《PCB电镀化铜》PPT课件.ppt

印刷线路板化铜电镀工艺及技术,Contents,1.线路板的结构及技术要求,1.Build-up层线宽2.Build-up层线距3.Core层线宽4.Core层线距5.盲孔孔径6.盲孔内层孔环,7.盲孔外层孔环8.通孔孔径9.通孔孔环10.Build-up层厚度11.Core层厚度,多层PCB的结构,印刷电路板各种产品的技术规格要求,1.Tenting Process（干膜盖孔法）适用于PCB、FPC、HDI等 量产最小线宽/线距 35/35m2.Semi-Addictive Process（半加成法）适用于WB Substrate、Flip Chip Substrate 量产最小线宽/线距 12/12m3.Modified Semi-Addictive Process（改良型半加成法）适用于CSP、WB Substrate、Flip Chip Substrate 量产最小线宽/线距 25/25m,线路形成工艺的种类及应用范围,Tenting Process（干膜盖孔法）介绍:,普通PCB、HDI、FPC及Substrate Core层等产品，使用的基材为FR-4（难燃性环氧树脂覆铜板）、RCC（涂覆树脂覆铜板）、FCCL（柔性基材覆铜板）等材料。,RCC：,FCCL：,FR-4：,线路形成工艺的种类及应用范围,SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍,SAP与MSAP工艺采用Build-up工艺制作。其中SAP的主要材料为ABF（Ajinomoto Build-up Film）和液态树脂；MSAP工艺的主要材料为超薄铜覆铜板（基材为BT、FR-5等，铜厚5m）,ABF材料,BUM液态树脂,覆铜板,线路形成工艺的种类及应用范围,盖孔法,干膜前处理,压膜,曝光,显影,蚀刻,去膜,化学沉铜,干膜前处理,压膜,曝光,显影,镀铜,化学清洗,去膜,闪蚀,减薄铜蚀刻,干膜前处理,压膜,曝光,显影,镀铜,化学清洗,去膜,闪蚀,SAP,MSAP,线路形成工艺的种类及应用范围,Tenting Process（干膜盖孔法）介绍,前处理,压膜,曝光,显影,蚀刻,去膜,目的：清洁铜面，粗化铜面，增加干膜与铜面的结合力,目的：将感光干膜贴附在铜面上,目的：将设计的影像图形通过UV光 转移到PCB的干膜上,目的：将设计的影像图形通过UV光 转移到PCB的干膜上,目的：将没有覆盖干膜的铜面去除,目的：将铜面残留的干膜去除,线路形成工艺的种类及应用范围,SAP（半加成法）与MSAP（改良型半加成法）介绍,SAP 与MSAP工艺的区别是，SAP的基材上面是没有铜层覆盖的，在制作线路前需在线路表面沉积一层化学铜（约1.5m），然后进行显影等工艺；MSAP基材表面有厚度为35m厚度的电解铜，制作线路前需用化学药水将铜层厚度咬蚀到2m。,目的:将可感光的干膜贴附于铜面上,目的:将设计之影像图形,转移至基板的干膜上,目的:将没有曝到光之干膜去除,目的:将化铜层蚀刻掉,目的:将多余的干膜去除,目的:将显影后之线路镀满,线路形成工艺的种类及应用范围,ABF熟化后的膜厚约在3070m之间，薄板者以3040m较常用一般双面CO2雷射完工的24mil烧孔，其孔形都可呈现良好的倒锥状。无铜面之全板除胶渣(Desmearing)后，其全板面与孔壁均可形成极为粗糙的外观，化学铜之后对细线路干膜的附着力将有帮助。,雷射成孔及全板面式除胶渣,覆晶载板除胶渣的动作与一般PCB并无太大差异，仍然是预先膨松(Swelling)、七价锰(Mn+7)溶胶与中和还原(Reducing)等三步。不同者是一般PCB只处理通孔或盲孔的孔壁区域，但覆晶载板除了盲孔之孔壁外，还要对全板的ABF表面进行整体性的膨松咬蚀，为的是让1m厚的化铜层在外观上更形粗糙，而令干膜光阻与电镀铜在大面积细线作业中取得更好的附着力。