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    适合初学者看的能带理论.ppt

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    适合初学者看的能带理论.ppt

    1,前言,第 八 章 晶体的能带结构,从STM得到的硅晶体表面的原子结构图,物理学前言之一,材料的性质,大规模集成电路,半导体激光器,超导,人工微结构,2,8.1 晶体的能带,一.电子共有化,晶体具有大量分子、原子或离子有规则排列的点阵结构。,电子受到周期性势场的作用。,按量子力学须解定态薛定格方程。,3,解定态薛定格方程(略),可以得出两点重要结论:,1.电子的能量是分立的能级;,2.电子的运动有隧道效应。,原子的外层电子(高能级),势垒穿透概率较大,电子可以在整个晶体中运动,称为共有化电子。,原子的内层电子与原子核结合较紧,一般不是 共有化电子。,4,二.能带(energy band),量子力学计算表明,晶体中若有N个原子,由于各原子间的相互作用,对应于原来孤立原子的每一个能级,在晶体中变成了N条靠得很近的能级,称为能带。,晶体中的电子能级有什么特点?,5,能带的宽度记作E,数量级为 EeV。,若N1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。,一般规律:,1.越是外层电子,能带越宽,E越大。,2.点阵间距越小,能带越宽,E越大。,3.两个能带有可能重叠。,6,离子间距,a,2P,2S,1S,E,0,能带重叠示意图,7,三.能带中电子的排布,晶体中的一个电子只能处在某个能带中的 某一能级上。,排布原则:,1.服从泡里不相容原理(费米子),2.服从能量最小原理,设孤立原子的一个能级 Enl,它最多能容纳 2(2+1)个电子。,这一能级分裂成由 N条能级组成的能带后,能带最多能容纳 2N(2l+1)个电子。,8,电子排布时,应从最低的能级排起。,有关能带被占据情况的几个名词:,1满带(排满电子),2价带(能带中一部分能级排满电子)亦称导带,3空带(未排电子)亦称导带,4禁带(不能排电子),2、3能带,最多容纳 6N个电子。,例如,1、2能带,最多容纳 2N个电子。,2N(2l+1),9,一.布洛赫定理,一个在周期场中运动的电子的波函数应具有哪些基本特点?,在量子力学建立以后,布洛赫(F.Bloch)和布里渊(Brillouin)等人就致力于研究周期场中电子的运动问题。他们的工作为晶体中电子的能带理论奠定了基础。,布洛赫定理指出了在周期场中运动的电子波函数的特点。,8.2(补充)布洛赫定理 空间,10,在一维情形下,周期场中运动的电子能量E(k)和波函数 必须满足定态薛定谔方程,k-表示电子状态的角波数V(x)-周期性的势能函数,它满足 V(x)=V(x+n a)a-晶格常数 n-任意整数,11,布洛赫定理:,式中 也是以a为周期的周期函数,即*,注*:关于布洛赫定理的证明,有兴趣的读者 可以查阅固体物理学黄昆原著 韩汝琦改编(1988)P154,具有(2)式形式的波函数称为布洛赫波函数,或布洛赫函数。,满足(1)式的定态波函数必定具有如下的特殊形式,12,布洛赫定理说明了一个在周期场中运动的电子波函数为:一个自由电子波函数 与一个具有晶体结构周期性的函数 的乘积。,只有在 等于常数时,在周期场中运动的 电子的波函数才完全变为自由电子的波函数。,这在物理上反映了晶体中的电子既有共有化的 倾向,又有受到周期地排列的离子的束缚的特点。,因此,布洛赫函数是比自由电子波函数 更接近实际情况的波函数。,它是按照晶格的周期 a 调幅的行波。,13,实际的晶体体积总是有限的。因此必须考虑边界条件。,设一维晶体的原子数为N,它的线度为 L=Na,则布洛赫波函数 应满足如下条件,此式称为周期性边界条件。,二.周期性边界条件,采用周期性边界条件以后,具有 N 个晶格点的晶体就相当于首尾衔接起来的圆环:,在固体问题中,为了既考虑到晶体势场的周期性,又考虑到晶体是有限的,我们经常合理地采用周期性边界条件:,14,由周期性边界条件可以推出:布洛赫波函数 的波数 k 只能取一些特定的分立值。,周期性边界条件对波函数中的波数是有影响的。,图 2 周期性边界条件示意图,15,左边为,右边为,所以,由周期性边界条件,即周期性边界条件使 k 只能取分立值:,证明如下:,按照布洛赫定理:,16,k 是代表电子状态的角波数,n 是代表电子状态的量子数。,对于三维情形,电子状态由一组量子数(nx、ny、nz)来代表。它对应一组状态角波数(kx、ky、kz)。,一个 对应电子的一个状态。,17,在 空间中,电子的每个状态可以用一个状态点来表示,这个点的坐标是,三.空间,18,上式告诉我们,沿 空间的每个坐标轴方向,电子的相邻两个状态点之间的距离都是。,图 3 表示二维 空间每个点所占的面积是。,因此,空间中每个状态点所占的体积为。,图 3 二维 空间 示意图,19,8.3 克朗尼格-朋奈模型 能带中的能级数目,一.克朗尼格-朋奈模型,能带理论是单电子近似理论。