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    数字电子技术加英文注释.ppt

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    数字电子技术加英文注释.ppt

    ,第2章 逻辑门电路,2.1 概述2.2 半导体二极管和三极管的 开关特性2.3 最简单的与、或、非门电路2.4 TTL 集成逻辑门电路2.5 CMOS 集成逻辑门电路2.6 集成逻辑门的应用2.7 本章小结,Logic Gates,2.1 概 述,主要要求:,了解逻辑门电路的作用和常用类型。,理解高电平信号和低电平信号的含义。,2.1 概述,门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。,正逻辑:用高电平表示逻辑1,用低电平表示逻辑0负逻辑:用低电平表示逻辑1,用高电平表示逻辑0 在数字系统的逻辑设计中,若采用NPN晶体管和NMOS管,电源电压是正值,一般采用正逻辑。若采用的是PNP管和PMOS管,电源电压为负值,则采用负逻辑比较方便。今后除非特别说明,一律采用正逻辑。,2.1 概述,一、正逻辑与负逻辑,VI控制开关S的断、通情况。S断开,VO为高电平;S接通,VO为低电平。,2.1 概述,二、逻辑电平,实际开关为晶体二极管、三极管以及场效应管等电子器件,Logic Levels,The voltages used to represent a 1 and a 0 are called logic levels.,逻辑电平,高电平UH:输入高电平UIH输出高电平UOH低电平UL:输入低电平UIL输出低电平UOL逻辑“0”和逻辑“1”对应的电压范围宽,因此在数字电路中,对电子元件、器件参数精度的要求及其电源的稳定度的要求比模拟电路要低。,2.1 概述,5V,0V,0.8V,2V,TTL:HIGH 2-5V and LOW 0-0.8V.,This figure illustrates the general range of LOWs and HIGHs for a digital circuit.,Logic level for typical CMOS logic circuits,主要要求:,理解二极管、三极管的开关特性。,掌握二极管、三极管开关工作的条件。,2.2二极管和三极管的开关特性,一、二极管伏安特性,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,门坎电压Uth,反向击穿电压,二极管的单向导电性:外加正向电压(Uth),二极管导通,导通压降约为0.7V;外加反向电压,二极管截止。,2.2.1 半导体二极管的开关特性,利用二极管的单向导电性,相当于一个受外加电压极性控制的开关。,当uI=UIL时,D导通,uO=0.7=UOL 开关闭合,二、二极管开关特性,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,假定:UIH=VCC,UIL=0,当uI=UIH时,D截止,uo=VCC=UOH 开关断开,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,一、双极型三极管结构,2.2.2 双极型三极管的开关特性,因有电子和空穴两种载流子参与导电过程,故称为双极型三极管。,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,二、双极型三极管输入特性,双极型三极管的应用中,通常是通过b,e间的电流iB控制c,e间的电流iC实现其电路功能的。因此,以b,e间的回路作为输入回路,c,e间的回路作为输出回路。,输入回路实质是一个PN结,其输入特性基本等同于二极管的伏安特性。,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,三、双极型三极管输出特性,放大区:发射结正偏,集电结反偏;ubeuT,ubcVT,ubcVT;深度饱和状态下,饱和压降UCEs 约为0.2V。