,ABF表面完成0.3-0.5m化学铜之后即可进行干膜光阻的压贴，随后进行曝光与显像而取得众多线路与大量盲孔的镀铜基地，以便进行线路镀铜与盲孔填铜。,咬掉部份化铜后完成线路,完成填充盲孔与增厚线路的镀铜工序后，即可剥除光阻而直接进行全面性蚀该。此时板面上非线路绝缘区的化学铜很容易蚀除，于是在不分青红皂白全面铳蚀下，线路的镀铜当然也会有所消磨但还不致伤及大雅。所呈现的细线不但肩部更为圆滑连底部多余的残足也都消失无踪，品质反倒更好！此等一视同仁通面全咬的蚀该法特称为Differential Etching。,此六图均为SAP 323切片图；左上为1mil细线与内核板之50倍整体画面。中上为200倍明场偏光画面，右上为暗场1000倍的呈现，其黑化层清楚可见。左下为1000倍常规画面，中下为200倍的暗场真像。右下为3000倍ABF的暗场画面，底垫为1/3oz铜箔与厚电镀铜，铜箔底部之黄铜层以及盲孔左右之活化钯层与化铜层均清晰可见。,传统的 PTH,PTH 孔金属化,工艺流程 功能,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀使树脂易被高锰酸盐蚀刻攻击 高锰酸盐蚀刻去除钻污和树脂 还原除去降解产物和清洁/处理表面.(清洁/蚀刻玻璃）,只有三个工艺步骤:,溶胀,还原,高锰酸盐蚀刻,去钻污前（去毛刺后）各种 类型PCB 的状态通孔和微盲孔中的钻污,铜箔,树脂,内层,多层,RCC/FR-4 板,裸树脂板,RCC箔,内层底盘,玻璃纤维,钻污,钻污,芯,钻污,钻污,FR-4,SAP膜,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,SBU Sequential Build-up Technology,工艺流程 溶胀,使树脂易受高锰酸盐蚀刻液的最佳攻击并保障环氧树脂(Tg 150C)表面的微观粗糙度,溶胀,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀 通孔和微盲孔中溶胀之后的钻污,溶胀之后,溶胀剂,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀 溶胀之前(0 秒),去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀 溶胀150 秒之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,溶胀 溶胀240秒之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,工艺流程 碱性高锰酸盐蚀刻,高锰酸盐蚀刻溶液除去内层（铜）表面的钻污，清洁孔壁并且粗化(Tg 150C)的环氧树脂之表面,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,碱性高锰酸盐蚀刻,高锰酸盐蚀刻之后,高锰酸盐蚀刻 蚀刻通孔和微盲孔的表面,CH4+12 MnO4-+14 OH-CO32-+12 MnO42-+9 H2O+O2,2 MnO42-+2 H2O MnO2+OH-+O2,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,MnO4-,高锰酸盐蚀刻 溶胀之后 不经过蚀刻,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,高锰酸盐蚀刻 150 秒蚀刻之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,高锰酸盐蚀刻 240 秒蚀刻之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,环氧树脂(未经固化),Bisphenol A Epichlorhydrin,高锰酸盐攻击环氧树脂分子中的极性官能团.