化系统热特性，建立数学模型和计算机程序，研究新型制冷循环等。2太阳能热发电 太阳能热发电 是利用集热器将太阳辐射能 转换成热能并通过热力循环过程进行发电，是太阳能热利用的重要方面。,3太阳房 太阳房是直接利用太阳辐射能的重要方面。通过建筑设计把高效隔热材料、透光材料、储能材料等有机地集成在一起，使房屋尽可能多地吸收并保存太阳能，达到房屋采暖目的。太阳房可以节约7590的能耗，并具有良好的环境效益和经济效益，成为各国太阳能利用技术的重要方面。被动式太阳房平均每平方米建筑面积每年可节约2O4O公斤标准煤，用于蔬菜和花卉种植的太阳能温室在中国北方地区较多采用。全国太阳能温室面积总计约700万亩，发挥着较好的经济效益。我国在相关的透光隔热材料、带涂层的控光玻璃、节能窗等没有商业化，使太阳房的水平受到限制。,4热利用的其它方面 太阳灶 我国目前大约有15万台太阳灶在使用中。太阳灶表面可以加涂一层光谱选择性材料，如二氧化硅之类的透明涂料，以改变阳光的吸收与发射，最普通的反光镜为镀银或镀铝玻璃镜，也有铝抛光镜面和涤纶薄膜镀铝材料等。提高太阳灶的效率。每个太阳灶每年可节约300千克标准煤。太阳能干燥 是热利用的一个方面。目前我国已经安装了有1000多套太阳能干燥系统，总面积约2万平方米。主要用于谷物、木材、蔬菜、中草药于燥等。,二、太阳光-热转换及材料,材料科学与工程是技术创新的基础。太阳光热转换材料与工程，如用于太阳集热器的选择性吸收涂层（表面），用于建筑幕墙玻璃和交通工具的选择性透、反射薄膜材料和电致变色薄膜材料与器件，用于集热器的具有太阳光谱高透射比的硼硅玻璃，聚碳酸酯制成的蜂窝结构，以及贮能材料等，推动了太阳光热转换技术和应用的发展。,太阳辐射的能量谱主要分布在波长 03m至3m范围；人眼视觉灵敏谱的波长在0；41m至07m范围，对人眼敏感的波长，几乎是在太阳辐射最强的波长间隔内；一般物体温度的黑体辐射谱的波长在2m至100m范围，太阳光。热转换材料的光-热性能，即辐射特性如透射比、反射比、吸收比和发射比等反映在太阳光谱一物体热谱内。,1.太阳光谱选择性吸收涂层（表面）,具有高的太阳吸收比和低的发射比的涂层（表面），称为太阳（光谱）选择性吸收涂层。目前，它已有上百种涂层材料与工艺，而从机理上可以将其分为六类，实际的选择性吸收涂层往往包含其中二至三类。应用最广泛的选择性吸收涂层为三层结构，即由底层、中层和表层组成。贴近衬底的底层为红外高反射即低发射比的金属层，如金、银、铜、铝、镍或钥等；中层为吸收层，是由若干金属一介质复合薄膜的次层组成，金属粒子的尺寸、形状及其占该次层的体积比决定了该次层的光学常数，靠近金属底层的吸收次层具有强的吸收，表层为减反层，该层具有低的折射率n（n1.9及低的消光系数（k0.25），或是增加对太阳光的捕获的微不平表面层。这样的光谱选择性吸收涂层具有优异的光谱选择性，即高的太阳吸收比，低的发射。,太阳选择性吸收涂层的制备技术可以分为三大类：喷涂与溶胶，化学与电化学方法和真空蒸发与磁控溅射方法。对于产生生活热水的平板太阳集热器，采用喷涂太阳吸收比高、发射比略高的涂层便能满足使用要求；铝吸热板上可采用阳极氧化与交流电解着色涂层，铜吸热板以采用电镀黑铬涂层为宜。,对于全玻璃真空太阳集热管主流是采用磁控溅射技术，多层不锈钢将铜（澳大利亚专利）采用单靶磁控溅射制备氮铝（中国专利）涂层。真空蒸发或溅射技术制备用于平板太阳集热器的吸收涂层，另一方面应研制用于高温的太阳选择性吸收涂层，使其具有耐高温、很高太阳吸收比与极低发射比的优异性能。,2.选择性透、反射薄膜材料,选择性透、反射薄膜可以分为三种基本类型，主要应用于建筑幕墙镀膜玻璃、汽车等交通工具。