IC概念及相关术语解释.docx

IC编辑本段【网络用语】IC英语网络用语，IC=I see!编辑本段【医学用语】免疫复合物immune complex又称抗原抗体复合物编辑本段【IC产业】IC的定义IC就是半导体元 件产品的统称。包 括：1.集成电路板（integratedcircuit，缩写：I C） ； 2.二、三极管；3.特殊电子元件。再广义些讲还涉及所有的电子元件，象电 阻，电容，电路版/PCB版，等许多相 关产品。【IC产业发展与变革】自1958年美国德克萨斯仪器公司（TI）发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术 的发展，二十 世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它 标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未 有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自 发明集成电路至今40多年以来，" 从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规 模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发 展经历了从传统 的板上系统（System-on-board ）到片上系统（System-on-a-chip ）的过程。在这历 史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其 产业结构经历了三次变 革。第一次变革：以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。70年代，集成电路的主流产品 是微处理器、存储器以及标准通 用逻辑电路。这 一时期IC制造商（IDM）在IC市场中充当主 要角色，IC设计只作为附属部门而存在。 这时的IC设计和半导体工艺密 切相关。IC设计主要以人工为主，CAD系统仅作为数 据处理和图形编程之用。IC产业仅处在以生产为导向 的初级阶段。第二次变革：Foundry公司与IC设计公司的崛起。80年代，集成电路的主流产品 为微处理器（MPU）、微控制器（MCU）及专用 IC（ ASIC）。这时，无生产线的IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foun dry）相结合的方式开始成为集成电路产业发展 的新模式。随着微处理器和PC机的广泛应用和普及（特别是在通信、工业控制、消费电子 等领域），IC产业已开始进入以客户为导向的阶段。一方面标准化功能的IC已难以满足整机客户对系统成本、可靠性等要求，同 时整机客户则要求不断增加IC的集成 度，提高保密性，减小芯片面积使系统的 体积缩小，降低成本，提高 产品的性能价格 比，从而增强产品的竞争力，得到更多的 市场份额和更丰厚的利润；另一方面，由于 IC微细加工技术的进步，软件的硬件化已成为可能，为了改善系统的速度和简化程序， 故各种硬件结构的ASIC如门阵列、可编程逻辑器件（包括FPGA）、标准单元、全 定制电路等应 运而生，其比例在整个IC销售额中1982年已占12%；其三是随着E DA工具（电子设计自动化工具）的发展，PCB设计方法引入IC设计之中，如库的 概念、工艺模拟参数及其仿真概念等，设计开始进入抽象化 阶段，使设计过程可以独 立于生产工艺而存在。有远见的整机厂商 和创业者包括风险投资基金（VC）看到AS IC的市场和发展前景，纷纷开始成立专业设计公司和IC设计部门，一种无生产线的 集成电路设计 公司（Fabless ）或设计部门纷纷建立起来并得 到迅速的发展。同时也 带动了标准工艺加工线（Foundry ）的崛起。全球第一个Foundry工厂是1987年成 立的台湾积体 电路公司，它的创始人张忠谋也 被誉为“晶芯片加工之父”。第三次变革：“四业分离”的IC产业90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际 竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知 识竞争、密集资本竞争。以 DRAM为 中心来扩大设 备投资的竞争方式已成为过去。如1990年，美国以Intel为代表，为抗 争日本跃居世 界半导体榜首之威胁，主动放弃 DRAM市场，大搞CPU，对半导体工 业作了重大结构调整，又重新夺回了世界半导体霸主 地位。这使人们认识到，越来越 庞大的集成电路产业体系并不有利于整 个IC产业发展，"分"才能精，"整合"才成优势。 于是，IC产业结构向高度专业化转化成为一种趋势，开始形成了设计业、制造业、封 装业、测试业独立成行的局面，近年来，全球IC产业的发展越来越显示出这种结构 的优势。如台湾IC业正是由于以中小企业为主，比较好地形成了高度分工的产业结 构，故自1996年，受亚洲经济危机的波及，全球半导体产业出现生产过剩、效益下 滑，而IC设计业却获得持续的 增长。特别是96、97、98年持续三年的DRAM的跌价、MPU的下滑，世界半导体工 业的增长速度已远达不到从前17%的增长值，若再依靠高投入提升 技术，追求大尺 寸硅片、追求 微细加工，从大生产中来降低成 本，推动其增长，将难以为继。而IC 设计企业更接 近市场和了解市场，通过创 新开发出高附加值的产品，直接推动着电子 系统的更新换代；同时，在创新中获取利润，在快速、协调发展的基础上积 累资本，带动半导体设备的更新和新的投入；IC设计业作为集成电路产业的"龙头"，为整个集 成电路产业的增长注入了新的动力和活力。IC设计、生产、销售模式目前，集成电路产品有以下几种设计、生 产、销售模式。1. IC制造商（IDM）自行设计，由自己的生产线加工、封装，测 试后的成品芯 片自行销售。2. IC设计公司（Fabless ）与标准工艺加工线（Foundry ）相结合的方式。设计 公司将所设计芯片最终的物理版图交给Foundry加工制造，同样，封装测试也委托专 业厂家完成，最后的成品芯片作为IC设计公司的产品而自行 销售。打个比方，Fabl ess相当于作者和出版商，而Foundry相当于印刷厂，起到产业"龙头"作用的应该是 前者。IC产品等级行业标准产品等级的界定主要依据产品的外包装， 将等级按字母顺序由A到E排列：A1级：原厂生产，原包装，防静电包装完整 （说明：来源于正 规渠道或独立分 销商，在规定质保期内，产品可靠性最高。