77晶闸管的触发电路.ppt

7-7晶闸管的触发电路,教学要求:1、掌握单结晶体管触发电路的工作原理2、熟悉晶体管触发电路的工作原理,一、触发电路：为晶体管门极提供触发电压的电路。1、对触发电路的要求：（1）触发电压必须与晶闸管阳极电压同步，以保证晶闸管在每一周期的同一时刻触发。（2）触发电压应满足主电路移相范围的要求，移相范围即主电路导通角的变化范围。,7-7晶闸管的触发电路,触发电路的要求,（3）触发脉冲的前沿要陡，以保证触发时刻的准确，宽度要满足一定的要求，以保证可靠触发。（4）具有一定的抗干扰能力。（5）触发电压应有足够的电压和功率，电压幅度一般4-10v。,触发电路,2、触发脉冲的输出方式：直接输出和脉冲变压器输出。3、触发电路的种类：单结晶体管触发电路和晶体管触发电路。,二、单结晶体管触发电路1、单结晶体管(1)外形及符号 图10.27所示为单结晶体管的外形图及电路符号。,图10.27 单结管的外形、符号图,单结晶体管触发电路,(2)单结管的结构 单结晶体管的结构及等效电路如图所示。单结晶体管又称为双基极二极管，有一个PN结，一个发射极和两个基极。,单结管结构及等效电路,(3)单结管的伏安特性 用实验方法可以得出单结管的伏安特性，如图10.29所示。,图10.29 单结晶体管的特性,谷点,峰点,单结管的伏安特性,图中：,单结管的伏安特性分为三个区：截止区：当uEB1UP，PN结正偏，iE猛增，uEB1反而减小，呈现负阻效应。饱和区：当uEB1下降到谷点以后，iE增加，uEB1也有所增加，但变化较小，器件进入饱和区，当uEB1Uv时管子重新截止。,单结管的伏安特性,单结晶体管的特点,（4）单结晶体管的特点1）单结晶体管发射极电压等于峰点电压时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压小于谷点电压时，管子由导通变为截止，谷点电压在2-5v之间。2）单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1是一个阻值随发射极电流增大而减小的电阻，RB2则是一个与发射极电流无关的电阻。3）不同的晶体管有不同的UP、UV，若电源电压不同，二者也会改变，在触发电路中常选用UV大一些或IV大一些的单结晶体管。,2、单结晶体管振荡电路,E,R1,当电源接通时电源通过R对C充电，E点电位逐渐升高，当上升到up时，单结管导通，发射极电流突然增大，电容C通过发射极、第一基极、电阻R1放电，由于R1很小，故放电速度快，电容两端电压下降很快，uO下降很快,当下降到单结晶体管的谷点电压，单结晶体管截止，输出电流、电压为0。接着电源又重新开始对C充电，重复以上过程。,因此，在电容器两端得到锯齿波，在输出端得到脉冲尖顶波。调整RC可以调整电容充放电速度，使输出波形前移或移，从而控制晶闸管的触发时刻。RC乘积较大时，后移。,单结晶体管振荡电路,单结晶体管触发电路,3、单结晶体管触发电路由于每半个周期内第一个脉冲将晶体管触发后，后面的脉冲均无作用，因此只要改变每半周第一个脉冲产生的时间即改变了控制角的大小，在实际中可利用改变充电电阻R的方法来实现改变控制角从而实现移相的目的。特点：电路简单，调试方便，脉冲前沿陡，抗干扰能力强，但输出功率和移相范围小，脉冲较窄，多用中、小容量晶闸管的单相可控整流。,图10.33(a)单结晶体管同步触发器电路图,电路中各点波形如图10.33(b)所示。,图10.33(b)单结晶体管同步触发器波形图,晶体管触发电路,4、晶体管触发电路对要求触发功率大，输出电压与控制电压线性好的晶闸管整流电路，常采用由晶体管组成的触发电路。常见的有同步电压为锯齿波的晶体管触发电路。见P237图7-41特点:移相范围大，输出电压和电流线性好，适用于大中容量的晶闸管。,