不含极性官能团的高分子化合物不能被去钻污.,高锰酸盐蚀刻 攻击环氧树脂,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,标准 FR-4(150C),高-Tg(150 C),300 x,300 x,2000 x,2000 x,非均相交联,均相交联,去钻污,高锰酸盐蚀刻 去钻污的结果,高锰酸盐蚀刻 还原,还原剂能还原/除去二氧化锰残留并对玻璃纤维进行前处理以期最佳（沉铜）的覆盖.如有需要，玻璃纤维可被玻璃蚀刻添加剂同时清洁与蚀刻.,还原,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,还原 清洁后的通孔与微盲孔表面,还原之后,Mn4+2 e-Mn2+,H2O2 2 H+2 e-+O2,Conditioner,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,H2O2/NH2OH,NH2OH 2 H+2 H2O+2 e-+N2,PTH前不同类型的PCB板 去钻污后的通孔以及微盲孔表面,经过去钻污处理后,多层板,FR-4,覆铜板,树脂,内层,传统的 PTH,内层钻盘,FR-4 板,裸树脂板,钻孔之后,200 x,1000 x,通孔 钻孔之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,通孔 去钻污之后,去钻污之后,200 x,1000 x,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,Ajinomoto Bare Laminate Ajinomoto 裸树脂板去钻污之前,去钻污之前,1000 x,5000 x,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,Ajinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸树脂板去钻污之后,去钻污之后,1000 x,5000 x,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,Ajinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸树脂板去钻污之前,去钻污之前,1000 x,2000 x,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,Ajinomoto Bare Laminate Ajinomoto裸树脂板钻污之后,1000 x,2000 x,去钻污之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,钻孔之后,1300 x,3000 x,激光钻成的微盲孔 钻孔之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,去钻污之后,1100 x,2700 x,激光钻成的微盲孔 去钻污之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,钻孔之前,1000 x,1000 x,RCC 技术 激光钻成的 去钻污之前,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,去钻污之后,1000 x,1000 x,RCC 技术 激光钻孔 去钻污之后,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,工艺流程-特征&优点,溶胀,高锰酸盐蚀刻,还原,简短的流程 只须3步 快速和有效的去钻污 体系内再生高锰酸盐（延长槽液寿命)极好的玻璃处理性能 最高质量的去钻污 无害于环境(交少的有机物)应用于微盲孔具有最好的润湿性,去钻污 Securiganth