,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,四、双极型三极管开关特性,利用三极管的饱和与截止两种状态,合理选择电路参数,可产生类似于开关的闭合和断开的效果,用于输出高、低电平,即开关工作状态。,当uI=UIL时,三极管截止,uO=Vcc=UOH 开关断开,假定:UIH=VCC,UIL=0,当uI=UIH时,三极管深度饱和,uo=UCES=UOL 开关闭合,MOS管是金属氧化物半导体场效应管的简称。(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)由于只有多数载流子参与导电,故也称为单极型三极管。,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,一、MOS管结构,2.2.3 MOS管的开关特性,NMOS管电路符号,PMOS管电路符号,2.2 半导体二极管和三极管的开关特性,二、MOS管开关特性,NMOS管的基本开关电路,当uI=UIL时,MOS管截止,uO=VDD=UOH 开关断开,当uI=UIH时,MOS管导通,uo=0=UOL 开关闭合,选择合适的电路参数,则可以保证,2.3 最简单的与、或、非门电路,一、二极管与门,Y=AB,Implement AND-gate with diodes,二、二极管或门,Y=A+B,2.3 最简单的与、或、非门电路,Implement OR-gate with diodes,三、三极管非门,输入为低,输出为高;输入为高,输出为低。,利用二极管的压降为0.7V,保证输入电压在1V以下时,开关电路可靠地截止。,2.3 最简单的与、或、非门电路,Implement inverter with BJT,主要要求:,了解 TTL 非门的组成和工作原理。,了解 TTL 集成逻辑门的主要参数和使用常识。,2.4TTL 集成逻辑门,掌握集电极开路门和三态门的逻辑功能和应用。,掌握 TTL 基本门的逻辑功能和主要外特性。,(Transistor-Transistor-Logic),2.4 TTL集成门电路,TTL非门典型电路,一、74系列门电路,推拉式输出级作用:降低功耗,提高带负载能力,TTL inverter Logic circuit,TTL与非门典型电路,区别:T1改为多发射极三极管。,2.4 TTL集成门电路,TTL NAND-gate,TTL或非门典型电路,区别:有各自的输入级和倒相级,并联使用共同的输出级。,2.4 TTL集成门电路,TTL NOR-gate,二、74S系列门电路,74S系列又称肖特基系列。采用了抗饱和三极管,或称肖特基晶体管,是由普通的双极型三极管和肖特基势垒二极管SBD组合而成。SBD的正向压降约为0.3V,使晶体管不会进入深度饱和,其Ube限制在0.3V左右,从而缩短存储时间,提高了开关速度。,抗饱和三极管,2.4 TTL集成门电路,三、TTL系列门电路,74:标准系列;,74H:高速系列;,74S:肖特基系列;,74LS:低功耗肖特基系列;74LS系列成为功耗延迟积较小的系列。74LS系列产品具有最佳的综合性能,是TTL集成电路的主流,是应用最广的系列。,性能比较好的门电路应该是工作速度既快,功耗又小的门电路。因此,通常用功耗和传输延迟时间的乘积(简称功耗延迟积)来评价门电路性能的优劣。功耗延迟积越小,门电路的综合性能就越好。,74AS:先进肖特基系列;,74ALS:先进低功耗肖特基系列。,2.4 TTL集成门电路,74LS系列常用芯片,2.4 TTL集成门电路,与门,或门,异或门,2.4 TTL集成门电路,四、TTL门电路的重要参数,1.电压传输特性:输出电压跟随输入电压变化的关系曲线。,测试电路,低电平输入电压UIL,max0.8V高电平输入电压UIH,min2V低电平输出电压UOL,max0.5V高电平输出电压UOH,min2.7V,74LS系列门电路标准规定:,2.4 TTL集成门电路,截止区,线性区,转折区,饱和区,实际应用中,由于外界干扰、电源波动等原因,可能使输入电平UI偏离规定值。