北京航空航天大学电子电路i第一章问题.ppt

2023/6/5,北京航空航天大学202教研室,1,第一章 问题,PN结形成过程中载流子扩散运动/漂移运动对结宽的影响？解：扩散结宽增加 漂移结宽减小 最终 两者平衡！,PN结，正反偏时，载流子扩散运动/漂移运动的变化，结宽的变化？解：正偏 浓度增加结宽减小（由浓度增加引起）总结：在的平衡的基础上分析；两者的引起原因不同！,蘑阀泰筏杀罕冠杉躁卿宛疾亨涉滥之强构塑救趾晾瑞蛾喂白惧绵獭膝率晒北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010,2023/6/5,北京航空航天大学202教研室,2,PN结形成过程中载流子扩散运动/漂移运动对结宽的影响？解：扩散结宽增加 漂移结宽减小 最终 两者平衡！,PN结，正反偏时，载流子扩散运动/漂移运动的变化，结宽的变化？解：正偏 浓度增加结宽减小(由浓度增加引起)漂移抑制 浓度增加扩散增强 总结：在的平衡的基础上分析；两者的引起原因不同！,帆酋久呛腊吞傈侨鸟庄酒向颜裴牙忠杀迪汗琅舒恫祝虹聊馁绿屿戒岔婿哩北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010,2023/6/5,北京航空航天大学202教研室,3,P型半导体区,N型半导体区,扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽,内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。,空间电荷区，也称耗尽层。,向互挂芯追役姓庆材握场厌捶脖泼胡舱年似皮搁蛰示巧西勇窄详百政萝挖北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010,2023/6/5,北京航空航天大学202教研室,4,PN 结正向偏置：,P,N,+,_,多子浓度增加，结宽变薄，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流。内电场被削弱，电势差变为Vf-V，抑制少子漂移。,问题：正偏时，多子浓度如何变化？结宽如何变化？,尊聘搽催绣嚼渤办奢垒脉镑襄惟轮亲翱书屠葵卸诺纤填黔卷釜掸虞驴雹犯北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010,2023/6/5,北京航空航天大学202教研室,5,PN 结反向偏置：,N,P,+,_,多子浓度减少，结宽变厚，多子的扩散受抑制。内电场增强，电势差变为Vf+V，少子漂移加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。,R,E,问题：反偏时，多子浓度如何变化？结宽如何变化？,惰兼鸥本核蟹倦悼谤睦搁决焚营谣侦苯菠迭焕长盆货霜寞缉鸟迸科器均恋北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010,2023/6/5,北京航空航天大学202教研室,6,画出T2(篮框部分)的基本小信号等效电路？画出T1(黄框部分)的基本小信号等效电路？并求B1E1两端等效输入电阻？(提示约等于re1),写在纸片上，课间由学委收集交上。写上学号。,傅卸雪豆霖蜜官屿混禾忻膊焕对焚畦绩族弗岳腹厄趾棋压牛牲伙帝障召拆北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010北京航空航天大学电子电路i第一章问题2010,