P/P500/MV/BLG,*可选,工艺流程 垂直沉铜 应用,清洁,预浸,活化,微蚀清洁,调整*,还原,传统的 PTH,化学沉铜,垂直,优点：均匀致密的化学铜沉积优异的结合力（不起泡）稳定的槽液使用寿命沉积速率稳定，适用于通孔 和盲孔的生产制程,55214414.20时间分,工艺流程 清洁&调整,清洁剂确保孔内表面达到最佳的表面清洁状态，以便保证有良好的化学铜结合力,清洁,传统的 PTH,清洁/调整 树脂表面和铜表面的前处理,经过清洁剂/调整剂处理后,传统的 PTH,工艺流程 清洁&调整,如果去钻污工序中没有调整步骤,必须附加一个额外的调整剂或在使用一些特殊的材料如：PTFE聚四氟乙烯,PI聚酰亚胺)时,清洁,调整,传统的 PTH,去钻污调整!,清洁调整 玻璃表面的前处理,调整剂,经过清洁调整剂处理后,传统的 PTH,调整 表面前处理,调整 只有当表面清洁时，玻璃纤维的调整才会起作用来避免可能破坏连接机制的副效应!,最好的调整性能 在碱性高锰酸盐去钻污后的还原步骤中,调整剂产品 还原清洁剂 Securiganth P(速效普通的双氧水体系的还原剂，添加了调整剂成分)还原清洁剂 Securiganth P500(有机体系的还原剂，添加了调整剂成分),注意：若没有经过调整，化学铜后的背光效果会比较差!,传统的 PTH,调整 机理,-,树脂,玻璃纤维,调整剂分子(表面活性剂 Tenside),部分带负电荷,经过调整后的玻璃表面,经过去钻污后的玻璃表面,-,-,-,-,-,-,-,-,-,均匀的，有机的，荷电表面,部分带正电荷,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,传统的 PTH,调整 机理,/OH/OH/OH|O Si O Si O Si O|O O O|,N,N,n,调整剂的碳链(部分带正电荷),玻璃纤维 的分子模型(部分带负电),传统的 PTH,工艺流程 微蚀清洁,铜的蚀刻及粗化是为了化学铜-内层铜之间有良好的结合效果。,微蚀清洁剂 Securiagnth 过硫酸盐体系 通常的微蚀清洁剂基于过硫酸钠（SPS）适用于各种技术 微蚀清洁剂 Securiganth C 微蚀清洁剂是为特殊的表面性能而设计的。,微蚀清洁,传统的 PTH,微蚀清洁 蚀刻及粗化铜表面,SPS:Cu+S2O82-Cu2+2 SO42-,经过微蚀清洁后,传统的 PTH,经过去钻污处理后,微蚀清洁 清洁及粗化铜表面,200 x,1000 x,玻璃颗粒,传统的 PTH,微蚀清洁 过硫酸钠的机理,铜的反应(氧化反应),S2O82-+2 H+2 e-2 HSO4-,过硫酸根反应(还原反应),S2O82-+2 H+Cu0 Cu2+2 HSO4-,Cu0 Cu2+2 e-,铜溶解反应(氧化还原反应),Na2S2O8+H2SO4+Cu0 CuSO4+2 NaHSO4,传统的 PTH,表面结构形貌 微蚀清洁剂 Securiganth 过硫酸钠(SPS),传统的 PTH,经过刷板后的铜表面,经过微蚀清洁剂 Securiganth过硫酸钠处理之后的铜表面.,(150 g/l SPS,25 ml/l H2SO4 50%w/w,35C,1.5分).,微蚀清洁 微蚀清洁剂 Securiganth C 的机理,铜的反应(氧化反应),HSO5-+2 H+2 e-HSO4-+H2O,微蚀清洁剂 Securiganth C 的反应(还原反应),HSO5-+2 H+Cu0 Cu2+HSO4-+H2O,Cu0 Cu2+2 e-,铜溶解反应(氧化还原反应),KHSO5+H2SO4+Cu0 CuSO4+KHSO4+H2O,传统的 PTH,表面微观形貌 微蚀清洁剂 Securiganth C,经过刷板后的铜表面.,(50 g/l Securiganth Etch Cleaner C,50 ml/l H2SO4 50%w/w,35 C,1.5 min),传统的 PTH,经过微蚀清洁剂 Securiganth C处理后的表面,工艺流程 活化/催化,预浸是用来避免前工序的药液污染活化。