模电课件07第一章共射BJT小信号等效模型及参数.ppt

NPN管共射组态的放大电路,us是要放大的信号电压，称为输入电压,EBEC是直流偏置电压,RC称为集电极电阻,RC能将集电极回路中的信号电流转化成为放大以后的信号电压,1.4.4 共射BJT小信号等效模型及参数,五 共射BJT小信号等效模型及参数,IB,VBE,Vbe,ib,iB,Rb,RC,vs,EB,vCE,vBE,EC,vCE,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,rce,c,c,rbb,e,=,=,rcc,ree,r,r,b,b,g mv1,基区复合电阻rbe,所以,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,rce,c,c,rbb,e,=,=,rcc,ree,r,r,b,b,g mv1,集电结电阻rbc,rbc很大，约在100k10M之间,=,=,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,rce,c,c,rbb,e,=,=,rcc,ree,r,r,b,b,g mv1,(4)集射极间电阻rce,rce的值较大，通常在几十千欧姆以上,=,=,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,rce,c,c,rbb,e,=,=,rcc,ree,r,r,b,b,g mv1,（9）BJT的跨导gm,（一）晶体管的混合型等效电路及参数,（二）简化型等效电路,低频信号,小,大,rbc反偏集电结电阻，rbcrce，其值很大,低频简化型等效电路,六 H参数等效电路,六 H参数等效电路,hie是当BJT输出端交流短路(uce=0或uCE=常量)时的输入阻抗,hie表示为：BJT的输入特性曲线在工作点上切线斜率的倒数,hre是当BJT的输入端交流开路(ib=0或iB=常量)时，输入电压ube随输出电压uce的变化之比，反映了输出回路对输入回路的影响，称为BJT的内部电压反馈系数,输出电压对输入特性曲线有基区宽调效应（early效应）。hre是一个无量纲的比例系数，其值很小，如果忽略early效应，hre=0,六 H参数等效电路,通常输出回路中的负载电阻RC(或RL)比BJT的输出电阻1hoe小得多，当负载电阻RC(或RL)较小，满足RC/RL 01hoe的条件时，可以把hoe忽略掉,六 H参数等效电路,hre0,六 H参数等效电路,混合型等效电路和H参数等效电路的关系,hfe ib=gm ube=gm i b rbe,hfe=gm rbe,其中H参数的典型值为,hie=rbe=rbb+rbe=1.4 k,hre=510-4,hfe=50100,hoe=510-5 S,rce=1/hoe,hfe=,hie=rbe=rbb+rbe=rbb+（1+）UT/IE,rbe=rbb+（1+）UT/IE,七 共射BJT的频率参数f,fT,7PN结的伏安方程为()。该方程反映出PN结的基本特性是()特性。此外，PN结还有()效应和()特性。,单向导电,电容,反向击穿,8PN结电容包括()电容和()电容。PN结反偏时，只存在()电容。反偏越大，该电容越(),势垒,扩散,势垒,大,9普通Si二极管的导通电压的典型值约为()伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为()伏。,0.7,0.3,10()二极管的反向饱和电流远大于()二极管的反向饱和电流,Si,Ge,11PN结的反向击穿分为()击穿和()击穿两种机理,雪崩击穿,齐纳击穿,12稳压管是利于PN结()特性工作的二极管。,反向击穿,13变容二极管是利于PN结()特性工作的二极管。,电容,15当发射结正偏，集电结反偏时，BJT工作在()区，当发射结和集电结都()时，BJT饱和；当发射结和集电结都()时，BJT截止,放大,正偏,16放大偏置的NPN管，三电极的电位关系是()。而放大偏置的PNP管，三电极的电位关系是()。,27当|（f）|1时的频率称为BJT的()。,共射特征频率,反偏,