数电模电超有用知识点,值得拥有.docx

数字电子技术重要知识点汇总一、主要知识点总结和要求1. 数制、编码其及转换：要求：能熟练在10进制、2进制、8进制、16进制、8421BCD、 格雷码之间进行相互转换。举例 1: (37.25) 10= ()2=()；("他解：(37.25) 10= ( 100101.01 )2= ( 25.4 )16= ( 00110111.00100101 ) 8421BCD2. 逻辑门电路：(1)基本概念1) 数字电路中晶体管作为开关使用时，是指它的工作状态处于饱和状态和截止状态2) TTL门电路典型高电平为3.6 V,典型低电平为0.3 V3) OC门和OD门具有线与功能。4) 三态门电路的特点、逻辑功能和应用。高阻态、高电平、低电平5) 门电路参数：噪声容限Vnh或Vnl、扇出系数株、平均传输时间tpd。要求：掌握八种逻辑门电路的逻辑功能；掌握OC门和OD门，三态1门电路的逻辑功能；能 根据输入信号画出各种逻辑门电路的输出波形。举例2：画出下列电路的输出波形。解：由逻辑图写出表达式为：Y = A + BC=A + B + C，则输出Y见上。3. 基本逻辑运算的特点：与运算：见零为零，全1为1;或运算：见1为1,全零为零 与非运算：见零为1,全1为零；或非运算：见1为零，全零为1 异或运算：相异为1,相同为零；同或运算：相同为1,相异为零 非运算：零变1, 1变零； 要求：熟练应用上述逻辑运算。4. 数字电路逻辑功能的几种表示方法及相互转换。 真值表(组合逻辑电路)或状态转换真值表(时序逻辑电路)：是由变量的所有可能取值 组合及其对应的函数值所构成的表格。 逻辑表达式：是由逻辑变量和与、或、非3种运算符连接起来所构成的式子。 卡诺图：是由表示变量的所有可能取值组合的小方格所构成的图形。11X100X000XX11XX节、加 D1 11 ID 逻辑图：是由表示逻辑运算的逻辑符号所构成的图形。 波形图或时序图：是由输入变量的所有可能取值组合的高、低电平及其对应的输出函数值 的高、低电平所构成的图形。 状态图（只有时序电路才有）：描述时序逻辑电路的状态转换关系及转换条件的图形称为 状态图。要求：掌握这五种（对组合逻辑电路）或六种（对时序逻辑电路）方法之间的相互转换5. 逻辑代数运算的基本规则 反演规则：对于任何一个逻辑表达式Y,如果将表达式中的所有“ ”换成" + ” " + ”换成“”,“0”换成“1”，“1”换成“0”，原变量换成反变量，反变量换成原变量那么所得到的表达式就是函数Y的反函数Y （或称补函数）。这个规则称为反演规则 对偶规则：对于任何一个逻辑表达式Y,如果将表达式中的所有“ ”换成" + ”，" + ” 换成“”，“0”换成“1”，“1”换成“0”，而变量保持不变，则可得到的一个新的函数表 达式Y，Y'称为函Y的对偶函数。这个规则称为对偶规则。要求：熟练应用反演规则和对 偶规则求逻辑函数的反函数和对偶函数。举例3：求下列逻辑函数的反函数和对偶函数Y = AB + CD EY = ( a + B 料D%碧)Y ' = (A + B )(C + D + E)解：反函数：6. 逻辑函数化简要求：熟练掌握逻辑函数的两种化简方法。 公式法化简：逻辑函数的公式化简法就是运用逻辑代数的基本公式、定理和规则来化简逻 辑函数举例4：用公式化简逻辑函数：Y=ABC + ABC + BC解:匕=ABC + ABC+BC = (AA)BC + BC = BC + BC =B(CC) = B 图形化简：逻辑函数的图形化简法是将逻辑函数用卡诺图来表示，利用卡诺图来化简逻辑 函数。（主要适合于3个或4个变量的化简）举例5：用卡诺图化简逻辑函数：Y（A,B,C） = zm（0,2,3,7） + Zd（4,6）解：画出卡诺图为nIY = C + B贝寸7. 触发器及其特性方程1）触发器的的概念和特点触发器是构成时序逻辑电路的基本逻辑单元。其具有如下特点 它有两个稳定的状态：0状态和1状态; 在不同的输入情况下，它可以被置成0状态或1状态，即两个稳态可以相互转换 当输入信号消失后，所置成的状态能够保持不变。具有记忆功能2）不同逻辑功能的触发器的特性方程为：RS触发器：Qn+1 = S + RQn，约束条件为：RS=0，具有置0、置1、保持功能。JK触发器：Qn+1 = jQn + KQn，具有置0、置1、保持、翻转功能。D触发器：Qn+1 = D，具有置0、置1功能。T触发器：Qn+1 = TQn + TQn ,具有保持、翻转功能。T'触发器：Qn+1 = Qn （计数工作状态），具有翻转功能。要求：能根据触发器（重点是JK-FF和D-FF）的特性方程熟练地画出输出波形。举例6：已知J，K-FF电路和其输入波形，试画出RnI.IQ8. 脉冲产生和整形电路1）施密特触发器是一种能够把输入波形整形成为适合于数字电路需要的矩形脉冲的电路。要 求：会根据输入波形画输出波形。特点：具有滞回特性，有两个稳态，输出仅由输入决定，即在输入信号达到对应门限电 压时触发翻转，没有记忆功能2）多谐振荡器是一种不需要输入信号控制，就能自动产生矩形脉冲的自激振荡电路特点：没有稳态，只有两个暂稳态，且两个暂稳态能自动转换3）单稳态触发器在输入负脉冲作用下，产生定时、延时脉冲信号，或对输入波形整形特点：电路有一个稳态和一个暂稳态。 