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    《结型场效应管JEF》PPT课件.ppt

    • 资源ID:5568120       资源大小:908KB        全文页数:12页
    • 资源格式: PPT        下载积分:15金币
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    《结型场效应管JEF》PPT课件.ppt

    ,5.3 结型场效应管,5.3.1 JFET的结构和工作原理,5.3.2 JFET的特性曲线及参数,5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法,5.3.1 JFET的结构和工作原理,1.结构,#符号中的箭头方向表示什么?,2.工作原理,vGS对沟道的控制作用,当vGS0时,(以N沟道JFET为例),当沟道夹断时,对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP(或VGS(off))。,对于N沟道的JFET,VP 0。,PN结反偏,耗尽层加厚,沟道变窄。,vGS继续减小,沟道继续变窄。,2.工作原理,(以N沟道JFET为例),vDS对沟道的控制作用,当vGS=0时,,vDS,ID,G、D间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从上至下呈楔形分布。,当vDS增加到使vGD=VP 时,在紧靠漏极处出现预夹断。,此时vDS,夹断区延长,沟道电阻,ID基本不变,2.工作原理,(以N沟道JFET为例),vGS和vDS同时作用时,当VP vGS0 时,导电沟道更容易夹断,,对于同样的vDS,ID的值比vGS=0时的值要小。,在预夹断处,vGD=vGS-vDS=VP,综上分析可知,沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,所以场效应管也称为单极型三极管。,JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制。,预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。,#为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?,JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因 此iG0,输入电阻很高。,5.3.2 JFET的特性曲线及参数,2.转移特性,1.输出特性,与MOSFET类似,3.主要参数,5.3.2 JFET的特性曲线及参数,5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法,1.FET小信号模型,(1)低频模型,(2)高频模型,2.动态指标分析,(1)中频小信号模型,2.动态指标分析,(2)中频电压增益,(3)输入电阻,(4)输出电阻,忽略 rds,,由输入输出回路得,则,通常,则,end,

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