为了保证电路可靠工作,应对干扰的幅度有一定限制,称为噪声容限。,2.输入噪声容限,高电平噪声容限是指高电平(逻辑1)所对应的电压范围,用UNH表示:,低电平噪声容限是指低电平(逻辑0)所对应的电压范围,用UNL表示:,UNL=UIL,maxUIL,UNH=UIHUIH,min,2.4 TTL集成门电路,UOH,min,UIH,min,UNH,UIL,max,UOL,max,UNL,输入低电平噪声容限:UNL=UIL,maxUOL,max输入高电平噪声容限:UNH=UOH,minUIH,min,74LS系列门电路前后级联时的输入噪声容限为:,UNL=0.8V0.5V=0.3VUNH=2.7V2.0V=0.7V,5V,2.7V,0.5V,0V,5V,2V,0.8V,0V,2.4 TTL集成门电路,3.扇出系数,扇出系数N是指门电路能够驱动同类门的数量。,要求:前级门在输出高、低电平时,要满足其输出电流IOH和IOL均大于或等于N个后级门的输入电流的总和。,计算:输出为高电平时,可以驱动同类门的数目N1;输出为低电平时,可以驱动同类门的数目N2;扇出系数min(N1,N2)。,低电平输入电流IIL,max-0.4mA高电平输入电流IIH,max20A低电平输出电流IOL,max8mA高电平输出电流IOH,max-0.4mA,74LS系列门电路标准规定:,2.4 TTL集成门电路,fan-out,例:如图,试计算74LS系列非门电路G1最多可驱动多少个同类门电路。,解:G1输出为低电平时,可以驱动N1个同类门;,应满足 IOL N1|IIL|,G1输出为高电平时,可以驱动N2个同类门;,Nmin(N1,N2)20,N1 IOL/|IIL|8mA/0.4mA 20,应满足|IOH|N2 IIH,N2|IOH|/IIH 0.4mA/20A 20,2.4 TTL集成门电路,五、集电极开路的门电路(OC门),“线与”,推拉式输出级并联,1.“线与”的概念,2.4 TTL集成门电路,Open-collector gate,Line AND,普通的TTL门电路不能将输出端直接并联,进行线与。解决这个问题的方法就是把输出极改为集电极开路的三极管结构。,OC门电路在工作时需外接上拉电阻和电源。只要电阻的阻值和电源电压的数值选择得当,就可保证输出的高、低电平符合要求,输出三极管的负载电流又不至于过大。,2.OC门的电路结构和逻辑符号,2.4 TTL集成门电路,3.OC门的“线与”功能,2.4 TTL集成门电路,Line AND(线与),Line AND,当n个前级门输出均为高电平,即所有OC门同时截止时,为保证输出的高电平不低于规定的UOH,min值,上拉电阻不能过大,其最大值计算公式:,4.外接上拉电阻RU的计算方法,2.4 TTL集成门电路,当n个前级门中有一个输出为低电平,即所有OC门中只有一个导通时,全部负载电流都流入导通的那个 OC门,为确保流入导通OC门的电流不至于超过最大允许的IOL,max值,RU值不可太小,其最小值计算公式:,2.4 TTL集成门电路,5.OC门的应用,实现线与。可以简化电路,节省器件。,实现电平转换。如图所示,可使输出高电平变为10V。,用做驱动器。如图是用来驱动发光二极管的电路。,2.4 TTL集成门电路,六、三态输出门电路(TS门),1.三态门的电路结构和逻辑符号,输出有三种状态:高电平、低电平、高阻态。,控制端或使能端,2.4 TTL集成门电路,Tri-state gate(TS,三态门),高电平有效,低电平有效,两种控制模式:,2.4 TTL集成门电路,EN is active-LOW,EN is active-HIGH,2.三态门的应用,数据总线结构 只要控制各个门的EN端轮流为1,且任何时刻仅有一个为1,就可以实现各个门分时地向总线传输。,实现数据双向传输 EN=1,G1工作,G2高阻,A经G1反相送至总线;EN=0,G1高阻,G2工作,总线数据经G2反相从Y端送出。,2.4 TTL集成门电路,七、TTL门电路多余输入端的处理,1.