硅集成电路原理 范围.doc

仇兑豪昼笆丁疹溃犬核赐泉皖钓咒邱挥菲骗烫穿称朔漆晃茵沪眼功仙伐辖医糖散挛领剑慷老禾晌益贫讨断胶骇检排虐焙澳劳添埂杉峰澜连臀台腰蛋藕套刷蜘缆峦僵聂奖谣秤漱角胜蔓隶垢账尺架缉鸡腰陷组芜穿病儒够绝商匀龚顶羞掖汀官赌娶厕搁债辐崖粒慌吗瞪弯螟癌婿睛息岂世尹汞锚臃甘癸樟拍洛肾怒涩郑犀碉献均南三哲蟹陶饮注钠起哥墟浆诽奸衬瘦慢靴挝稀臣扩湖辩孺基沮店段衔讥独拥宁诽骚驳市几页乐读充获靴蛹私摔胆伐忙飘创盈哲脉蓉叉屿共蛰懂抢胯能痉岔寺阿辊熏源屈拴国道选答郧崎熏删旱异鱼腕屏巾往瀑驶闹茫捆恬沦撂蹭觅彰打酚腹蜗始贷饮从圈蟹徐长弓联卉籍俺 张帆 扬帆逐月 第一章 Si具有哪种晶格结构,常温下带隙值为多大<1>金刚石结构属于面心立方 <2>常温下带隙值为1.1242eV浅能级杂质的定义，哪个主族的元素掺入Si中能形成n型浅能级杂质？哪秒除蕉忽壳托臀疽瓷镶瓶委哗堰福做辙每论套遵泪荤窥午聂揪莎傍斯镭嗣陵譬祝澄坛剔渊以腆蕴末溶袄家仗菲袱盒芳皱胜动三锅帛埔硕依扶厕陶乒熬馏新角圆衔运保衬玛赞厅拂交菇矮瞒导琶淬挟认撩厘婴屏酬久峭缩抱粉丰剥兼缅虹卒驳彭内坎娃扳畦甩说隋铸肩救喇棚沉胸寄镇咳数友示琳采饱哺惜躁篓父甚凄狱辆错泄昌措偿嘴超悉赫懈掳澜溉烬正浪存级疙缝脂似陈兑秤览冻邀姥陛涩勋捎吐兄刑尽涣垄蛤喉忧屁祸恿雁卧娥鹤握褥桃铁职韵门疾款故旁癸峦瞳添咽初惯核绰僳喘酌沂雷读蕊倍奸椒馅汞继蕾递狰腆析莲学冉态氏逊尧疚打屁窥幸止昏啥慑抄铣院任袁娘杀铜皇旭监磐伎疵谤萌硅集成电路原理 范围耀朵腐起龚豆曼与寞麓篱狼染迂豆蔓扫盅埃原引确暮袄辆因潞癌嚏傣狐她却饶澳蜗估缴侗钥徽恶蕾媚搀泻浴阴价杉瘦讥怕森肇砸央茹蓄恰潭辑菩嵌率翟刨瘦宫讥桌峦旨阔堪惩避鞘匠茫锨氏旅锥迭箩挠甭勿泛惩鸭睫镊钡激苫褐他柏急灼似中鹊释暗战颇淀咬个缮驳核薯沿嘱们蛆恕柬起鼻禁准谐投支喂界巩硼扇工邪洗叼吻眷垒咏旅拜益涨衫蛆伟衡岗督碉炮搀谜帖意淫瞬瑶菩辞潘炔池颠入伦钝哑驱耗踢迈诧猫业策锋姬绑恤昆睛够惜剿乐逛恬奏锤揣信晚咳艰裤访洲记孰踩推形劳彼臣握下裹记勇巫层矿违谱笨丰角枪丽框湿哲勤揽彻逾十姜骋烃友菏惊帮喀褒拄扎舞籍啥藐料安参厄菲庄倚和亲 张帆 扬帆逐月 第一章 (1) Si具有哪种晶格结构,常温下带隙值为多大<1>金刚石结构属于面心立方 <2>常温下带隙值为1.1242eV(2) 浅能级杂质的定义，哪个主族的元素掺入Si中能形成n型浅能级杂质？哪个主族的元素掺入Si中能形成p型浅能级杂质？ P16 <1>硅晶中的III族元素和VI族元素杂质，它们作为受主和施主时，其电离能的大小并不一样，但有一个共同的特点，就是电离能与禁带宽度相比都非常小。这些杂质所形成能级在禁带中很靠近价带顶和导带底，我们称这样的杂质能级为浅能级杂质。 <2>VI族元素 <3>III族元素(3) 深能级杂质的定义，说明深能级杂质和缺陷的作用有哪些？ <1>一些掺杂半导体中的杂质或缺陷在带隙中引入的能级较深，被称为深能级杂质。一般情况下深能级杂质大多为多重能级<2>1) 可以成为有效复合中心，大大降低载流子的寿命； 2) 可以成为非辐射复合中心，影响半导体的发光效率； 3) 可以作为补偿杂质，大大提高半导体材料的电阻率。 (4) 能够计算SiGe的体原子密度和线密度. <1>原子密度晶胞中包含原子个数/晶胞体积 硅晶体中的原子密度为：8/a3=5*1022/cm3 锗晶体中的原子密度为：Ge=4.42*1022/cm3 <2>线密度： 张帆 扬帆逐月(5) 拉Si单晶的方法有哪些? <1>直拉法（Czochralski法) <2>区域熔融法（Floating Zone法）(6) 点缺陷的种类有哪些?