,（1）阳光控制膜,阳光控制膜通过增加吸收与反射可显著降低太阳辐射通过玻璃窗，同时能保持室内的充足光线。这类膜系具有良好的耐磨性与化学稳定性，可用于单层玻璃窗，适合在气温较高的地区使用。氧化物薄膜的不同厚度可以获得蓝色、银色、古铜色和金色等绚丽色彩。不同厚度的金属膜可以获得不同的透射比与反射比。,（2）低发射膜,双层玻璃窗的热量损失由玻璃的高发射比（0.84）引起，具有发射比0.04一0.10的低发射膜的双层玻璃窗，其传热系数可由普通双层玻璃窗的2.6WmK降至1.4WmL可见光透射比可达0.80。典型的是SnO2AgSnO，或TiO2AgTi02。,3.电致变色薄膜与器件,由于太阳辐射、温度或电场的作用使薄膜的光学性能发生变化，分别称为光致变色、热致变色或电致变色在电场作用下，薄膜颜色发生改变称为电致变色。这种变化是可逆与持久的，当开路时薄膜具有记忆性，需要改变光学性能时只要施加一次直流低电压，因而能量消耗很低。从过渡金属氧化物中可能找到最有希望的电致变色材料。变色机理是在电变色薄膜材料中进入与退出小直径离子的可逆过程。电致变色膜主要集中在WO3与NiO。用于窗户，起到节能与获得舒适的生活环境。,4.透明隔热材料（TIM）,采用厚5cm的聚碳酸酯透明隔热材料（TIM）建成一幢太阳房和一幢对照房。夏季，百叶帘反射了约0.80太阳短波能量，室内低于对照房内气温约3。冬季，比同样条件对照房的温度约高5。我国在太阳光、热转换材料的研究、开发和生产上有较大进展，特别是用于真空太阳集热管的单靶磁控溅射太阳选择性吸收涂层已大批量生产，在国际上也享有盛誉。,三太阳能光电转换,太阳能的光电转换是指太阳的辐射能光子通过半导体物质转变为电能的过程，通常叫做“光生伏打效应”，太阳电池就是利用这种效应制成的。当太阳光照射到半导体上时，其中一部分被表面反射掉，其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光，当然有一些变成热，另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞，于是产生电子空穴对。这样，光能就以产生电子空穴对的形式转变为电能、如果半导体内存在Pn结，在n区与p区之间的薄层产生所谓光生伏打电动势。若分别在P型层和n型层焊上金属引线，接通负载，则外电路便有电流通过。如此形成的一个个电池元件，把它们串联、并联起来，就能产生一定的电压和电流输出功率。,90年代以来，在可持续发展战略的推动下，可再生能源技术进入了快速发展的阶段。建筑将成为光伏应用的最大市场，建筑光伏集成有许多优点：具有高技术、无污和自供电的特点，能够强化建筑物的美感和建筑质量；光伏部件是建筑物总构成的一部分，除了发电功能外，还是建筑物耐候的外部蒙皮，具有多功能和可持续发展的特征；分布型的太阳辐射和分布型的建筑物互相匹配；建筑物的外壳能为光伏系统提供足够的面积；不需要额外的昂贵占地面积，省去了光伏系统的支撑结构，省去了输电费用；在用电地点发电，避免传输和分电损失（5一10），降低了电力传输和电力分配的投资和维修成本。,建筑光伏集成系统既适用于居民住宅，也适用商业、工业和公共建筑，高速公路音障等，既可集成到屋顶，也可集成到外墙上；既可集成到新设计的建筑上，也可集成到现有的建筑上。光伏建筑集成近年来发展很炔，许多国家相继制定了本国的光伏屋顶计划。建筑自身能耗占世界总能耗的13，是未来太阳能光伏发电的最大市场。光伏系统和建筑结合将根本改变太阳能光伏发电在世界能源中的从属地位，前景光明。,以材料区分，太阳电池有晶硅电池，非晶硅 薄膜电池，铜钢硒（CIS）电池，碲化镉（CdTe）电池，砷化稼电池等，而以晶硅电池为主导。