光敏电阻伏安特性、光敏二极管光照特性.docx
光敏传感器的光电特性研究(FB81型光敏传感器光电特祇卖验仪凡是将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器，也称为光电式传感器，它可 用于检测直接由光照明度变化引起的非电量，如光强、光照度等；也可间接用来检测能转 换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、 工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控 制及智能机器人中得到广泛应用。光敏传感器的物理基础是光电效应，通常分为外光电效应和光电效应两大类，在光辐 射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射现象，则称为外光电效应或光电子发射效 应。基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。另一种现象是电子并不逸出材料 表面的，则称为是光电效应。光电导效应、光生伏特效应都是属于光电效应。好多半导体 材料的很多电学特性都因受到光的照射而发生变化。因此也是属于光电效应畴，本实验所 涉及的光敏电阻、光敏二极管等均是光电效应传感器。通过本设计性实验可以帮助学生了解光敏电阻、光敏二极管的光电传感特性及在某些 领域中的应用。【卖验原理】1 .光电效应：(1) 光电导效应：当光照射到某些半导体材料上时，透过到材料部的光子能量足够大，某些电子吸收光 子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电 流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。它是一种光电效应。光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带 跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使 电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的 空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长 的多。(2) 光生伏特效应：在无光照时，半导体PN结部有自建电场。当光照射在PN结及其附近时，在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子(电子、空穴对)。载流子在结区外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场E的作用，电子漂移到N区，空穴漂移到P区。结果使N区带负电荷，P区带正电荷，产生附加电动势，此电动势称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。2 光敏传感器的基本特性：光敏传感器的基本特性则包括：伏安特性、光照特性等。伏安特性：光敏传感器在一定的入射光照度下，光敏元件的电流1与所加电压u之间的关 系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一族伏安特性曲线。它是传感器应用设 计时的重要依据。掌握光敏传感器基本特性的测量方法，为合理应用光敏传感器打好基础。本实验主要 是研究光敏电阻、光敏二极管的基本特性。(1)光敏也阻：利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。目前光敏电阻应 用的极为广泛，其工作过程为，当光敏电阻受到光照时，发生光电效应，光敏电阻电导率 的改变量为：b = Ap e 口 + An e 口在(1)式中，e为电子电荷量，Ap为空穴浓度的改变量，An为电子浓度的改变量，R表示迁移率。当两端加上电压U后，光电流为：Iph = AA Ab U图队光敏电阻的厌安特性曲线式中A为与电流垂直的表面积，d为电极间的问 距。在一定的光照度下，A 为恒定的值，因而光电流 和电压成线性关系。光敏电阻的伏安特性如图5a所示， 不同的光强以得到不同的伏安特性，表明电阻值随光照 度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流 也越大，而且没有饱和现象。当然，与一般电阻一样光 敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定 值。(2)光敏二极管：Ipk(i*A)1A -C/1UUULI/SDOLx< 一11IIB.SOOOLs0 OLl M 013 14爵、"囹Ta光敏二极管的伏安特性曲线圈r t咒敏二被言的光照特性曲线光敏二极管的伏安特性相当于向下平移了的普通二极管，如图7a所示。零偏压时， 光敏二极管有光电流输出。光敏二极管的光照特性亦呈良好线性，如图7c。光敏二极管 的的电流灵敏度一般为常数。一般在作线性检测元件时，选择光敏二极管。实验（一）光敏电阻的伙妾特性测试【卖验目的】7 ,了解光效应。2. 通过实验掌握光敏电阻工作原理。