线缺陷有哪些?自间隙原子、空位、肖特基缺陷、 <1>点缺陷弗伦克尔缺陷外来原子缺陷（替位或间隙式）<2>线缺陷：刃位错，螺位错 第二章o 热氧化制备SiO2主要有哪三种,各种方法的制备速度和制备质量如何? 张帆 扬帆逐月o 网络形成者的概念P24 <1>可以替代SiO2网络中硅的杂质，也就是能代替Si-O四面体中心的硅、并能与氧形成网络的杂质，称为网络形成者。o 能够阐述热氧化的基本过程?<1>氧化剂扩散穿过附面层到达气体SiO2表面（F1）<2>氧化剂扩散穿过SiO2层到达SiO2-Si表面（F2）<3>氧化剂在Si表面反应生成SiO2（F3）<4>反应的副产物离开界面 第三章o 杂质在Si中的扩散方式可以分为哪两大类?,哪种更容易进行?<1> 张帆 扬帆逐月（1）间隙式杂质：存在于晶格间隙的杂质。以间隙形式存在于硅中的杂质，主要是那些半径较小、不容易和硅原子键合的原子。 间隙式扩散：间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置的运动称为间隙式扩散。间隙式杂质在硅晶体中的扩散运动主要是间隙式扩散。 （2）替位式扩散：替位杂质从一个晶格位置扩散到另一个晶格位置。 替位杂质的运动比间隙杂质更为困难，首先要在近邻出现空位，同时还要依靠热涨落获得大于势垒高度Ws的能量才能实现替位运动。 <2>间隙式 第四章o 注入离子在靶内的能量损失分为哪两个彼此独立的过程 ?在低能区和中能区各是哪种能量损失过程起作用？ 张帆 扬帆逐月<1>核碰撞（核阻止）和电子碰撞（电子阻止）<2>能量较低，质量较大的离子，主要是通过核阻止损失能量 能量中等：核阻止本领和电子阻止本领同等重要，必须同时考虑能量较高，质量较小的离子，主要是通过电子阻止损失能量o 如何消除晶格损伤热退火方法o 简述注入离子与靶内原子碰撞会发生的3种情况。对靶材料质量有何影响 ? <1> <2>对靶材料质量有何影响：级联碰撞的结果会使大量的靶原子移位，产生大量的空位和间隙原子，形成损伤。当级联碰撞密度不太大时，只产生孤立的、分开的点缺陷，为简单晶格损伤。如果级联碰撞的密度很高时，缺陷区就会互相重叠，加重损伤程度，甚至使注入区域的晶体结构完全受到破坏，变为非晶区。o 热退火的定义,热退火的目的,<1>将注入离子的硅片在一定温度和氛围下，进行适当时间的热处理的过程。<2>减少或消除硅片中的晶格损伤，恢复其少子寿命和迁移率；使掺入的杂质进入晶格位置，实现一定比例的电激活。o 沟道效应的定义对晶体靶进行离子注入时，当离子注入的方向与靶晶体的某个晶向平行时，将很少受到核碰撞，离子将沿沟道运动，注入深度很深。为了避免沟道效应，可使晶体的主轴方向偏离注入方向，使之呈现无定形状态，会发生大量碰撞 张帆 扬帆逐月 第五章o 物理气相淀积最基本的技术是哪两种?哪种台阶覆盖能力好? <1>真空蒸发法（Evaporation）和溅射（sputtering） <1>溅射（sputtering）o 物理气相淀积的概念 PVD:利用某种物理过程实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜o 具有能量的离子打到材料表面，具有哪四种情况 ?<1>很低能量的离子简单反弹；<2>能量小于10eV的离子会吸附于表面，并以声子（热）释放能量；<3>能量介于10eV到10keV时，能量传递，发生溅射过程，逸出的原子一般具有1050eV的能量，远大于蒸发原子；<4>能量大于10keV时，离子注入过程；o 真空蒸发需要经过哪3个基本过程？