由于硅是地球上储量第二大元素，作为半导体材料，人们对它研究得最多、技术最成熟，而且晶硅性能稳定、无毒，因此成为太阳电池研究开发、生产和应用中的主体材料。人们首先使用高纯硅制造太阳电池（即单晶硅太阳电池）。由于材料昂贵，这种太阳电池成本过高，初期多用于空间技术作为特殊电源，供人造卫星使用。七十年代开始，把硅太阳电池转向地面应用。采用废次单晶硅或较纯的冶金硅专门生产太阳能级硅材料，以及利用多晶硅生产硅太阳电池，均能大幅度降低造价。近年来，非晶硅太阳电池的研制迅速发展。,1、单晶硅太阳电池,单晶硅材料制造要经过如下过程：石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。硅主要以siO2形式存在于石英和砂子中。它的制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂而成。该过程能量消耗很高，约为14kwhkg，因此硅的生产通常在水电过剩的地方（挪威，加拿大等地）进行。这样被还原出来的硅的纯度约98一99，称为冶金级硅（MG一Si）。大部分冶金级硅用于制铁和制铝工业。目前全世界冶金级硅的产量约为50万吨年。,2太阳级硅,一种目前制造太阳级硅的主要方法是使用精炼的冶金级硅，采用电子束加热真空抽除法去除磷杂质，然后凝固，再采用等离子体氧化法去除硼及碳，再凝固。采用水蒸气混合的冠等离子体可将硼含量降到0lppm的水平，经过再凝固硅中的金属杂质含量可降到ppb的水平。用此太阳级硅制成的常规工艺电池的最高效率可达到14，高效工艺制的电池的最高效率可达到16。此太阳级硅已进入每年生产60吨的中试阶段。基于同样原理可开发出另一种提纯方法，即在硫化床反应器中，用Si烷在很小的Si球表面上原位沉积出Si。此法沉积出的Si粉未颗粒只有十分之几毫米，可用作CZ直拉单晶的投炉料或直接制造Si带。,3、多晶硅太阳电池,随着电池制备和封装工艺的不断改进，在硅太阳电池总成本中，硅材料所占比重已由原先的1/3上升到1/2。因此，生产厂家迫切希望在不降低光电转换效率的前提下，找到替代单晶硅的材料。目前，比较适用的材料就是多晶硅。因为熔铸多晶硅锭比提拉单晶硅锭的工艺简单，设备易做，操作方便，耗能较少，辅助材料消耗也不多，尤其是可以制备任意形状的多晶硅锭，便于大量生产大面积的硅片。同时，多晶硅太阳电池的电性能和机械性能都与单晶硅太阳电池基本相似，而生产成本却低于单晶硅太阳电池。多晶硅太阳电池的出现主要是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。,晶体硅电池效率不断提高，技术不断改进，加上晶硅稳定，无毒，材料资源丰富，人们开始考虑开发多晶硅薄膜电池。多晶硅薄膜电池既具有晶硅电池的高效、稳定、无毒和资源丰富的优势，又具有薄膜电池工艺简单、节省材料、大幅度降低成本的优点，因此多晶硅薄膜电池的研究开发成为近几年的热点。另一方面，采用薄片硅技术，避开拉制单晶硅或浇铸多晶硅、切片的昂贵工艺和材料浪费的缺点，达到降低成本的目的。,（1）多晶硅薄膜电池,各种CVD（PECVD，RTCVD，CVD等）技术被用来生长多晶硅薄膜，在实验室内有些技术获得了重要的结果。德国Fraunhofer太阳能研究所使用SiO2和SiN包覆陶瓷或SiC包覆石墨为衬底，用快速热化学气相沉积（RTCVD）技术沉积多晶硅薄膜，硅膜经过区熔再结晶（ZMR）后制备太阳电池，两种衬底的电池效率分别达到93和11。北京市太阳能研究所自1996年开始开展多晶硅薄膜电池的研究工作。该所采用RTCVD技术在重掺杂非活性硅衬底上制备多晶硅薄膜和电池，1cm2电池效率在AM15条件下达到13.6，目前正在向非硅质衬底转移。并发展了多层多晶硅薄膜电池。,多晶硅太阳电池的制备基本与单晶硅太阳电池相同。