与非门的处理,“1”,悬空,2.或非门、与或非门的处理,“0”,2.4 TTL集成门电路,(1)CMOS电路的工作速度比TTL电路的低。(2)CMOS带负载的能力比TTL电路强。(3)CMOS电路的电源电压允许范围较大,约在318V,抗干扰能力比TTL电路强。(4)CMOS电路的功耗比TTL电路小得多。门电路的功耗只有几个W,中规模集成电路的功耗也不会超过100W。(5)CMOS集成电路的集成度比TTL电路高。(6)CMOS电路容易受静电感应而击穿,在使用和存放时应注意静电屏蔽,焊接时电烙铁应接地良好,尤其是CMOS电路多余不用的输入端不能悬空,应根据需要接地或接高电平。,2.5 CMOS集成门电路,CMOS电路的特点:,常用CMOS逻辑门器件系列:4000系列;74HC系列高速CMOS系列。,一、MOS管的开关特性,输入低电平,NMOS管截止;输入高电平,NMOS管导通。,输入低电平,PMOS管导通;输入高电平,PMOS管截止。,2.5 CMOS集成门电路,二、CMOS非门,2.5 CMOS集成门电路,CMOS非门电压传输特性,CMOS非门电流传输特性,CMOS反相器的传输特性接近理想开关特性,因而其噪声容限大,抗干扰能力强。,2.5 CMOS集成门电路,三、CMOS与非门(P并N串),2.5 CMOS集成门电路,四、CMOS或非门(P串N并),2.5 CMOS集成门电路,输出的高低电平受输入端数目的影响 输入端数目越多,串联的驱动管数目也越多,输出的低电平越高;当输入全部为低电平时,输入端越多,负载管并联的数目越多,输出高电平也会更高些。输入端工作状态不同时对电压传输特性也有一定影响。为了克服这些缺点,在目前生产的CC4000系列和74HC系列CMOS电路中均采用带缓冲级的结构,就是在门电路的每个输入端、输出端各增设一级反相器。加进的这些具有标准参数的反相器称为缓冲器。,注意,加入缓冲器以后,电路的逻辑功能发生了变化。,带缓冲级的门电路的输出电阻、输出的高、低电平以及电压传输特性将不受输入状态的影响。,带缓冲级的CMOS与非门电路,带缓冲级的CMOS或非门电路,特点:需外接上拉电阻。应用:与OC门类似,输出端可以并接,实现“线与”功能;实现电平转换。可以带大电流的负载。,五、漏极开路的CMOS门电路(OD),2.5 CMOS集成门电路,六、CMOS传输门和双向模拟开关,C0、,TN和TP截止,相当于开关断开。C1、,TN和TP导通,相当于开关接通,uoui。,由于T1、T2管的结构形式是对称的,即漏极和源极可互易使用,因而CMOS传输门属于双向器件,它的输入端和输出端也可互易使用。,2.5 CMOS集成门电路,COMS传输门与前面所讲的推拉式输出的门电路、OC门、三态门的区别:推拉式输出的门电路、OC门、三态门只能用来传输0、1 信号,而传输门可以传输0VDD之间的任何信号。,传输门是一个理想的双向开关,可传输模拟信号,也可传输数字信号。,TG 即 Transmission Gate 的缩写,CMOS 传输门,CMOS双向模拟开关的电路结构和符号,七、CMOS三态输出门,电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态,是一种三态门。,时,TP2、TN2均截止,Y与地和电源都断开了,输出端呈现为高阻态。时,TP2、TN2均导通,TP1、TN1构成反相器。,1.CMOS三态门之一,2.5 CMOS集成门电路,时,TG截止,输出端呈现高阻态。时,TG导通,。,2.CMOS三态门之二,2.5 CMOS集成门电路,2.6 集成逻辑门的应用,主要要求:,了解 TTL 和 CMOS 电路的主要差异。,了解集成门电路的选用和应用。,一、CMOS 门电路比 TTL 的主要特点,注意:CMOS 电路的扇出系数大是由于其负载门的输入阻抗很高,所需驱动功率极小,并非 CMOS 电路的驱动能力比 TTL 强。实际上 CMOS4000 系列驱动能力远小于 TTL,HCMOS 驱动能力与 TTL 相近。,二、集成逻辑门电路的选用,若要求功耗低、抗干扰能力强,则应选用 CMOS 电路。