微电子器件(测验).ppt

某硅突变 PN 结的 NA=1.51014 cm-3，ND=1.51018 cm-3，试求室温下：1、平衡时的 pp0、nn0、pn0 和 np0；2、外加 0.2V 正向电压时的 pn(xn)和 np(-xp)；3、内建电势 Vbi。,测验一,测验二,一、1、写出 PN 结正向扩散电流密度 Jdn、Jdp 的表达式。2、当 NA ND 时，Jdn与 Jdp 中以哪种电流密度为主？二、某突变结的雪崩击穿临界电场为 EC=4.4 105 V/cm，雪崩击穿电压为 220V，试求发生击穿时的耗尽区宽度 xdB。,答案一、1、,2、当 NA ND 时，Jdn Jdp,二、,1、某 NPN 晶体管的，试求该管的浮空电势。2、试求该管当发射极开路集电结反偏时，基区中邻近发射区一侧的少子浓度 nB(0)是该处平衡少子浓度 nB0 的多少倍。,测验三,答案,求下图共发射极 T 形等效电路中 与 并联支路的分界频率，通常可以忽略哪个元件？,测验四,答案,通常因，所以可忽略。,测验五,1、某 N 沟道 MOSFET 的 VT=1V，=10-3AV 2，试求当 VGS=4V，而 VDS 分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。2、试求该 MOS 管当 VDS=2V，VGS 分别为 2V、3V、4V 时的漏极电流之值。,答案,1、4 mA、4.5 mA、4.5 mA 2、0.5 mA、2 mA、4 mA,