即“全新原装货品”）A2级：原厂生产，原包装，防静电包装不完整，已经被打开（说明：来源于正规渠道或独立 分销商，在规定质保期内。即“全新货品”）A3级：原厂生产（说明：工厂积压或剩余货料，批号统一。有可能生产日 期较早。即“工厂剩货”）注：A1、A2、A3级在市场统称为“新货”B1级：非原厂包装或无包装，未使用，可能 被销售商重新包装 （说明：由原 厂生产，但因某些原因并没有包装，产品批号统一，为原厂统一打标。通过特殊渠道 流入市场的，产品质量可靠性不确定）B2级：非原厂包装或无包装，未使用，可能 被销售商重新包装（说明：由原厂生产，但因某些原因 未在产品表面打印字样，产品质量可 靠性不确定。一般这种类 型产品会被经销商统一重新打标）B3级：非原厂包装或无包装，未使用，可能 被销售商重新包装 （说明：由原 厂生产，但因某些原因并没有包装，产品批号不统一，为原厂统一打标。通过特殊渠 道流入市场的，产品质量可靠性不 确定。一般这种类型产品会被经销商统一重新打标）B4级：未使用，有包装（说明：由原厂生 产，但是产品存放环境不适宜， 或者产品存放时间过久。产品管脚氧化。产品质 量不确定）注：B1、B2、B3、B4级在市场统称为“散新货”C1级：由非原厂生产，全新未使用，完整包装（说明：一些由大陆、台湾或其他海外国家 或地区生产的产品，完全按照原 品牌工厂的规格要求进行包装 和封装， 功能完全相同，并印有原品牌厂商字样。产品质量不确定。不如原厂 正品质量可靠性 高。即“仿制品”）C2级：全新未使用（说明：由功能相同或者相近 的产品，去掉原有的标识改换为另外一种 产品标识的。即“替代品改字”，市场统称“替代品”）D1级：无包装，使用 过，产品管脚没有损伤，属于 旧货。可能被销售商重新包 装 （说明：从旧电路板上直接拔下，如一些 DIP,PLCC，BGA封装的可以直接拔下 的。即“旧货”）D2级：无包装，属于 旧货。可能被销售商重新包装（说明：从旧电路板上直接拆卸，管脚被剪短的。此类产品有可能会被后期处理过，将已经被 剪短的管脚拉长 或者接长。即“旧片剪切片”）D3级：无包装，属于 旧货。可能被销售商重新包装（说明：从旧电路板上拆卸，管脚沾有焊锡。并重新处理管脚。即“旧片”）D4级：无包装，属于 旧货。可能被销售商重新包装（说明：从旧电路板上拆卸，管脚沾有焊锡。重新处理管脚。并且重新 打标的。即“旧货翻新片”）D5级：无包装，属于 旧货。可能被销售商重新包装（说明：旧货，但是属于可编程器件，内置程序不可擦写）注：D1、D2、D3、D5级在市场 统称为“旧货”E1级：无包装货。可能被销售商重新包装 （说明：由原厂生产，产品质量 未 通过质检。本 应该被销毁的，但是通过特殊渠 道流通到市场的。质量不可靠。即“等 外品”，市场统称为“次品”）E2级：无包装货。可能被销售商重新包装（说明：将部分产品工业级别的 改为军品级别的。质量很不稳定，安全隐患极大。即“改级别”，市场统称“假货”）E3级：无包装货。可能被销售商重新包装（说明：用完全不相关的产品打 字为客户需求的产品。有的是外观相同，有的外观都不相同。即“假冒伪劣”，市场统称“假 货”）T1级：完整包装（说明：由原厂为 特定用户订制的某产品。有可能 只有该用户产品才能使用）T2级：完整包装（说明：由第三方采用原厂芯片晶圆进行封装的。 产品质量一般可靠。一般为停产芯片）注：T1级、T2级在市场统称为“特殊产品”常用电子元器件分类常用电子元器件 分类根据众多，下面就 常用类做下归纳：首先电子元器件是具有其独立电路功能、构成电路的基本单元。随着电子技术的 发展，元器件的品种也越来越多、功能也 越来越强，涉及的范围也在不 断扩大，跨越 了元件、电路、系统传统的分类，跨越了硬件、软件的基本范畴。、传感器等。电能的元器件，本身不需要电源就可以从根本上来看,基本电路元器 件大体上可以分为有源元器件和 无源元器件。对于 用半导体制成 的元器件，还可以分立器件和集成器件。按用 途还可以分为：基本电路 元件、开关类元件、连接器、指示或显示器件而无源器件是一种只消耗元器件输入信号进行信号处理和传输。、二极管等。件提供相应的电源，如果没 有电源，器无源器件包括电阻、电位器、电容、电感有源器件正常工作的基本条件是必须向器 件将无法工作。有源器件包括三极管、场 效应管、集成电路等，是以 半导体为基本材 料构成的元器件。随着集成电路的发展，已经能把单元电路、功能电路，甚至整个 电子系统集成在 一起。IC的分类（一）按功能结构分类集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信 号。例如半导体收音机的音频信号、录放 机的磁带信号等），而数字 集成电路用来产 生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和 幅度上离散取值的信号。例如 VCD、D VD重放的音频信号和视频信号）。基本的模拟集成电路有运算放大器、乘法器、集成稳压器、定时器、信号发生器 等。数字集成电路品种很多，小规模集成电路有多种门电路 ，即与非门、非门、或门 等；中规模集成电路有数据选择器、编码译码器、触发器、计数器、寄存器等。大规 模或超大规模 集成电路有PLD （可编程逻辑器件）和 ASIC （专用集成电路）。从PLD和ASIC这个角度来讲，元件、器件、电路、系统之间的区别不再是很严以实现不同电路软件电子学在现量新的器件不断中已随处可见。格。不仅如此，PLD器件本身只是一个硬件载体，载入不同程序就可 功能。因此，现代的器件已经 不是纯硬件了，软件器件和以及相应的 代电子设计中 得到了较多的应用，其地位也越 来越重要。电路元器件种类繁多，随着电子技术和工艺水平的不断提高，大 出现，同一种器件也有 多种封装形式，例如：贴片元件在现代电子产品 对于不同的使用环境，同一器件也有不同的工 业标准，国内元器件通常有三 个标准， 即：民用标准、工业标准、军用标准，标准不同，价格也不同。军用标准器件的价格 可能是民用标 准的十倍、甚至更多。工业标准 介于二者之间。（二）按制作工艺分类集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集 成电路。（三）按集成度高低分类集成电路按规模大小分为：小规模集成电路（SSI）、中规模集成电路（MSI）、 大规模集成电路（LSI）、超大规模集成电路（VLSI）、特大规模集成电路（ULSI）。