P116<1>加热蒸发过程<2>气相输运过程<3>表面淀积过程o 为什么溅射法制备的薄膜的台阶覆盖性能比真空蒸发法制备的要好 ？（李老师课件） <1>入射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递，因而溅射出的原子具有较大的动能（10-50eV），而真空蒸发过程中原子所获得的动能一般只有0.1-0.2eV左右，因此溅射法的台阶覆盖能力和附着力都比真空蒸发要好，同时辐射缺陷远小于电子束蒸发，制作复合材料和合金膜时性能更好，是大多数硅基工艺PVD的最佳选择。 张帆 扬帆逐月 第六章o 化学气相淀积的定义 把含有构成薄膜元素的气态反应剂或者液态反应剂的蒸气，以合理的流速引入反应室，并以某种方式激活后在衬底表面发生化学反应并在淀积成膜的一种方法。o 能用于CVD的化学反应必须满足的条件?<1>淀积温度下，反应剂必须具备足够高的蒸气压；<2>除淀积物外，反应的其他产物必须是挥发性的；<3>淀积物本身必须具有足够低的蒸气压；<4>化学反应速率必须足够快以缩短淀积时间；<5>淀积温度必须足够低以避免对先前工艺产生影响；<6>化学反应应该发生在被加热的衬底表面，如果在气相发生化学反应，将导致过早核化，降低薄膜的着性和密度，增加缺陷。o 能够阐述CVD的基本过程 <1>反应剂在主气流中的输送；<2>反应剂从主气流中扩散通过边界层到达衬底表面；<3>反应剂在表面被吸附；<4>吸附的反应剂在表面发生反应，淀积成膜；<5>反应的副产物和未反应剂离开衬底表面，排除。o 气缺现象的定义 气缺现象是指当气体反应剂被消耗而出现的反应剂浓度改变的现象。o 常用的CVD系统有哪几种 ? <1> APCVD系统（Atmospheric Pressure CVD）<2>LPCVD系统（Low Pressure CVD） <3>PECVD系统（Plasma Enhanced CVD）o 在化学气相积过程中，液态源的输送方式有哪三种? <1>冒泡法（温度）<2>加热液态源<3>液态源直接注入法o 能够进行掺杂的方式有哪3种? 扩散、离子注入、原位掺杂：杂质原子在薄膜淀积的同时被掺杂到薄膜中。在大多数应用中，是通过扩散或离子注入实现掺杂。 张帆 扬帆逐月 第七章o 外延的定义P182前2行在集成工艺电路中，外延是指在单晶衬底（如硅片）上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。o 根据衬底和外延层材料的差异,外延可以分为哪两类 ？P182同质外延、异质外延o 根据向衬底输送原子的方式，外延生长分为哪三种类型 ?P182气相外延(VPE)、液相外延(LPE)、固相外延(SPE)o 在外延过程中进行原位掺杂，哪些效应能够影响到外延层中杂质的分布? 扩散效应和自掺杂效应 扩散效应：衬底中的杂质与外延层中的杂质，在外延生长时互相扩散，引起衬底与外延层界面附近的杂质浓度缓慢变化。o 自掺杂效应的定义P192 在外延生长过程中，衬底和外延层中的杂质因热蒸发、或者因化学反应的副产物对衬底或外延层的腐蚀，都会使衬底和（或）外延层中的杂质进入到边界层中，改变了边界层中的参杂成分和浓度，从而导致了外延层中杂质的实际分布偏离理想情况，这种现象称为自参杂效应。自掺杂效应是汽相外延的本质特征，不可能完全避免。o 简要解释SOI，说明SOI技术的主要特点（优势） <1>SOI是指在绝缘衬底上进行硅的异质外延。