《集成电路先进封装与系统集成技术》结业测试试题.docx

集成电路先进封装与系统集成技术结业测试试题一、单项选择题：1、下面哪项不是AiP天线技术出现的原因？()A)随着应用频率的提高天线尺寸越来越小，可集成于封装体内B) AiP技术有利于降低射频芯片与天线互连距离，降低互连损耗C) AiP天线引入可以降低封装的成本，2、从工艺流程分类，eWLB属于下面哪种类型的扇出型封装？OAchip-first(face-down)Bchip-first(face-up)Cchip-Iast(RDL-first)3、下面哪种封装形式不能进行多芯片集成？OA. chip-firstFanout(face-down)B. chip-firstFanout(face-up)C. chip-lastFanout(RDL-first)D. WL-CSP4、下面哪种扇出型封装形式更容易实现细线宽线距的RDL再布线？OAchip-first(face-down)Bchip-first(face-up)Cchip-last(RDL-first)5、DeSmear在处理基材时的顺序？()A)蓬松.除胶.活化(B）清洁.除胶中和C）蓬松除胶中和（C产D）清洁-蓬松-除胶6、以下哪个参数不属于信号完整性设计考虑的范畴？OA）S参数；（B）特性阻抗；O延时；（D）直流压降7、采用以下哪个手段可以明显降低电源/地平面的交流阻抗？OA）并联电容；（：确?:案）B）串联电容；O串联电感；（D）并联电阻8、下面哪些表述是正确的？OA.材料表面越粗糙润湿性越好B.泊松比是纵向应变与横向应变之比C.弹性模量又称杨氏模量D.湿扩散系数与温度不相关二、多项选择题：1、毫米波通讯应用中采用什么方法增加基站传输距离？OA）采用大规模相控阵列）B）采用波束赋形合成C）采用较大功率元器件（正来用案）D）增加基站密度2、降低电容互连寄生的方法有什么？OA）增加馈入点个数（JB）采用介电常数较高的薄膜材料C）馈入电对称且保证与馈出口形成电流均匀D）缩短互连线长度（Il产木）3、晶圆级封装的驱动力是什么？OA.成本（正确答案）B.封装尺寸C.电/热学性能,W）D.集成性能4、芯片尺寸封装中，UBM的作用是什么？OA.防止焊料扩散（正确答案）B.提高焊料的可焊性C.保护RDL层D.提高热力学性能5、热传递包含哪几种传热方式？OA.热传导B.热对流C.热辐射D.热串扰6、物体的传导热阻与哪些因素有关？OA.热导率.（>B物体长度.（IHC横截面积aD.温度7、对流热阻与哪些因素有关？OA.物体与流体之间的有效接触面积（：除笆制B.对流系数C.温度8、电镀时对于沉积光亮起作用的是哪些成份？OA）硫酸（B）光亮剂（diO整平剂（D）载运剂（；E）氯离子I9、埋入技术的优点有哪些？OA）减小封装尺寸（IB）提高I/O密度（正确答案）O减少寄生参数D）散热性能优异（IE）只适合有源埋入10、信号完整性设计时，从如下哪几个方面展开传输链路的阻抗匹配？OA）调整传输线的线宽线距;，,/A）B）过孔的焊盘和反焊盘大小设计;（II：'1上案）O电源平面的分布和尺寸；D）接插件的匹配设计11、传输线的特性阻抗与如下哪几个参数有关？（）A）线宽线距；（B）介质的损耗角正切；C）与回流平面的距离；（IuuD）介电常数（12、以下哪些手段可以提升信号传输质量？（）A）绕线；（B）阻抗匹配;（：C）缩短传输路径；（Hu-ID）采用低损耗角正切的介质''>'>；）13、可靠性设计流程中需要输入哪些参数？OA.验证手段B.封装结构IC.封装材料性能D.施加载荷14、热应力仿真时需要提供材料哪些力学性能？OA.模量，B.热膨胀系数C.泊松比，D.玻璃化温度15、减小电子封装热应力的方法有哪些？OA.优化封装结构B.选择热膨胀系数匹配的封装材料C.在焊球或者微凸点间隙中填充底填胶,D.降低最高工艺温度16、可靠性设计的指标包含哪几部分？OA）可靠性指标（I1B）性能参数的稳定性IC）环境适应性（正确答案）D）必须消除或控制的过应力失效与磨损失效ILj）三、判断题：1、热辐射需要任何介质判断题对错2、热辐射可以在真空中传播判断题对（正确答案）错四、简答题：1、电尺寸的概念是什么?对于一个ICm的微带线在IooGHZ应用下属于电大尺寸还是电小尺寸情况？2、对于电磁场屏蔽的有效方案是什么？3、什么叫黑体?4、SAP工艺增层的工艺流程顺序是什么？5、FCBGA的芯板有哪些特点?6、请描述TSV的定义;7、TSV中哪个参数是衡量垂直互连的密度的?是如何定义的8、请以无源硅转接板(SiliCOnPaSSiVeinterPoSer)为例，描述TSV工艺流程;9、基于TSV工艺模块在整个芯片制造流程的O区分，可以分为如下三种:和技术路线10、基于TSV技术的ClS封装，通常选择哪种方式的TSV工艺？