（四）按导电类型不同 分类集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、 LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大 规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。（五）按用途分类集成电路按用途可分为电视机用集成电路。音响用集成电路、影碟机用集成电路、 录像机用集成 电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、 照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电 路及各种专用集 成电路。电视机用集成电路包括行、场扫描集成 电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩 色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解 码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、 音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处 理集成电路、电平驱动集 成电路、电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电 路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电 路、RF信号处理集成电路、数字信号 处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集 成电路等。录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集 成电路、驱动集成电路、音频处 理集成电路、视频处理集成电路。1、BGA（ball grid array）球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列 方式制作出球形 凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也 称为凸 点陈列载体（PAC）。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一 种封装。 封装本体也可做得比QFP（四侧引脚扁平封装）小。例如，引脚中心距为1. 5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚Q FP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美 国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后 在美国有可能在 个人计算机中普及。最初，BGA的引脚（凸点）中心距为1.5mm，引脚数为225。现 在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。 BGA的问题是回流焊后的外 观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。 有的认为，由于焊接的中心距较大， 连接可以看作 是稳定的，只 能通过功能检查 来处理。 美国Motorola公司把用模压 树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为 GPAC（见OMPAC和 GPAC）。2、BQFP（quad flat package with bumper）带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起 （缓冲垫）以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器 和ASIC等电路中 采用 此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右 （见 QFP）。3、碰焊 PGA（butt joint pin grid array）表面贴装型PGA的别称（见表面贴装型PGA）。4、C （ceramic）表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的 记号。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于 ECL RAM，DSP（数字信号处理器）等 电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM 的微机电路等。引脚中 心 距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为 DIP G（G即玻璃密 封的意思）。6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷 QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI 电路。带有窗 口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在 自然空冷条件下可容许1. 52W的功率。但封装成本比塑料QFP高35倍。 引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm 等多种规格。引脚数 从32到368。7、CLCC（ceramic leaded chip carrier）带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装 型封装之一，引脚从封装的四个 侧面引出， 呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机 电路等。此封 装也称为 QFJ、QFJ G（见QFJ）。8、COB（chip on board）板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上， 芯片与 基 板的电气连接用引线缝合方法实 现，芯片与基板的电气连 接用引线缝合方 法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但 它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。