在外来触发脉冲作用下，电路由稳态翻转到暂稳态 暂稳态是一个不能长久保持的状态，经过一段时间后，电路会自动返回到稳态 要求：熟练掌握555定时器构成的上述电路，并会求有关参数（脉宽、周期、频率）和画 输出波形。举例7：已知施密特电路具有逆时针的滞回特性，试画出输出波形。解：Vi9. A/D和D/A转换器1）A/D和D/A转换器概念:模数转换器：能将模拟信号转换为数字信号的电路称为模数转换器，简称A/D转换器或ADC。 由采样、保持、量化、编码四部分构成。数模转换器：能将数字信号转换为模拟信号的电路称为数模转换器，简称D/A转换器或DAC。 由基准电压、变换网络、电子开关、反向求和构成。ADC和DAC是沟通模拟电路和数字电路的桥梁，也可称之为两者之间的接口。2）D/A转换器的分辨率分辨率用输入二进制数的有效位数表示。在分辨率为n位的D/A转换器中，输出电压能区分2n个不同的输入二进制代码状态，能给出2n个不同等级的输出模拟电压。分辨率也可以用D/A转换器的最小输出电压与最大输出电压的比值来表示举例8： 10位D/A转换器的分辨率为：11= w 0.001210 -1 10233）A/D转换器的分辨率A/D转换器的分辨率用输出二进制数的位数表示，位数越多，误差 越小，转换精度越高。举例9:输入模拟电压的变化范围为05V，输出8位二进制数可以分辨的最小模拟电压为5VX28=20mV:而输出12位二进制数可以分辨的最小模拟电压为5VX2 121.22mV10. 常用组合和时序逻辑部件的作用和特点组合逻辑部件：编码器、译码器、数据选择器、数据分配器、半加器、全加器。时序逻辑部件：计数器、寄存器。要求：掌握编码器、译码器、数据选择器、数据分配器、半加器、全加器、计数器、寄存 器的定义，功能和特点。举例10：能对两个1位二进制数进行相加而求得和及进位的逻辑电路称为半加器模电复习资料第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、错Ge）。2. 特性-光敏、热敏和掺杂特性。3. 本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5. 杂质半导体一在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN 结* PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。* PN结的单向导电性 正偏导通，反偏截止。8. PN结的伏安特性正向特性反向特性晶 «f/VWjlA二. 半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性同PN结。*正向导通压降硅管0.60.7V，错管0.20.3V。*死区电压硅管0.5V,错管0.1V。3. 分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V V（反偏），二极管截止（开路）。1）图解分析法D=%D-如#该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。（a）二极管电路（h）图解分析-+ 昂 - 2七2）等效电路法 直流等效电路法*总的解题手段将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳V阴（正偏），二极管导通（短路）；若V阳V阴（反偏），二极管截止（开路）。*三种模型（b）恒压源模型（c）折线模型（a）理想模型微变等效电路法Cd)小信号模型稳压管的伏安特性7dq三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反 向连接。第二章三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1. 类型-分为NPN和PNP两种。2. 特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种基本组态(a)共发射极组态(b)共集电极组态©共基极组态2. 三极管内各极电流的分配1c=A:n+/cbo 7e=n +，cn =，b + 7c 7bbn* Azbo *共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件"-In IcPIb + (1+/?)Jcbob+/ceo式子/CF()=(1+/J)/CH()称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。(a)测试电路(b)输入特性曲线°«ce/V3)输出特性曲线(c)简化的H参数等效电路基本放大电路的习惯画法*输出特性曲线(饱和管压降，用uces表示 放大区-发射结正偏，集电结反偏。