其中 CMOS4000 系列一般用于工作频率 1 MHz 以下、驱动能力要求不高的场合;HCMOS 常用于工作频率 20 MHz 以下、要求较强驱动能力的场合。,若对功耗和抗干扰能力要求一般,可选用 TTL 电路。目前多用 74LS 系列,它的功耗较小,工作频率一般可用至 20 MHz;如工作频率较高,可选用 CT74ALS 系列,其工作频率一般可至 50 MHz。,集成门的选用要点,(1)实际使用中的最高工作频率 fm 应不大于逻辑门最高工作 频率 fmax 的一半。,实物图片,双列直插 14 引脚四 2 输入与非门,TTL 集成门的类型很多,那么如何识别它们?各类型之间有何异同?如何选用合适的门?,三、TTL 集成门应用要点,1.各系列 TTL 集成门的比较与选用,用于民品,用于军品,具有完全相同的电路结构和电气性能参数,但 CT54 系列更适合在温度条件恶劣、供电电源变化大的环境中工作。,按工作温度和电源允许变化范围不同分为,2.TTL 集成逻辑门的使用要点,(1)电源电压用+5 V,,74 系列应满足 5 V 5%。,(2)输出端的连接,普通 TTL 门输出端不允许直接并联使用。,三态输出门的输出端可并联使用,但同一时刻只能有一个门工作,其他门输出处于高阻状态。,集电极开路门输出端可并联使用,但公共输出端和电源 VCC 之间应接负载电阻 RL。,输出端不允许直接接电源 VCC 或直接接地。输出电流应小于产品手册上规定的最大值。,3.多余输入端的处理,与门和与非门的多余输入端接逻辑 1 或者与有用输入端并接。,If the input is no-connection,it is the same function as input-HIGH.(悬空相当于高电平),接 VCC,通过 1 10 k 电阻接 VCC,与有用输入端并接,TTL 电路输入端悬空时相当于输入高电平,做实验时与门和与非门等的多余输入端可悬空,但使用中多余输入端一般不悬空,以防止干扰。,或门和或非门的多余输入端接逻辑 0或者与有用输入端并接,解:,OC 门输出端需外接上拉电阻,5.1k,510,RC,RI ROFF,相应输入端为低电平。,RI RON,相应输入端为高电平。,Y=1,Y=0,四、CMOS 数字集成电路应用要点,民品,军品,VDD=2 6 V,T 表示与 TTL 兼容VDD=4.5 5.5 V,1.注意不同系列 CMOS 电路允许的电源电压范围不同,一般多用+5 V。电源电压越高,抗干扰能力也越强。,CMOS 集成逻辑门使用要点,2.闲置输入端的处理,不允许悬空。,可与使用输入端并联使用。但这样会增大输入电容,使速度下降,因此工作频率高时不宜这样用。,与门和与非门的闲置输入端可接正电源或高电平;或门和或非门的闲置输入端可接地或低电平。,五、集成逻辑门电路应用举例,例 试改正下图电路的错误,使其正常工作。,2.7 本章小结,利用半导体器件的开关特性,可以构成与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等各种逻辑门电路,也可以构成在电路结构和特性两方面都别具特色的三态门、OC门、OD门和传输门。随着集成电路技术的飞速发展,分立元件的数字电路已被集成电路所取代。TTL电路的优点是开关速度较高,抗干扰能力较强,带负载的能力也比较强,缺点是功耗较大。CMOS电路具有制造工艺简单、功耗小、输入阻抗高、集成度高、电源电压范围宽等优点,其主要缺点是工作速度稍低,但随着集成工艺的不断改进,CMOS电路的工作速度已有了大幅度的提高。,不同 TTL 系列,RON、ROFF 不同。,相应输入端相当于输入低电平,也即相当于输入逻辑 0。,逻辑0,因此 Ya 输出恒为高电平 UOH。,相应输入端相当于输入高电平,也即相当于输入逻辑 1。,逻辑1,因此,可画出波形如图所示。,解:图(a)中,RI=300 ROFF 800,图(b)中,RI=5.1 k RON 3 k,

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