9、DFP（dual flat package）双侧引脚扁平封装。是SOP的别称（见SOP）。以前曾有此称法，现在已基本上 不用。10、DIC（dual in-line ceramic package）陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称（见DIP）.11、DIL（dual in-line）DIP的别称（见DIP）。欧洲半导体厂家多用此名称。12、DIP（dual in-line package）双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶 瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范 围包括标准逻辑IC，存贮器LSI， 微机电路等。 引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2 mm。 有的把宽度为7.52mm 和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP和slim DIP（窄体 型DIP）。但多数情况下并不加 区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密 封的陶瓷DIP也称为cerdip（见cerdip）。13、DSO（dual small out-lint）双侧引脚小外形封装。SOP的别称（见SOP）。部分半导体厂家采用此名称。14、DICP（dual tape carrier package）双侧引脚带载封装。TCP（带载封装）之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧 引 出。由于利用的是TAB（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱 动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶 段。在日本，按照EIAJ（日本电子机械工业）会标准规定，将DICP命名为DTP。15、DIP（dual tape carrier package）同上。日本电子机械工业会标准对 DTCP的命名（见DTCP）。16、FP（flat package）扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。部分半导体厂家 采 用此名称。17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在 LSI芯片的电极区制 作好金属凸点，然 后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片 尺寸相同。是所有 封装技 术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热 膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可 靠性。因此必须用 树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀 系数基本相同的基板材料。18、FQFP（fine pitch quad flat package）小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm 的QFP(见QFP)。部分导 导体厂家采用此名称。19、CPAC(globe top pad array carrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。20、CQFP(quad fiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料 QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防 止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为 海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5m m，引脚数最多为208左右。21、H-(with heat sink)表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。22、pin grid array(surface mount type)表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约 3.4mm。表面贴装型P GA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷 基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型 PGA小一半，所以封装本体可制作得 不 怎么大，而引脚数比插装型 多(250528)， 是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基 数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。23、JLCC(J-leaded chip carrier)J形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和 QFJ)。部分半 导体厂家采用的名称。24、LCC(Leadless chip carrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型 封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷 QFN或QFN C(见QFN)。25、LGA(land grid array)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即 可。现已 实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶 瓷LGA，应用于高速 逻辑LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容 纳更多的输入 输出引脚。