截止区-发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高Icbo、 Iceo、 IC以及B均增加。三. 低频小信号等效模型(简化)h.e-输出端交流短路时的输入电阻，'常用rbe表示；hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比， e常用B表示；四. 基本放大电路组成及其原则1. VT、Vcc、Rb、Rc、C1、C2的作用。2. 组成原则-能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析*概念-直流电流通的回路。*画法-电容视为开路。*作用 确定静态工作点*直流负载线-由vcc=icrc+uce确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响(a)改变(b)改变(c)改变丘c1) 改变Rb : Q点将沿直流负载线上下移动。2) 改变R： ： Q点在Ibq所在的那条输出特性曲线上移动。3) 改变V：c：直流负载线平移，Q点发生移动。2. 交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路，理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线-连接Q点和V CC，点V CC，= Uceq+IcqR l，的 直线。CCCC CEQ CQ L3. 静态工作点与非线性失真<b)输出特性图解法(1)截止失真<a>输入特性图解法*产生原因Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。(2)饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大、。4. 放大器的动态范围CC(1) Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。(2) 范围U =2U =21 R，。OPP OMAX CQ L*当(UceqUces)>(Vcc， - Uceq)时，受截止失真限制，(b)输出特性图解法M)输入特性图解法UCEQ M，受饱和失真限制，Uopp=2UOMAX=2(UCEQ-UCES)。uceq )，放大器将有最大的不失真输出电压。3)基本共射放大电路(b)直流通路*当(Uceq-Uces)V(Vcc，*当5 -u ) = (V， 一CEQ CESCC六. 放大电路的等效电路法1. 静态分析(1)静态工作点的近似估算T _CC BEQ】CQ & WbQf CEQ = %C -/CQ&(2) Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足Rb> 3 Rc。,放大电路的动态分析£IJQ艮Rh«sn&L交流通路(b)微变等效电路*放大倍数Ri =%= = Ab/rbeA 两+5beA U。氏 4 =_甦US 么风+& 向 R+#i Se*输出电阻VT七.分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1 .静态分析稳定工作点放大器r t 鼻"b2 t/B R +r WcAb1 +Ab2r 【B _【BEQ，bq " Icq甲(a)直流通路°CEQ 沼 C "CQ(& +夫£)2.动态分析*电压放大倍数彳顼匕一 她1:Ube+(E)凡在Re两端并一电解电容Ce后微变等效电路-uo _呈输入电阻4i坨=&bl&b2rbe + (1 + P)玖 1+ l cc（a）共集电极基本放大电路切)M tA+Rl（h） H参数等效电路在Re两端并一电解电容Ce后 7?i = 7?bl&b2rbe *输出电阻八.共集电极基本放大电路1. 静态分析1_ 气C - &EQBQ "Ab+（l + /?）AeIcq 必 Mbqf CEQ 淄卜CC -】CQ&e2. 动态分析*电压放大倍数A _【_ （1 + /WU & Se+（E）%*输入电阻&=缶印庇+（1 +夕）（队/处）*输出电阻风二% = R”be+Rp 虹 e 1 + p3. 电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1,称为射极跟随器，简称射随器。*输入电阻高，输出电阻低。第三章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管（JFET ）1. 结构示意图和电路符号2.输出特性曲线（b） P-JFET结构及电路符号（可变电阻区、放大区、截止区、击穿区）0 被止区 wus=DS1 s/v输出特性转移特性曲线Up截止电压D = IdSS（1 - 7）2（Up<"GsW0）f,p输出特性«DS- «DS1-5-4 -3-2-1 0 acs/y<b）转移特性二. 绝缘栅型场效应管（MOSFET）分为增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两种。