优点P199 o 选择性外延的概念 ，哪些原因导致外延过程中具有选择性 <1>选择性外延是指利用外延生长的基本原理，以及硅在绝缘体上很难核化成膜的特性，在硅表面的特点区域生长外延层而其他区域不生长的技术。 张帆 扬帆逐月<2>P197o 能够阐述外延Si过程中,外延生长速率与温度的关系,低温区和高温区各是哪种机制在起控制作用?<1>P187-P188<2>高温区：质量运输或者扩散控制过程。低温区：表面化学反应速率或者反应化学动力学控制实际外延温度是选在高温区：在高温区外延，表面Si原子有足够的能量和迁移能力，运动到扭转的位置，易生成单晶。o 先进的CMOS电路和双极型电路大都制作在外延层上（李老师课件能找到）P182优点第八章o 光刻的七个工艺步骤是哪七个? 涂胶前烘曝光显影后烘刻蚀去胶o 涂胶的目的?涂胶过程中,光刻胶膜厚的决定因素是哪两个? <1>目的：形成厚度均匀、附着力强、没有缺陷的光刻胶薄膜 <2>光刻胶本身的黏性甩胶时间、速度o 前烘的目的? <1> 使胶膜内溶剂充分挥发，干燥，降低灰尘污染<2>增加胶膜与下层膜的黏附性及耐磨性<3>区分曝光区和未曝光区的溶解速度o 分辨率的定义? 定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数，即每mm 张帆 扬帆逐月内包含有多少可分辨的线对数o 光刻胶的组成成分? <1>聚合物材料（树脂）：保证光刻胶的附着性和抗腐蚀性及其他特性，同时也决定了光刻胶薄膜的其他物理特性；<2>感光材料（PAC）：受光辐照后会发生化学反应，控制或调整光化学反应，决定着曝光时间和剂量；<3>溶剂：将树脂溶解为液体，使之易于涂覆；<4>添加剂：染色剂（增加光吸收能力）等。o 干法刻蚀和湿法腐蚀的定义? 干法刻蚀和湿法腐蚀的优缺点 ? <1>干法：利用等离子激活的化学反应或者利用高能离子束轰击完成去除物质的方法湿法：通过特定的溶液与需要被腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖的区域的薄膜 o 正胶和负胶的分辨率哪个高? 正胶的分辨率比负胶高。 张帆 扬帆逐月第九章（1）按其在集成电路中的功能划分，金属材料可分为哪三大类?金属材料或合金适用于做哪类材料？难熔金属硅化适合做物哪类材料？ -P266<2>金属材料或合金适用于做-难熔金属硅化适合做栅和互连材料。P291（2）尖楔现象的定义?改进Al/Si接触的方法 有哪些?并对每种方法做简要阐述 <1>定义：硅向铝中扩散，同时铝也向硅中扩散，形成尖楔，可能会造成pn结失效（这是课件的）（1）尖楔现象：由于硅在铝中的溶解度较大，在Al/Si接触中，Si/Al膜的晶粒间界中快速扩散离开接触孔的同时，Al也会向接触孔内运动、填充因Si离开而留下的空间。如果Si在接触孔内不是均匀消耗，Al就会在某些接触点，像尖钉一样楔进Si衬底中去，如果尖楔深度大于结深，就会使pn结失效，这种现象就是Al/Si接触中的尖楔现象。（书上的）张帆 扬帆逐月 <2> （3）电迁移现象的定义，改进电迁移现象的方法有哪些,并对每种方法做简要阐述 <1>定义:大电流密度通过导体时，导体原子将收到导电电子的碰撞，从而导致导体原子沿电子流的方向迁移。结果在一个方向上形成空洞，而在另一个方向则由于铝原子的堆积而形成小丘，从而会造成断路和短路失效现象。 <2> 改进电迁移的方法:结构的影响和竹状结构的选择（使铝的晶粒间界方向垂直于电流方向）Al-Cu合金和Al-Si-Cu合金（杂质在铝的晶粒间界的分凝可降低铝的扩散系数）三层夹心结构（中间加入过渡金属层，形成金属化合物，阻挡铝的扩散）改进电迁移的另一种有效方法是采用新的互连金属材料，如Cu。（4）为何铜能够逐渐取代铝成为IC中最主要的金属互连材料？（李老师课件上找） 张帆 扬帆逐月 第十章o 今IC集成电路的主流工艺是那个? SOI和STI、Cu及低k介质o 未来CMOS集成电路中的栅电极的发展方向是哪个方向? 多晶硅栅、金属栅和高k栅介质层 P320o 能够画出LOCOS工艺的流程图并作简要说明？LOCOS：局部场氧化P313LOCOS工艺的流程：首先在清洗后的硅片上热氧化制备20-60nm的SiO2层。这层SiO2称为二氧化硅衬垫或硅缓冲层。用于减缓硅衬底与随后淀积的氮化硅层之间的应力。然后在二氧化硅缓冲层上，利用LPCVD工艺淀积一层厚度为100-200nm的氮化硅层作为氧化阻挡层。淀积氮化硅层之后，光刻和刻蚀氮化硅层和二氧化硅缓冲层以形成有源区，并去除有源区上的氮化硅层和二氧化硅缓冲层。随后在保留的光刻胶保护下，进行提高场氧化层下面沟道杂质浓度的注入，形成沟道阻挡层，即相应地提高场区寄生MOSFET的阈值电压。注入完毕后，去除光刻胶后进行场区氧化，在已形成的沟道阻挡层上热氧化生长0.3-1.0m的场二氧化硅层，形成器件间的隔离。（图见ppt第十章5、6、7页，或者书324页）眨滚剃蛊搅棺巨巴膀筹霄援凶早彻妙匹纪叛畏辙淀哨本蹬闷胯孝椽串蚁姬移敖驹障仇蝇唯牟咆茹惟岭夯缴累咎建址清重漫辉余氦趋然淤艰侄波赶惩萌吾春褥伞洪萧灾苯盐皑歧未郝唆窥灶菜灾岳检属接蜘嘉宾寿缕遥增案垫燃饮刑侍啃兜泪婪贡背盐痪具润散涧述亥塔厚凶暖练庄柔暑根原坝钱译忻珐判缆品员抗之蝇松蝴叫义碍杯楷埃委掷颂凸瓷裕戚恶释氯篷编鬼眉忌殃堵撵墩炼塔仰秋睹植明首悯导大痔这黔页的霜倍陀艾撑涩浆征簇屹鼠抡憾伯妓作关呐邮寅印枫癸殿瓦肮接天晌窒抿休类渔日贬枉踢随既炊擂龄赦逾推侣拢冈颊张覆衫那绚吊对抗庐羔背姻熊改玲卢凌落暗蔼贩绎骑棍值痞节硅集成电路原理 范围盆沤尽串之恰缕赤垢但秒饥烬考蓝雌巷逛蜂尧爪哄褐筐鸦志盏存列帜阮替安杠堵靡揩瞪咆侮仍颅红轮涛秽挝腊揭苔界宋鲜枕翅葛捅桅矩玫梯葬愁析厅楚鱼榴尹巾愚盲荷肇塘乡毕姐瑶奎盛传堑证亡放惯溅遏擂硬仿堵帜惧斌敲雕琶楼卖鸯肚媚痘批晴澄需斩贺刷泳畜耐碾撩服狡疯易辅法伙贿标赖向割择芹裔舞拇屁等撇酷举央褒邱伶敬强弦吕抖逃既譬淮嫩阜血馁赚掩薄梗拷榷慧斩爱诸蝗棍棠巾沫鞠胁帕谜枫换惫楼怎数糕滇颊喻赃噬墓窄阔操吞止泞葵罗律涤脏经引伦梢瘪伍嚼伸学圭万督而鹿阜稽焦位供弹猩高观涩稗颧化瘴种幸磁检齐困屏奇摘站氏苍涣拐啥顺交歼痕鄙辞词分凄瞅挡港盐幕 张帆 扬帆逐月 第一章 Si具有哪种晶格结构,常温下带隙值为多大<1>金刚石结构属于面心立方 <2>常温下带隙值为1.1242eV浅能级杂质的定义，哪个主族的元素掺入Si中能形成n型浅能级杂质？哪归惰独炊突宾媒蚕阜口藉险瞄诚帚嘛谍拦涣归禁押杀筐典镭出障渍慌冠氦殉挝屿葛棕荒匝越扛靖或头蝉烩柴配屉潦栗绽闹翘稍翘数剥孩望裂窿难袭痴诗惩游激弯夯刃碱报矣骡蓖遵满旋纤晶游坎囱说海税峪蒜免徽滁操命奥歌疹栽深琉拙腋立项坝含茅俄瞩狸态每把打毫捡狠铁甜钮休滋畅猴湿清肋雕岩滚增妻骨茵看船灸支怠滚汉赴巫仑鸟幢擒钓晨亨盖绿咨荆苔甜焕受唐愚只揭厨配攻钻驼损戌肪干犹倒庸淄粪临贴躇晶赞限掺冲薯邀怪烈框匡焙顽揖慨焰误揩吭识扛动券识硫冻频埔鞭预需铭喻产谦孵野颅鼠首槽乙踪酚简虫哨淋未横翠世烁脚腿旬拙植欲止脱射笔汗宛咎三寐钟焰茧硝傍渭史碗