关键在于硅材料的制备。要求具备一定的纯度，对晶粒大小和晶粒形状还有要求。一般以晶粒尺寸达毫米级、晶粒形状呈柱状为好，俗称这种材料为“半晶硅”。多晶硅的生产工艺为浇铸法。浇铸工艺主要有定向凝固法。定向凝固法是将硅料放在坩埚中加热熔融，然后将坩埚从热场中逐渐下降或从增蜗底部通上冷源以造成一定的温度梯度，使固液界面从坩埚底部向上移动而形成晶锭。,由于铸锭中采用低成本的坩埚及脱模涂料，对硅锭的材质仍会造成影响。近年来电磁法（EMC）被用来进行铸锭试验，方法是投炉硅料从上部连续加到熔融硅处，而熔融硅与无底的冷坩埚通过电磁力保持接触，同时固化的硅被连续地向下拉。目前该工艺已铸出截面为220mmX220mm的长硅锭，铸锭的材质纯度比常规硅锭高。我国可生产出15kg重220mmX220mmX140mm的硅锭。,（2）硅片加工技术,常规的硅片切割采用内圆切片机，其刀损为0.3一0.35mm，使晶体硅切割损失较大，且大硅片不易切得很薄。近几年，多线切割机的使用对晶体硅片的成本下降具有明显作用。多线切割机采用钢丝带动碳化硅磨料来进行切割硅片，切损只有0.22mm，硅片可切薄到0.2mm，且切割的损伤小。我国太阳能光伏发电技术产业化及市场发展经过近20年的努力，已经奠定良好的基础。目前有4个单晶硅电池及组件生产厂和2个非晶硅电池生产厂。但在总体水平由于生产规模、技术水平较低、太阳电池的效率低，专用原材料国产化程度不高。专用材料如银浆、封装玻璃、EVA等尚未完全实现国产化，成本高。,(3).非晶硅太阳电池,非晶硅太阳电池又称“无定形硅太阳电池”，简称“aSi太阳电池。它是太阳电池发展中的后起之秀。它是最理想的一种廉价太阳电池。作为一种弱光微型电源使用，如小型计算器、电子手表等。非晶硅科技已转化为一个大规模的产业，世界上总组件生产能力每年在50MW以上，组件及相关产品销售额在10亿美元以上。应用范围小到手表、计算器电源大到10Mw级的独立电站。涉及诸多品种的电子消费品、照明和家用电源、农牧业抽水、广播通讯台站电源及中小型联网电站等。a一Si太阳电池成了光伏能源中的一支生力军，对整个洁净可再生能源发展起了巨大的推动作用。,非晶硅太阳电池的最大特点是薄，不同于单晶硅或多晶硅太极电池需要以硅片为底村，而是在玻璃或不锈钢带等材料的表面镀上一层薄薄的硅膜，其厚度只有单晶硅片的1/300。因此，可以大量节省硅材料，加之可连续化大面积生产，能耗也低，成本自然也低。由于电池本身是薄膜型的，太阳的光可以穿透，所以还可做成叠层式的电池，以提高电池的电压。通常单晶硅太阳电池每个单体只有05伏左右的电压，必须几个单体串联起来，才能获得一定的电压。非晶太阳硅电池一个就能做到几伏电压，使用比较方便。,其它新材料探索,探索的材料主要有，非晶硅碳、非晶硅氧：微晶硅、微晶硅碳等，这些材料主要用于窗口层。,新技术探索,为了提高非晶硅太阳电池的初始效率和光照条件下的稳定性，人们探索了许多新的材料制备工艺。比较重要的新工艺有：化学退火法、脉冲氖灯光照法、氢稀释法、交替淀积与氢处理法、掺氟、本征层掺痕量硼法等,新制备技术探索,射频等离子体增强CVD是当今普遍采用的制备a-Si合金薄膜的方法。它的主要优点是：可以用较低的衬底温度（200C左右），重复制备大面积均匀的薄膜，制得的氢化a-Si合金薄膜无结构缺陷、台阶覆盖良好、隙态密度低、光电子特性符合大面积太阳电池的要求。此法的主要缺点也是致命的缺点是，制备的a-Si膜含氢量高，通常有10-15氢含量，光致衰退比较严重。因此，人们一方面运用这一方法实现了规模化生产，另一方面又不断努力探索新的制备技术。,3、多晶薄膜与薄膜太阳电池,制作薄膜太阳电池的新材料、CulnSe2、CdTe薄膜，晶体硅薄膜和有机半导体薄膜等；近20年来大量的研究人员在该领域中的工作取得了可喜的成绩。