结构示意图和电路符号（a） EMOS结构及电路符号（b） DMOS结构及电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线，D =】DO- l)： (GS>S)* N-EMOS的转移特性曲线1 T式中，LO是Ugs=2Ut时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线(e)耗尽型输出特性 5)耗尽型转移特性场效应管微变等效电路(a)原理电路注意：Ugs可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压火，此曲线表示式与 结型场效应管一致。三. 场效应管的主要参数1. 漏极饱和电流IDSS2. 夹断电压Up3. 开启电压Ut4. 直流输入电阻RGS5. 低频跨导gm (表明场效应管是电压控制器件)g =或3«GS如§=常数四. 场效应管的小信号等效模型=mtygs+o =Idss(l°gsq rds 如Zp I ?p)o - 2/DO /'GSQ ngm 一 (E-MOS 的跨导 g -' Tf- Tm五. 共源极基本放大电路1. 自偏压式偏置放大电路 *静态分析f GSQ =-IdQ&t J' GSQJDQ 一-J 【pfZDSQ =卜1)。-】DQ (Rd + &)动态分析1 -gin#1:饥1+如氏若带有Cs,则=R=Rg 砒顼d2. 分压式偏置放大电路*静态分析(a)原理电路lGSQ = TTp f DD -如Q&】DQ =】DSS(半2产或】dq =如。(零2-1沪UpL1 jf DSQ ="DQ(&d +孩) *动态分析=冬=-gmL"_瓦_ +如氏Au=-gmRL若源极带有Cs,则R=Rg+Rgi /R&2RqM Rd六. 共漏极基本放大电路*静态分析-&2.(a)电路组成f GSQ = M- 丁 DI)-】DqR处1 +七如q=/dss（12）21- pI)2f DSQ = 1 DD -DQ&Cb)微变等效电路*动态分析A _【 _ gm孤u 1+如说R=险+阳 /阳R A &/J_gm第四章多级放大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合一一各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但 不便于集成，低频特性差。2. 变压器耦合-各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法 采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3. 直接耦合-低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零 点漂移”现象。*零点漂移一一当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离 初始值“零点”而作随机变动。二. 单级放大电路的频率响应1.中频段(fLWfWfH)4 =冬=”曷 usm5111", D , DLsrbbf +rKe R+氏e中频段混合席参数等效电路波特图-幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是中=-180o。2. 低频段(f WfL)e低频段混合7：参数等效电路dB 201g|4u|Aism1项Uf3.高频段（f NfH）(a)高频段混合汗参数等效电路dB201g|Xu|0-0Vl01_ A % 100fL1 -2O（lB/lec /*a 一 AismHu司1+必A-20-40-4.完整的基本共射放大电路的频率特性dB + lOlglAIAismjfhAism分压式共射电路低频段混合7T参数等效电路Ai =（1-无）（1 +必）（1 +双4）Q+物）三. 分压式稳定工作点电路的频 应1. 下限频率的估算荆L 1折+ 七+片32. 上限频率的估算« 1.1Aiv4ii Ai2分压式共射电路高频段混合7T参数等效电路四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式201g|41 = 201g|411 + 201g|411+ - + Olg14 | = Z 2。1 聃讪 ,=k=ln9 =的+久+啊1 = £依k = l2.波特图A & 'I了；1 +/£ + /S1RS 1.1faj号+点+，+/*V JH1 JH2THnL0* - -90* - -180° - -270* - -3(50* - -450*-540* -/hi A/h I I /hiL-lA11 /Hz卮薮 ：:dec-90y(lecZOlgll/dBf dB6dB401g|C|两级_#.一UJ40dB/decBW3dBi ,1 ' !单纹 X-l-20dB/dec/h； ；/hi /Hz/u： ；A第五章功率放大电路一.功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o，Icq大，管耗大，效率低。功放电路的工作状态2. 