《后清洗生产培训》PPT课件.ppt
刻蚀,Rena结构Rena生产原理Inoxside界面操作与等离子刻蚀比较,Rena水平刻蚀清洗机1,1.冷水机；5.上料台；2.上位机；6.rena柱式指示灯及其急停开关;3.抽风管及其调节阀；7.前玻璃窗.4.集中供液柱式指示灯及其急停开关;,1,5,3,2,6,7,4,4,Rena各部件功能介绍-1,1.冷水机:给冷却器提供冷却水.2.上位机:向PLC输入运行参数,监控其运行.3.抽风管及其调节阀:排设备内废气,调节,监视抽风负压.4.集中供液柱式指示灯及其急停开关:柱式指示灯显示集中供液运行状态,急停开关用于应急停止集中供液设备.5.上料台:用于设备供料放硅片.6.rena柱式指示灯及其急停开关:柱式指示灯显示rena运行状态,急停开关用于应急停止rena设备.7.前玻璃窗:监视设备内硅片运行情况,保护设备内气体流动,隔绝设备尾气.,Rena水平刻蚀清洗机2,8.电柜；12.排放管道；9.后玻璃盖板；13.自动补液槽；10.下料台；14.集中供液管路；11.供气，供水管道；15.传送滚轴.,8,9,10,11,12,13,14,15,6,Rena各部件功能介绍-2,8.电柜:放置安装设备总电源开关,各断路开关,电脑机箱以及PLC(设备总控制器).9.后玻璃盖板:监视设备各部件运行情况,保护设备内气体流动,隔绝设备尾气.10.下料台:用于刻蚀后硅片卸片(插片).11.供气,供水管道:供应设备正常运转使用的压缩空气,纯水,自来水以及冷却水.12.排放管道:用于排去设备废水.13.自动补液槽:用于储存设备自动运行时补偿的化学品.14.集中供液管路:用于集中供液向自动补液槽添加化学品以及rena的首次加液.15.传动滚轴:用于rena设备内传送硅片.,Rena水平刻蚀清洗机各槽分布图,1.Etch bath；5.Hf bath；2.Rinse 1；6.rinse 3（DI-Water spray）；3.Alkaline rinse；7.dryer 2。4.Rinse 2；,1,2,3,4,5,6,7,Rena各槽功能介绍,Rena各槽功能介绍,一、刻蚀槽,刻蚀槽生产多晶156硅片图片,刻蚀槽溶液流向图,刻蚀反应为氧化，放热反应.,流回储液槽，溶液温度较高,储液槽,泵液至冷却器,冷却器,泵液至刻蚀槽内槽,刻蚀槽内槽温度较低,液面与硅片吸附反应后流入外槽,内槽槽壁可调节高度，刻蚀槽液不断循环降温，且循环流量（一定范围内）越大，液面越高,泵,刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理,此为生产mono125-150硅片时图片,硅片完全悬空,硅片尾部吸附刻蚀液,刻蚀槽硅片流入吸附刻蚀液原理,此为生产mono125-150硅片时图片,2052934橡胶圈较小,2051141橡胶圈正常,刻蚀液完全吸附,刻蚀槽前后硅片状态比较,此为生产mono125-150硅片时图片,硅片刚进入刻蚀槽,硅片刻蚀后，边缘水印为反应生成的水,刻蚀槽影响刻蚀效果的因素,一、抽风:抽风在很大程度上会影响到刻蚀槽液面波动，而刻蚀槽任何的液面波动，对在液面上运行的硅片都有很大影响；二、传动速度:传动速度决定硅片通过刻蚀槽的时间，也就是决定硅片刻蚀的反应时间；三、滚轴和内槽槽边高度（水平）:滚轴高度决定硅片通过刻蚀槽时的高度，而内槽槽边高度（水平）决定刻蚀槽液面的大致高度，两者的高度差距只有在合理范围内，硅片才能吸附到刻蚀液；四、滚轴水平：滚轴水平，5道轨道内运行的硅片才能与刻蚀液水平面平行，只有平行于水平面，硅片吸附刻蚀液才均匀，也即刻蚀均匀，无过刻或刻不通现象；五、硅片覆盖率：硅片覆盖率也就是硅片之间的间距，它决定硅片间液面形状。刻蚀槽是通过液体的张力将刻蚀液吸附于硅片上，但硅片间间隙过小，液体就会浸漫到硅片上面，破坏扩散面。同时，过高的覆盖率还会使刻蚀槽液面升高。,Rinse 1,一号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液（水源为rinse 2溢流水）。,上水刀,下水刀,风刀,17,Alkaline rinse,上水刀,上水刀,风刀,碱槽溶液流向图（槽截面）,泵,过滤器,硅片运行平面,碱液流动方向,冷却水流动方向,槽壁,喷淋头,槽内液面,高于溢流口的溶液从溢流管排掉,Rinse 2,二号洗槽采用循环水喷淋，上下各两道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液（水源为rinse 3溢流水）。,上水刀,下水刀,风刀,HF bath,氢氟酸槽采用5%HF溶液喷淋浸泡，上下各四道水刀冲洗硅片两面后，风刀吹去硅片上面残液,氢氟酸循环喷淋使反应充分,HF bath去PSG 硅片完全浸泡在溶液里,氢氟酸槽溶液流向图（槽截面）,过滤器,泵,硅片运行平面,氢氟酸液流动方向,内槽液面,外槽液面,喷淋头,Rinse 3,三号洗槽采用循环水喷淋（水源为纯水喷雾落进槽内水），上下各两道水刀冲洗硅片两面后，上下各一道纯水喷雾器清洗硅片两面（流量400lh）,循环水冲洗,DI-Water喷雾器最后冲洗，水落进槽底，重复利用。,Dryer 2,二号干燥槽采用压缩空气吹干，上下各两道风刀使用马达带动来回拉动，吹干硅片。,吹干风刀,湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点,1、非扩散面PN结刻蚀时被去除（原等离子刻蚀背面PN结依靠丝印被铝浆时，铝还原硅片使N形硅变为P形硅，但所产生的P形硅电势不强）；2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染）；3、节水（rena使用循环水冲洗硅片，耗水约8T/h。等离子刻蚀去PSG用槽浸泡，用水量大）。,湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点,1、硅片水平运行，机碎高：（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）；2、下料吸笔易污染硅片：（等离子刻蚀去PSG后甩干）；3、传动滚轴易变形：（PP材质且水平放置易变形）；4、成本高：（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。,THANKS,