3, 了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线曲线。【卖验仪器】FB815型光敏传感器光电特，性设计，性 实验仪，万用电表一只，导线若干。【实验步骤】光源用标准钨丝灯。将检测用光敏电阻 装.页脚1、按实验仪面板示意图8接好实验线路， 光源用标准钨丝灯。将检测用光敏电阻 装.页脚S8光敏电阻的伏安特性浏量电路入待测点，连结+ 2V +12V电源，光源电压。 12V电源（可调）。2、先将可调光源调至一定的光照度， 每次在一定的光照条件下，测出电源电压为：+ 2V, + 4V, + 6V, + 8V, + 10V, + 12V时电阻R】两端的电压U ，从而得到6个光电流数据 I = g；，同时算出此时光敏电阻的阻值，即R = UccUr。以后调节 ph 1.00k Qg IPh相对光强重复上述实验（要求至少在三个不同照度下重复以上实验）。3、根据实验数据画出光敏电阻的一族伏安特性曲线。表1光敏电阻伏安特性测试数据表（照度：173Lux）电源电压（V）24681012R1 电压 Uri (V)光电流Iph （A）光敏电压U0（V）光敏电阻Rg（O）表2光敏电阻伏安特性测试数据表（照度：861Lux）电源电压（V）24681012R1 电压 Ur1（V）光电流Iph （A）光敏电压Uo（V）光敏电阻Rg （O）表3光敏电阻伏安特性测试数据表（照度：2350Lux）电源电压（V）24681012R1 电压 Ur1（V）光电流Iph （A）光敏电压U0（V）光敏电阻Rg （。）实验（二）光敏二极管的光照度特性测试【卖验目的】7.了解光敏二极管的工作原理。2, 了解硅光敏二极管的基本特性，并测出它的光照特性曲线。【卖验仪器】FB815型光敏传感器光电特性设计性实验仪，万用电表一只，导线若干。图10光敏二极管伏安特性测试电路图【实验步骤】1、按实验仪面板示意图7。接好实验线路。2、选择一定的偏压，每次在一定的偏压下测出 光敏二极管在相对光照度为“弱光”到逐步增 强的光电流数据，其中!ph = i U%q（ L°0kQ为取样电阻）。这里要求至少测出3个不同的反 偏电压下的数据。3、根据实验数据画出光敏二极管的一族光照特性曲线。表1光敏二极管光照特性测试数据表（电压：-4V）照度(Lux)1.130.5173328548861125817742350ur (V)光电流（A）表2光敏二极管光照特性测试数据表（电压:-8V）照度(Lux)1.130.5173328548861125817742350Ur (V)光电流（A）表3光敏二极管光照特性测试数据表（电压：-12V）照度 (Lux)1.130.5173328548861125817742350UR（V）光电流（A）FB815型光敏传感器光电特性设计性实验仪，其结构如图1所示。该实验仪由光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池四种光敏传感器及可调电图1 FB83 5型舞敏传感1S光电精性实筮疚实物眼【片源、电阻箱（有备）、数字万用表，九孔接线板与光学暗箱所组成。具体介绍如下。1.光学暗箱（见图2）：光学暗箱的大小为360X280X 110mm3，中间位置是九孔实验板，学生可以在上面按自己的需要搭建实验电路，在箱子的左里边有编号L1，L2,. L8的核线孔，从里面直接 连到箱子左侧的外面，实验时将外用电源，测量万用表及变阻箱通过不同的核线口接入箱里的实验电路，当箱子密封以后，里面就与外界完全隔绝，工作时照明光路是置于暗箱中 进行，从而消除杂散光对实验的影响。图2是暗箱分布示意图。2 . JK-30工作电源（见图3）：JK-30型光电传感器实验电源传感器工作电源选罹电偃指示博感器工作电源光电源地黄©XCTX因为内部按刍一欧姆电阻，所以a；符号两端测星到的电压“寸'值即是输出电流七九”伯.图3 FB81S型光敏传感器光电特性卖输悦专用电诚本实验仪配有JK-30工作电源，图3为专用电源面板功能分布图。主要提供两路工作电压，一路光电源输出，供白帜灯发光，电压012V可变，另一路传感器工作电源，有土2V, 土4V, 土6V, 土8V, 土 10V, 土 12V等量值变化，以保证实验的不同需要。光敏传感器的照度可以通过调节可调光源的电压或改变光源与传感器之间的距离来调节。3.其他实验配件(见图4)：【附录1】FB815光敏传感器光电特性实验仪相对照度(Lux )参考表距离(cm) 电压567891012235019501700153014001300111774145912801156105298010125810599238257567049861729632567519480854846941136833831573282862492242061916173158138123113105580.273.764.457.852.648.9430.528.224.622.120.218.838.97.86.86.15.65.32.53.332.72.42.2221.10.90.70.6【附录2】九孔实验板插亏孔距离参考思考题】1. 光敏传感器感应光照有一个滞后时间，即光敏传感器的响应时间，如何来测试光敏传 感器的响应时间？2. 光照强度与距离的关系，验证光照强度与距离的平方成反比 （把实验装置近似为点光 源）。