乙类工作状态IcqR0,导通角为180o，效率高，失真大。3. 甲乙类工作状态导通角为180o360o，效率较高，失真较大。二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态任意状态：UomUim尽限状态：Uom=V -UCC CES理想状态：UomVCC2.输出功率直流电源提供的平均功率p _y t _V 2 t - 2 VCCUom %'cc CCOaV) - rCC * Jom 3.Rl4. 管耗Pc1m=0.2匕5. 效率/理想时为78.5%y 2"扁/唯 4JcC三. 甲乙类互补对称功率放大电路1. 问题的提出在两管交替时出现波形失真一交越失真（本质上是截止失真）。2. 解决办法甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL利用二极管、三极管和电阻上的压降产 生偏置电压。动态指标按乙类状态估算。 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL电容C2上静态电压为Vcc/2，并且取代 了 OCL功放中的负电源-Vcc。动态指标按乙类状态估算。：只是用匕/2代替。四. 复合管的组成及特点CC1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2. 类型取决于第一只管子的类型。3. 8 = 81 .8 2第六章 集成运算放大电路一. 集成运放电路的基本组成1. 输入级-采用差放电路，以减小零漂。2. 中间级-多采用共射（或共源）放大电路，以提高放大倍数。3. 输出级-多采用互补对称电路以提高带负载能力。4. 偏置电路多采用电流源电路，为各级提供合适的静态电流。二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程-当 TfT i、i tT i、i TT u t u 、u T i、i T i、i 1。C1 C2E1 E2EBE1 BE2B1 B2C1 C2Re对温度漂移及各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反馈电阻”。2静态分析1）计算差放电路IC"Me -。，7An/2+2Ae=】C2席】E1设 UB0,则 Ue=-0.7V，得2）计算差放电路UCE 双端输出时 f CE1 = f CE2 = C " E =rCCICRc +° 7单端输出时（设VT1集电极接Rl）对于VT1:=字+ Ici，Ucei = UC1-UE = UC1 + 0.7对于VT2：lC2 =气C -2玳，CE2 = Uc2 -= CC C2c + 0 73. 动态分析1）差模电压放大倍数双端输出4_-例外/%/2）Hud AilR+be+（l + A）（Kp/2） 单端输出时从VT1单端输出：A _ -四期叫）Udl 2 2As+rbe+（l + ）（Ap/2）从VT2单端输出：ud2 = -'udl =2氏+*+（1 + 们（每/2）曲=2氏+尸膈+（1 +遣于2）差模输入电阻3）差模输出电阻双端输出："。尸2心半边差模交流通路单端输出:三.集成运放的电压传输特性当气在+七与-七之间，运放工作在线性区域： %od（+-也）四.理想集成运放的参数及分析方法1. 理想集成运放的参数特征*开环电压放大倍数Aod8；*差模输入电阻RidT8；*输出电阻RoT0;*共模抑制比KCMRT8；2. 理想集成运放的分析方法1）运放工作在线性区：*电路特征引入负反馈*电路特点“虚短”和“虚断”：我+=11_“虚短”-i+=0“虚断"-2）运放工作在非线性区*电路特征开环或引入正反馈*电路特点输出电压的两种饱和状态：当 u+>u 时，u =+U当 u+<u 时，u=-U两输入端的输入电流为零：i+=i =0第七章放大电路中的反馈一.反馈概念的建立1 + AF大开环放大倍数A大闭环放大倍数A,火反馈深度1+AF大环路增益AF:输入I信号'+、色净输入信号J基弃放大器宿i牌文id或岳I开环）_lxo=ixridII!反馈信号留晦"；_2I反馈放大器组成方框图1输出倏号1. 当AF>。时，Af下降，这种反馈称为负反馈。2. 当AF =。时，表明反馈效果为零。3. 当AFV。时，Af升高，这种反馈称为正反馈。4. 当AF = 1时，AfT8。放大器处于“自激振荡”状态。 二.反馈的形式和判断'1. 反馈的范围-本级或级间。2. 反馈的性质-交流、直流或交直流。直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈 则为交、直流反馈。3. 反馈的取样-电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。具有稳定输出电流的作用。（输出短路时反馈不消失）4. 反馈的方式并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。Rs越大反馈效果越好。