,布洛赫定理指出,一个在周期场中运动的电子,其波函数一定是布洛赫函数。,下面我们通过一个最简单的一维周期场-克朗尼格-朋奈(Kroning-Penney)模型来说明晶体中电子的能量特点。,周期性边界条件的引入,说明了电子的状态是分立的。,它把每个电子的运动看成是独立地在一个等效势场中的运动。,现在再来说明电子的能量有什么特点?,回顾:,20,克朗尼格-朋奈模型是把图1的周期场简化为图 4 所示的周期性方势阱。假设电子是在这样的周期势场中运动。,在 0 x a 一个周期的区域中,电子的势能为,21,按照布洛赫定理,波函数应有以下形式,式中,即可得到 满足的方程,将波函数 代入定态薛定谔方程,22,利用波函数应满足的有限、单值、连续等物理(自然)条件,进行一些必要的推导和简化,最后可以得出下式,注*:有兴趣的读者可参阅固体物理基础 蔡伯熏编(1990)P 268。,式中,而 是电子波的角波数*。,(4)式就是电子的能量 E 应满足的方程,也是电子能量 E与角波数 k 之间的关系式。,23,(4)式的左边是 能量E 的一个较复杂的函数,记作 f(E);,由于,所以使 的 E 值都不满足方程。,下图5 为 给出了一定的 a、b、U0 数值后的 f(E):,右边是角波数 k 的函数。,24,由图看出,在允许取的 E值(暂且称为能级)之间,有一些不允许取的 E值(暂且称为能隙)。,下面 的图 6 为E k 曲线的某种表达图式。,25,26,两个相邻能带之间的能量区域称为禁带。,晶体中电子的能量只能取能带中的数值,而不能取禁带中的数值。,27,E k 曲线与 a 有关、与 U0b 乘积有关。,乘积 U0b 反映了势垒的强弱。,由于原子的内层电子受到原子核的束缚较大,与外层电子相比,它们的势垒强度较大。,计算表明:U0b 的数值越大所得到的能带越窄。,所以,内层电子的能带较窄。外层电子的能带较宽。,28,从 E k 曲线还可以 看出:k 值越大,相应的能带越宽。,由于晶体点阵常数 a 越小,相应于 k 值越大。,因此,晶体点阵常数 a 越小,能带的宽度就越大。有的能带甚至可能出现重叠的现象。,这些都与 8.1 节“概述”中介绍的结论是一致的。,29,二.能带中的能级数,晶体中电子的能量不能取禁带中的数值,只能取能带中的数值。由 图 5 可以看出:,第一能带 k 的取值范围为,第二能带 k 的取值范围为,第三能带 k 的取值范围为,每个能带所对应的 k 的取值范围都是*。,注*:我们把以原点为中心的第一能带所处的 k 值 范围称为第一布里渊区;第二、第三能带所处的 k值范围称为第二、第三布里渊区,并以此类推。,30,所以,晶体中电子的能带中有 N 个能级。,电子在晶体中按能级是如何排布的呢?,电子是费密子,它的排布原则有以下两条:,(1)服从泡里不相容原理(2)服从能量最小原理,而在 空间每个状态点所占有的长度为,因此,每一能带中所包含的(状态数)能级数为,每个能带所对应的 k 的取值范围都是。,31,对于孤立原子的一个能级 Enl 按照泡里不相容原理,最多能容纳 2(2 l+1)个电子。,在形成固体后,这一能级分裂成 由 N 条能级组成的能带了,它最多能容纳的电子数为 2N(2l+1)个。,例如,对孤立原子的1S、2S能级,在形成固体后相应地成为两个能带。它们最多能容纳的电子数为 2N个。,对孤立原子的 2P、3P能级,在形成固体后也相应地成为两个能带。它们最多能容纳的电子数为 6N个。,电子排布时还得按照能量最小原理从最低的能级排起。,32,孤立原子的最外层电子能级可能填满了电子也可能未填满了电子。若原来填满电子的,在形成固体时,其相应的能带也填满了电子。,若孤立原子中较高的电子能级上没有电子,在形成固体时,其相应的能带上也没有电子。,若原来未填满电子的,在形成固体时,其相应的能带也未填满电子。,孤立原子的内层电子能级一般都是填满的,在形成固体时,其相应的能带也填满了电子。,33,排满电子的能带称为满带;,排了电子但未排满的称为未满带(或导带);,未排电子的称为空带;,(有时也称为导带);,两个能带之间的禁带是不能排电子的。,34,8.4 导体和绝缘体(conductor insulator),它们的导电性能不同,是因为它们的能带结构不同。,晶体按导电性能的高低可以分为,35,导体,导体,导体,半导体,绝缘体,Eg,Eg,Eg,36,在外电场的作用下,大量共有化电子很 易获得能量,集体定向流动形成电流。,从能级图上来看,是因为其共有化电子很易从低能级跃迁到高能级上去。,E,导体,37,从能级图上来看,是因为满带与空带之间有一个较宽的禁带(Eg 约36 eV),共有化电子很难从低能级(满带)跃迁到高能级(空带)上去。,在外电场的作用下,共有化电子很难接 受外电场的能量,所以形不成电流。,的能带结构,满带与空带之间也是禁带,但是禁带很窄(E g 约0.12 eV)。,绝缘体,半导体,38,绝缘体与半导体的击穿,当外电场非常强时,它们的共有化电子还是能越过禁带跃迁到上面的空带中的。,绝缘体,半导体,导体,

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