,预浸 Neoganth 系列 预浸药液是为离子钯而设计的,预浸,传统的 PTH,工艺流程 活化/催化,离子钯（或胶体钯）主要吸附于树脂表面,以及经过调整过的玻璃纤维。使孔壁吸附一层钯金属导电层，以便于后续的化学铜工序。,活化,传统的 PTH,催化 Neoganth/Pallacat Catalyst 系列 离子钯的催化剂/胶体钯Pd-Sn催化溶液 是为普通的基材设计的催化剂,活化/催化 通孔及盲孔表面的活化,经过活化处理后,传统的 PTH,特征及优点 Neoganth Activator 系列 vs.胶体钯系列(Black Seeder),传统的 PTH,胶体催化剂 胶体的组成（Black Seeder),传统的 PTH,PdCl2+SnCl2,PdxSn(OH)y+y Cl-+SnO(OH)2,H2O/H+,钯的吸附 调整过的表面Neoganth Activator 系列的化学反应,Activator Neoganth 系列 Pd2+做为 PdSO4,和有机络合剂,O|Si O(-)|O,玻璃,树脂,Pd 的吸附:树脂 玻璃 铜,O|C O|O,N,传统的 PTH,钯的吸附 调整过的表面胶体钯系列的化学反应(Black Seeder),胶体钯催化剂系列 Pd2+as PdCl2,and SnCl2 作为胶体种子r,O|Si O(-)|O,Glass,Resin,Pd 的吸附:树脂 玻璃 铜,O|C O|O,N,(+)N,n,传统的 PTH,特征及优点 Neoganth Activator 系列 vs.胶体钯(Black Seeder),Activator NeoganthPd2+络合的低聚合物及随后的还原剂优优优低无无Pd2+,pH=alkaline,化学溶液能力覆盖性能 玻璃 树脂铜面上钯的损耗铜面的残留对基材的腐蚀可监控性,胶体钯催化剂Pd/Sn胶体及随后的速化剂(Sn 络合剂)对氧化剂敏感(Sn2+Sn4+)优优中等可能可能Pd,Sn2+,Sn4+,Cu,pH=0,传统的 PTH,工艺流程 还原,经过活化后，Reducer Neoganth将吸附的离子钯还原为金属钯，使之能够在随后的化学铜工艺中起催化的作用。速化剂系列 溶解/去除保护胶体的锡络合层，使金属钯暴露出来。,还原剂,传统的 PTH,还原还原的钯种在表面上,经过还原处理后,传统的 PTH,钯还原-Neoganth Reducer WA化学反应 Dimethylaminoborane(DMAB),Pd2+-L+2 e-Pd0+L,阴极反应,氧化还原反应,Pd2+-L+(CH3)2-NH-BH3+3 H2O Pd0+(CH3)2-NH+H3BO3+2 H+L+2 H2,阳极反应,(CH3)2-NH-BH3+3 H2O(CH3)2-NH+H3BO3+2 e-+2 H+2 H2,传统的 PTH,工艺流程 化学铜,钯（氢）激活自催化化学铜反应，使铜沉积在经过活化/催化的表面。,化学铜,传统的 PTH,化学铜沉积 通孔及盲孔的沉积,经过化学铜沉积后的表面,传统的 PTH,化学铜沉积 主反应,反应 I:,Cu-L2+2 HCHO+4 OH-Cu0+2 HCOO-+2 H2O+H2+L,反应 II:,Cu-L2+HCHO+3 OH-Cu0+HCOO-+2 H2O+L,传统的 PTH,化学铜沉积 阴极反应,2 Cu2+2 OH-Cu2O+H2O,阴极反应:,Cu2O+H2O Cu0+Cu2+2 OH-,Cu2+2 e-Cu0,Cu-L2+2 e-Cu0+L,传统的 PTH,化学铜沉积 反应 I,阳极反应 I:,HCHO+3 OH-HCOO-+2 H2O+2 e-,Cu-L2+2 e-Cu0+L,阴极反应:,Cu-L2+HCHO+3 OH-Cu0+HCOO-+2 H2O+L,反应 I:,传统的 PTH,化学铜沉积 副反应,甲醛的氧化反应:,2 HCHO+2 OH-2 H2C(OH)O-,2 