另外，由于引线的阻抗 小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所 增加。26、LOC(lead on chip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构， 芯片 的 中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气 连接。与原来把引线框架布置 在芯片侧面 附近的 结构相比，在相同大小 的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。27、LQFP(low profile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会 根据制 定的新QFP外形规格所用的名称。28、L- QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高78倍，具有较 好的散热性。 封装的框架用氧化铝，芯片用 灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻 辑LSI开发的一种 封装，在自然空冷条件下可容许 W3的功率。现已开发出了 20 8引脚（0.5mm中心距）和160引脚（0.65mm 中心距）的LSI逻辑用封装，并于19 93年10月开始投入批量生产。29、MCM（multi-chip module）多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板 材料可 分 为MCM L，MCM C和MCM D三大类。 MCM L是使用 通常的 玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度 不怎么高，成本较低。MCM C是 用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层 陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM L。MCM D是用薄膜技术 形成多层布线，以陶 瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al作为 基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。30、MFP（mini flat package）小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体 厂家采用的名称。31、MQFP（metric quad flat package）按照JEDEC（美国联合电子设备 委员会）标准对QFP进行的一种分类。指引脚中 心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm2.0mm 的标准QFP（见QFP）。32、MQUAD（metal quad）美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。 在自然空 冷 条件下可容许2.5W2.8W 的功率。日本新光电气工业公 司于1993 年获得特许开始生产。33、MSP（mini square package）QFI的别称（见QFI），在开发初期多称为 MSP。QFI是日本电子机械工业会规 定的名称。34、OPMAC（over molded pad array carrier）模压树脂密封凸点陈列载体。美国 Motorola公司对模压树脂密封BGA采用的 名称（见BGA）。35、P （plastic）表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。36、PAC（pad array carrier）凸点陈列载体，BGA的别称（见BGA）。37、PCLP（printed circuit board leadless package）印刷电路板无引线封装。日本富士通公司 对塑料QFN（塑料LCC）采用的名称（见 QFN）。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。目前正处于开发阶段。38、PFPF（plastic flat package）塑料扁平封装。塑料 QFP的别称（见QFP）。部分LSI厂家采用的名称。39、PGA（pin grid array）陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈 陈列状排列。封装基材基 本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA， 用于高速大规模逻辑LSI电路。成本较高。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从 64到447左右。了为降低成本，封 装基材可用玻璃环氧树脂印刷 基板代替。也有 64256引脚的塑料PG A。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面 贴装型PGA（碰焊PGA）。（见表面贴装 型PGA）。40、piggy back驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发 带有微机的设 备时用于评价程序确认操作。 例如，将EPROM插入插座进行调试。 这种封装基本上都是定制品，市场上不怎么流通。41、PLCC（plastic leaded chip carrier）带引线的塑料芯片载体。表面贴装型封装之一。引脚从 封装的四个侧面引出，呈 丁字形， 是塑料制品。美国德克萨斯仪器 公司首先在64k位DRAM和256kDRA M中采用，现在已 经 普 及用于逻辑LSI、DLD（或程逻辑器件）等电路。引脚中心距 1.27mm，引脚数从18到84。J形引脚不易变形，比QFP容易操作，但焊接后的 外观检查较为困难。PLCC与LCC（也称QFN）相似。以前，两者的区别仅在于前者 用塑料，后者用陶瓷。但现 在已经出现用陶 瓷制作的J形引脚封装和用塑料制作的 无引脚封装（标记为塑料LCC、PC LP、P LCC等），已经无法分辨。