反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压 的形式相叠加。Rs越小反馈效果越好。 反馈信号反馈到非输入端）5. 反馈极性瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用一表示）。（3）确定反馈信号的极性。（4）根据Xj与X f的极性，确定净输入信号的大小。Xjd减小为负反馈；X增大为正反馈。，d三. 反馈形式的描述方法某反馈元件引入级间（本级）直流负反馈和交流电压（电流）串 联（并联）负反馈。四. 负反馈对放大电路性能的影响1. 提高放大倍数的稳定性dAf _1 dA2. 出3. 扩展频带4. 减小非线性失真及抑制干扰和噪声5. 改变放大电路的输入、输出电阻*串联负反馈使输入电阻增加1+AF倍*并联负反馈使输入电阻减小1+AF倍*电压负反馈使输出电阻减小1+AF倍*电流负反馈使输出电阻增加1+AF倍五. 自激振荡产生的原因和条件1. 产生自激振荡的原因附加相移将负反馈转化为正反馈。2. 产生自激振荡的条件AF-1若表示为幅值和相位的条件则为：af=1Vaf=Va+9f = ±（2m+1）n （为整数）第八章分析依据“虚断”和“虚短”一.基本运算电路1. 反相比例运算电路R2 =R1/Rf2 1 fMO =UI2. 同相比例运算电路R=R/Rf"o =Q+牛）3. 反相求和运算电路R=R1/R2/R3/Rf%=响（* +晋+鲁）W1 0信号的运算与处理（a）基本形式死上）基本形式4.同相求和运算电路R/R /R /R =R /R 1234 f 5MO =+u12生为 k2同相求和运算电路Rt5.加减运算电路R/R2/Rf=R3/R4/R5二.积分和微分运算电路单运放加减运算电路基本积分运算电路（3）基本微分电路1. 积分运算»o =-二的出AC2. 微分运算C 八 d«TUq = -RC第九章信号发生电路一.正弦波振荡电路的基本概念1. 产生正弦波振荡的条件（人为的直接引入正反馈）AF = 1自激振荡的平衡条件：即幅值平衡条件：= 1朝A, =±2/wr (/t=0, 1, 2.)相位平衡条件：2. 起振条件：_.L4F|>1幅值条件：相位条件：顼=±2以3. 正弦波振荡器的组成、分类正弦波振荡器的组成(1) 放大电路建立和维持振荡。(2) 正反馈网络-与放大电路共同满足振荡条件。(3) 选频网络以选择某一频率进行振荡。 稳幅环节使波形幅值稳定，且波形的形状良好。*正弦波振荡器的分类(1) RC振荡器振荡频率较低,1M以下；LC振荡器振荡频率较高，1M以上；(3)石英晶体振荡器-振荡频率高且稳定。二.RC正弦波振荡电路1. RC串并联正弦波振荡电路r 1文氏电桥振荡器2. RC移相式正弦波振荡电路c c CrlhrlHHIr(港相式振荡器三.LC正弦波振荡电路1. 变压器耦合式LC振荡电路 判断相位的方法：断回路、引输入、看相位f =（a）集电极调谐（h）发射极调谐Ce）基极调谐2.三点式LC振荡器*相位条件的判断“射同基反”或“三步曲法” 电感反馈三点式振荡器（哈特莱电路）电感反馈三点式振荡器（2）电容反馈三点式振荡器（考毕兹电路）（a）电容三点式振荡器串联改进型电容反馈三点式振荡器（克拉泼电路）3）床控振荡器 并联改进型电容反馈三点式振荡器（西勒电路）西勒电路(5) 四.石英晶体振荡电路1. 并联型石英晶体振荡器2. 串联型石英晶体振荡器中联型石英晶体振荡器第十章直流电源一.直流电源的组成框图直流电源的组成框图电网电压>电源 变压器整流 电路>波路滤电>稳压 电路负载-电源变压器：将电网交流电压变换为符合整流电路所需要的交流电压。 整流电路：将正负交替的交流电压整流成为单方向的脉动电压。- 滤波电路：将交流成分滤掉，使输出电压成为比较平滑的直流电压。 稳压电路：自动保持负载电压的稳定。 二.单相半波整流电路(a)电路图1.输出电压的平均值U,、O(AV)7o(av)= 血【2用成况de况=U2 = 0.45(7*7T2. 输出电压的脉动系数SO(AV)s = -oim =皿如乃=兰=弓7f7O(AV) -j2U2/7t 23. 正向平均电流ID(AV)r _ 7-_ tZO(AV) 0.45t/2Zd(av)= Io(AV)=淄 Rl4.最大反向电压Urm三.单相全波整流电路1. 输出电压的平均值uO(AV)，O(AV) = 土肾 Vzsinc由dW = U2 = 0.9t722. 输出电压的脉动系数Sq _ t;oiM - 4a/2E/2/3tt _ 2lo(AV) 2J2U2/713(a)电路图3.正向平均电流ID(AV)_ 】O(AV) _ tZO(AV)")-一汗0.45tZ2Rl4.最大反向电压URM如同1=【RM2 =2咬U2四. 单相桥式整流电路UO(AV)、S、'd(AV)与全波整流电路相同，Urm与半波整流电路相同。五. 电容滤波电路1. 放电时间常数的取值T1?lC>(35)-2. 输出电压的平均值U,、O(AV)(a)原理电路(b)简化画法lO(AV) =(L18 L27)2 % L22(b)用锯齿波估算参数3.输出电压的脉动系数S【O1M = ("4。*)【0111心 _o(