H2C(OH)O-+2 OH-2 HCOO-+H2+2 H2O+e-,2 HCHO+4 OH-2 HCOO-+2 H2O+H2+2 e-,阳极反应 II:,cat,Catalyst:Pd(H2)/Cu,传统的 PTH,化学铜沉积 反应 II,阳极反应 II:,2 HCHO+4 OH-2 HCOO-+2 H2O+H2+2 e-,Cu-L2+2 e-Cu0+L,阴极反应:,Cu-L2+2 HCHO+4 OH-Cu0+2 HCOO-+2 H2O+H2+L,反应 II:,传统的 PTH,化学铜沉积 副反应,Cannizzaro:,2 HCHO+NaOH CH3OH+HCOONa,CO2+2 NaOH Na2CO3+H2O,Carbonization:,HCOONa+NaOH Na2CO3+H2,cat,Catalyst:Pd/Cu,传统的 PTH,Controllomat A 440 自动 主/从 添加,探针 光学测量 安全方便 温度修正 控制添加泵进行自动补加,传统的 PTH,化学反应 固定的组成消耗比例 在化学铜沉积期间.主添加 铜的消耗 附从添加 NaOH,甲醛 和 络合剂的消耗,滴定 自动滴定分析仪,传统的 PTH,PhoenixPHX Monitoring System 与一日本公司有合作,滴定 自动滴定分析仪,滴定 化学测量 持久分析 控制添加泵进行自动补加,传统的 PTH,化学反应 根据产品的浓度分别进行补加.单独补加 铜,NaOH,甲醛 和 络合剂,工艺流程 电镀铜,在导电层上进行电镀以加厚通孔的厚度,酸铜溶液(直流可溶阳极)e.g.Cupracid FP酸铜溶液(直流，不溶阳极)e.g.Cupraspeed IN脉冲电镀铜溶液(不溶阳极)e.g.Cuprapulse S4,电镀铜,传统的 PTH,电镀铜-通孔和盲孔的电镀,经过电镀铜后,Cu2+2 e-Cu0,传统的 PTH,极少量的钯吸附在铜表面 适用于各种工艺可适用于水平或垂直的应用 工作范围宽 使用可生物降解的络合剂，废水处理更容易 高速中等厚度的化学铜,经济,特点及优点 化学铜,传统的 PTH,使用离子钯体系可利用胶体钯做为活化系统 能达到最高的可靠性指标适用于大多数的基材 可靠性高 较好的调整-活化/催化系统 无“起泡”药液易于监控及自动补加,技术,特点及优点 化学铜,传统的 PTH,环保,使用酒石酸盐的可生物降解的化学铜药液 使用不含汞/氰化物的稳定剂,特征及优点 化学铜,传统的 PTH,酸铜电镀工艺,全板电镀和图形电镀流程介绍,电镀铜前处理和电镀铜槽介绍,电镀前处理 清洁剂,介绍 图形电镀前处理采用酸性清洁剂(PH 0-5)绝大部分清洁剂没有微蚀作用清洁剂作用：去除铜表面的氧化 去除钝化 中和，酸化和湿润孔壁和干膜边缘，清洁，去除残留物 调整干膜侧壁，预防干膜析出,电镀前处理 微蚀,微蚀的目的和作用微蚀粗化铜表面，加强铜铜结合力去除铜表面的残留物和氧化物，避免污染电镀铜槽 微蚀药水介绍硫酸:10-50 ml/l H2SO4氧化剂：双氧水 H2O2 过硫酸钠Na2S2O8,电镀前处理 微蚀,技术基础介绍空气搅拌有利于铜表面和孔内均匀的微蚀效果，但不利于硫酸双氧水体系 通常微蚀量控制 0.5-1.0 m/min.铜离子浓度决定槽寿命，当铜离子浓度超标时，建议新配槽：过硫酸钠体系铜离子20 g/l,双氧水体系铜离子30 g/l影响微蚀量的因素：氧化剂的浓度 硫酸的浓度 铜离子浓度 槽液温度 铜的晶体结构 空气搅拌,电镀前处理 酸浸,酸浸的目的和作用酸浸是电镀铜前很重要的步骤酸浸在电镀板面产生均匀的扩散层,确保电镀时板面处于相同游离态条件下快速的起镀。去除铜面的氧化保护电镀铜槽免受污染活化和湿润铜表面，消除极化点，预防电镀表面缺陷配槽浓度：10v/v,酸铜电镀,垂直镀铜电镀反应,传统垂直电镀铜阳极：Cu0 Cu2+2e-阳极区间铜溶解阴极：Cu2+2e-Cu0 阴极区间铜沉积到线路板上,电镀铜药水,介绍电镀铜槽液主要含：硫酸铜，硫酸，氯离子，光亮剂，载运剂，整平剂。