薄膜太阳电池以其低成本、高转换效率、适合规模化生产等优点，引起生产厂家的兴趣，薄膜太阳电池的产量得到迅速增长。如果以10年为一个周期进行分析，世界薄膜太阳电池市场年增长率为225。,.CdS薄膜与Cu2S/CdS太阳电池,Cu2SCdS是一种廉价太阳电池，它具有成本低、制备工艺十分简单的优点。在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。用喷涂法制备CdS薄膜，其方法主要是将含有S和Cd的化合物水溶液，用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上，经热分解沉积成CdS薄膜。,.CulnSe2多晶薄膜材料与CdS CulnSe2太阳电池,Cu1nSe2材料具有高达以610cm-1的吸收系数，这是到目前为止所有半导体材料中的最高值。Cu1nSe2的光学性质主要取决于材料的元素组份比、各组份的均匀性、结晶程度、晶格结构及晶界的影响。大量实验表明，材料的元素组份与化学计量比偏离越小，结晶程度好，元素组分均匀性好，温度越低其光学吸收特性越好。,.CdSCulnSe2薄膜太阳电池,由于CulnSe2薄膜材料具备十分优异的光伏特性，20年来，出现了多种以Cu1nSe2薄膜材料为基础的同质结和异质结太阳电池。主要有n-CulnSe2p-CulnSe2、（InCd）S2CulnSe2、CdSCulnSe2、ITOCu1nSe：、GaAsCulnSe2、ZnOCulnSe2等。其中最为人们重视的是CdSCulnSe2电池。由28个39W组件构成的lkW薄膜太阳电池方阵，面积为3665cm2，输出功率达到40.6W，转换效率为11.1。,.多晶薄膜CdTe材料与CdTeCdS太阳电池,在薄膜光伏材料中，CdTe为人们公认的高效、稳定、廉价的薄膜光伏器件材料。CdTe多晶薄膜太阳电池转换效率理论值）在室温下为27，目前已制成面积为lcm2，效率超过15的CdTe太阳电池，面积为706cm2的组件，效率超过10。制备方法主要有：电镀、丝网印刷，化学气相沉积CVD，物理气相沉积PVD，MOCVD，分子束外延MBE，喷涂，溅射，真空蒸发，电沉积等。,.有机半导体太阳电池,共轭高分子聚合物材料由于沿着其化学链的每格点已轨道交迭形成了非定域化的导带和价带，因而呈现半导体性质。通过适当的化学掺杂可达到高电子迁移率，禁带宽度为几个电子伏特。有机半导体有许多特殊的性质，可用来制造许多薄膜半导体器件，如：场效应晶体管、场效应电光调制器、光发射二极管、光伏器件等。用有机半导体制造太阳电池工艺简单、重量轻、价格低、便于大规模生产。,用于光伏器件的高分子材料主要有酞青锌（ZnPc）、甲基叶林（TTP）、聚苯胺（PAm）、聚对苯乙炔（PPV）等。一般用金属电极与有机半导体之间形成肖特基势垒和产生的内建电场，离解光生激子成为自由载流子并驱动载流子在有机半导体中传输。,.多元化合物太阳电池,多元化合物太阳电池是指不是用单一元素半导体制成的太阳电池，以区别于各种硅太阳电池。目前，国内外研制的多元化合物太阳电池品种繁多，较有代表性的有硫化镉太阳电池和砷化镓筹太阳电池。,三、液结太阳电池,液结太阳电池是一种光电、光化的复杂转换。简单来说，是将一种半导体电极插入某种电解液中，在太阳光照射的作用下，电极产生电流，同时从电解液中释放出氢气。适合作这种电极的材料很多，如硫化镉、碲化镉、砷化镓、磷化镓、磷化铟、二氧化钛等。人们不仅可以通过光电转换利用太阳能，还能从光化学获得新的能源。1972年，日本首先用二氧化钛半导体电极制成太阳能液体电池，成功地实现了分解水制氢。,