RCD吸收电路的影响和设计方法定性分析.docx

RCD吸收电路的影响和设计方法（定性分析）这回主要介绍RCD电路的影响。kIO先分析过程：DSi ll.il：Vi+Vc_mxViWfVi+VdJ这个过程巾*常有国能出现震荡对应电路模型:励嘎电:感礼源成株Coss充电RCD电路的二极管导通对电容充电诂拗时电？财绒充也次级 尚管导.电用分为西部分.初级漏感时电容充电次纹导通豺电容充电我们可以定性的分析一下电路参数的选择对电路的暂态响应的影响：1.RCD电容C偏大电容端电压上升很慢，因此导致mos管电压上升较慢，导致mos管关断至次级导通的间隔时间过长，变压 器能量传递过程较慢，相当一部分初级励磁电感能量消耗在RC电路上。波形分析为：容与RCD电容次级二极管导通后，Mos管序通后，Mos 谐振频率为初级漏感管输出电容放电迅4F：二二:初级RCD二极管导通富初级RCD 极廿后，谐振频率一为Lm未导通，谐振频率为Lm和Lkp和Mos管输出电容和Lkp和Mos管输出Lkp和Mos管输出电速，电压快速卜降电容与RCD也容2.RCD电容C特别大（导致电压无法上升至次级反射电压）电容电压很小，电压峰值小于次级的反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量全部消耗在RCD电路中 的电阻上，因此次级电压下降后达成新的平衡，理论计算无效了，输出电压降低。次级无法导通，所有理论计算失效，能量无法传 递，直至次级电压卜降后，形成-个平衡，对 原有设计有破坏性作用初级RCD极管 未导通，谐振频率 为Lm和Lkp和Mos 管输出电容湿RCD=极管导通 后，谐振频率为Lm 和Lkp和Mos管输出 电容与RCD也容Mos管导通后，Mos 管输出电容放电迅 速，电压快速卜降3.RCD电阻电容乘积RxC偏小电压上冲后，电容上储存的能量很小，因此电压很快下降至次级反射电压，电阻将消耗初级励磁电感能量， 直至mos管开通后，电阻才缓慢释放电容能量，由于RC较小，因此可能出现震荡，就像没有加RCD电路 一样。初级漏感Lk, Mos管电容，引起震荡，当电II、.V小于Vi的时中帛二极管不导通二极管不导通次级一极管导通后， 谐振频率.为初级漏感 Lkp和Mos管输出电容与RCD电容，由于 RCD电容较小，电压：初级RCD二极管导通初级RCD二极管后，谐振频率为Lm 未导通，谐振频率和Lkp和Mos管输出 为Lm和Lkp和Mos 电容与rcd电容 管输出电容Mos管导通后，Mos管输出电容放也迅速，电压快速卜降可落缺点是此如果参数选择合理，mos管开通前，电容上的电压接近次级反射电压，此时电容能量泄放完毕， 时电压尖峰比较高，电容和mos管应力都很大(4):初级RCD二极管导通初级RCD .极管 后，谐振频率为Lm 表导通，谐振频率和Lkp和Mos管输出 为Lm和Lkp和Mos 电容与rcD电容 管输出电容次级一极管导通后，Mos管导通后，Mos 谐振频率.为初级漏感管输出电容放电迅 Lkp和Mos管输出电 速，电压快速卜降 容与RCD电容，由于RCD电容较小，电压5.RCD电阻电容乘积RxC合理，R, C都合适 ！ 1在上面的情况下，加大电容，可以降低电压峰值，调节电阻后，使mos管开通之前，电容始终在释放能量， 与上面的最大不同，还是在于让电容始终存有一定的能量。AL”壬二二初T级RCD二极管导通后，谐振频率为Lm和Lkp和Mos管输出电容与RC D电容初级Rcb ：极管未导通，谐振频率为Lm和Lkp和Mos管输出电容以上均为定性分析，实际计算还是单独探讨后整理，次级二极管导通后， 谐振频率为初级漏感 Lkp和Mos管输出电 容与RCD电容，由于 RCD电容较小，电压需要做仿真验证。Mos管导通后，Mos管输出电容放电迅速，电压快速卜降明天把上面两篇博文做一些仿真的分析，如果与上面的分析一致，则开始准备整理计算方法。