,电镀铜槽各要素的作用,电镀铜药水,介绍 硫酸铜(CuSO4*5 H2O):五水硫酸铜和阳极铜作为电镀的金属来源,电镀铜药水,介绍硫酸(H2SO4):作为硫酸体系的电镀铜，硫酸起导电作用。,电镀铜药水,介绍氯离子(Cl-):氯离子对阳极均匀腐蚀起很重要的作用。氯离子是光亮剂和载运剂的媒介。,电镀铜药水,电镀时没有添加剂,电镀铜药水,电镀时没有添加剂电镀铜延展性类似于化学铜的沉积，仅约23电镀铜层有很高的抗拉强度 50mN/cm2,电镀铜药水,载运剂的作用,电镀铜药水,载运剂的作用载运剂形成的极化层控制光亮剂，整平剂和氯离子 形成最佳的铜还原环境。部分载运剂能调整铜表面并改善湿润性。电镀铜表面比只有光亮剂电镀时稍光亮些，并且整平的效果有改善。安美特电镀添加剂载运剂作为整平剂的一部分，是在阳极和阴极区间形成均匀极化层的必要成分。,电镀铜药水,整平剂的作用整平剂和光亮剂协同作用，使电镀铜沉积光亮并象镜子反光一样。整平剂带正电，在阴极线路板上高电流区阻碍铜沉积。,电镀铜药水,光亮剂作用和载运剂，氯离子共同作用使得电镀铜沉积光亮如镜.光亮剂又称电镀加速剂，催化剂。光亮剂加速转化:Cu2+Cu+Cu0光亮剂确保电镀铜层有好的延展性。,电镀铜药水,光亮剂的作用和载运剂，氯离子共同作用使得电镀铜沉积光亮如镜.光亮剂又称电镀加速剂，催化剂。光亮剂加速转化:Cu2+Cu+Cu0光亮剂确保电镀铜层有好的延展性。,镀铜流程阳极和阴极有效电镀面积计算,阳极和阴极有效电镀面积计算 阳极的电流密度在 0.32.0ASD之间,镀铜流程-CVS 分析添加剂浓度,CVS分析电镀添加剂浓度光亮剂浓度采用MLAT 分析方法整平剂浓度采用DT分析方法,深镀能力延展性和抗拉强度 电镀铜分布热冲击,酸铜电镀常规测试,镀铜流程-通孔电镀深镀能力测量方法,介绍 通孔电镀，最小深镀能力和IPC平均电镀灌孔能力测量计算方法如下：方法1 方法2 最小深镀能力MinTP%平均电镀灌孔能力AveTP%,镀铜流程-盲孔电镀深镀能力测量方法,介绍 盲孔电镀，深镀能力计算如下：,镀铜流程-通孔深镀能力的影响因素,介绍 通孔深镀能力的影响因素如下:,深镀能力参数示例标准配槽镀铜流程-,介绍,线路板类型:板厚2.4 mm 孔径0.30 mm 板厚/孔径：8/1,电镀参数:15 ASF100 min深镀能力MinTP%:90.9%,镀铜流程-深镀能力厚板电镀药水 Cupracid TP,Cupracid TP,线路板类型:板厚4.5 mm 孔径0.30 mm 板厚/孔径:15/1,电镀参数:15 ASF100 min深镀能力MinTP%:70%,镀铜流程-深镀能力厚板电镀药水 Cupracid TP,Cupracid TP,镀铜流程-深镀能力厚板电镀药水 Cupracid TP,高深镀能力药水的优点药水和普通电镀药水对比深镀能力 板厚2.4mm，孔径0.3mm对比发现：电镀效率提高，铜球耗量减少，成本降低很多。,镀铜流程-延展性和抗拉强度测试,电镀铜需要具有足够的延展性和抗拉强度。测试条件:通常我们制作延展性和抗拉强度的流程如下:药水浓度在控制范围 选择抛光过的表面没有刮痕的不锈钢板槽液充分活化，以 1.5ASD电镀 铜厚度50-60um（一次性）取下所需铜皮，烘烤 120-130 度 4-6 小时,测试延展性和抗拉强度。,镀铜流程晶体结构和物理性能,标准浓度的光亮剂和整平剂 少量 twins 晶体结构尺寸:2-5m 延展性:18%抗拉强度:28KN/cm2,镀铜流程 晶体结构和物理性能,高电流密度区太多的有机污染:晶体结构（晶界）有异常 晶体尺寸:1-3m 延展性:3%抗拉强度:30KN/cm2,镀铜流程-电镀铜均匀性测试,电镀铜均匀性主要由设备的设计决定。有机添加剂和其他药水浓度对分布仅仅起次要的作用。因此，在新线开始时将电镀均匀性调整和优化好是非常重要的。通常电镀均匀性以 COV%计算,此外在有些厂也以R值来计算。,谢 谢！,