为此，日本 电子机械工业会于1988年决定，把从四侧引出J形引 脚的封装称为QFJ，把在四 侧带有电极凸点的封装称为QFN（见QFJ和QFN）。42、P LCC（plastic teadless chip carrier）（plastic leaded chip currier）有时候是塑料QFJ的别称，有时候是QFN（塑料LCC）的别称（见QFJ和QF N）。部分LSI厂家用PLCC表示带引线封装，用P LCC表示无引线封装，以示区别。43、QFH（quad flat high package）四侧引脚厚体扁平封装。塑料 QFP的一种，为了防止封装本体断裂，QFP 本体制作得 较厚（见QFP）。部分半导体厂家采用的名称。44、QFI（quad flat I-leaded packgac）四侧I形引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。引脚从封装四个侧面引 出，向 下呈I字。也称为MSP（见MSP）。贴装与印刷基板进行碰焊连接。由于引脚无突 出部分，贴装占有面 积小 于QFP。日立制作所为视频模拟IC开发并使用了这 种 封装。此外，日本的Motorola公司的PLL IC也采用了此种封装。弓I脚中心距 1.27 mm,引脚数从18于68。45、QFJ（quad flat J-leaded package）四侧J形引脚扁平封装。表面贴装封装之一。引脚从封装 四个侧面引出，向 下呈J字形。是日本电子机械工业会规定的名称。引脚中心距 1.27mm。材料有塑料和陶瓷两种。塑料 QFJ多数情况称为PLCC（见PLCC），用于微机、 门陈列、 DRAM、ASSP、OTP等电路。引脚数从18至84。陶瓷QFJ也称为CLCC、JLCC（见CLCC）。带窗口的封装用于紫外线擦除型 E PROM以及带有EPROM的微机芯片电路。引脚数从 32至84。46、QFN（quad flat non -leaded package）四侧无引脚扁平封装。表面贴装型封装之一。现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积 比QFP小，高度 比QFP低。但是，当印刷基板与封装之间产生应力时，在电极接 触处就不能得到缓解。因此电 极触点难于作到QFP的引脚那样多，一般从14到 100左右。材料有陶瓷和塑料两种。当有LCC标记时基本上都是陶瓷QFN。电极 触点中心距 1.27mm。塑料QFN是以玻璃环氧树脂印刷基板基材的一种低成本封装。电极触点中心距 除1.27mm夕卜，还有0.65mm 和0.5mm 两种。这种封装也称为 塑料LCC、PCLC、 PLCC 等。47、QFP（quad flat package）四侧引脚扁平封装。表面贴装型封 装之一，引脚从四个侧面引出呈 海鸥翼（L） 型。基材有陶瓷、金属和塑料三种。从数量上看，塑料封装占绝大部分。当没有特别表示出材料时，多数情况为塑料QFP。塑料QFP是最普及的多引脚LSI封装。 不仅用于微处理器，门陈列等数字 逻辑LSI电路，而且也用于VTR信号处理、音 响信号处理等 模拟LSI电路。引脚中 心距 有1.0mm、0.8mm、 0.65mm、0.5mm、 0.4mm、0.3mm等多种规格。0.65mm中心距规格中最多引脚 数为304。日本将引 脚中心距小于0.65mm 的QFP称为QFP（FP）。但现在日本电子机械工业会对QFP 的外形规格进行了重新评价。在引脚中心距上不加区别，而是根据封装本体厚度分为 QFP（2.0mm 3.6mm 厚）、LQFP（1.4mm 厚）和 TQFP（1.0mm 厚）三种。另外，有的LSI厂家把引脚中心距为0.5mm的QFP专门称为收缩型QFP或 SQFP、VQFP。 但有的厂家把引脚中心 距为0.65mm 及0.4mm 的QFP也称为S QFP，至使名称稍有一些混乱 。QFP的缺点是，当引脚中心距小于0.65mm 时， 引脚容易弯曲。为了防止引脚变形，现已 出现了几种改进的QFP品种。如封装的 四个角带有树指缓冲垫的BQFP（见BQFP）；带树脂 保护 环覆盖引脚前端的GQFP （见GQFP）；在封装本体里设置测试凸点、放在防止引脚变形的专 用夹具里就可进 行测试的TPQFP（见TPQFP）。在逻辑LSI方面，不少开发品 和高可靠品都封装在 多层陶瓷QFP里。引脚中心距最小为 0.4mm、引脚数最多为348的产品也已问世。 此外，也有用玻璃密封的陶瓷QFP（见Gerqa d）。48、QFP(FP)(QFP fine pitch)小中心距QFP。日本电子机械工业会标准所规定的名称。指引脚中 心距为0. 55mm、0.4mm、0.3mm 等小于 0.65mm 的 QFP(见 QFP)。49、QIC(quad in-line ceramic package)陶瓷QFP的别称。部分半导体厂 家采用的名称(见QFP、Cerquad)。50、QIP(quad in-line plastic package)塑料QFP的别称。部分半导体厂家采用 的名称(见QFP)。51、QTCP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。TCP封装之一，在绝缘带上形成引 脚并从封装四个侧面引 出。是利用TAB技术的薄型封装(见TAB、TCP)。52、QTP(quad tape carrier package)四侧引脚带载封装。日本电子机械工业会于1993年4月对QTCP所制定的外形规格所用 的名称(见TCP)。53、QUIL(quad in-line)QUIP的别称(见QUIP)。54、QUIP(quad in-line package)四列引脚直插式封装。引脚从封装两个侧面引出，每隔一根交错向下弯曲成四列。 引脚中心距1.27mm，当插入印刷基板时，插入中心距就变成2.5mm。因此可用于 标准印刷线路 板。是 比标准DIP更小的一种封装。日 本电气公司在台式计算机和 家电产品等的微机芯片中采 用了些 种封装。材料有陶瓷和塑料两种。引脚数 64。55、SDIP (shrink dual in-line package)收缩型DIP。插装型封装之一，形状与 DIP相同，但引脚中心距(1.778mm) 小于 DIP(2.54 mm)，因而得此称呼。引脚数从14至到 900也有称为SH DIP的。材料有陶瓷和塑料 两种。56、SH DIP(shrink dual in-line package)同SDIP。部分半导体厂家采用的名称。57、SIL(single in-line)SIP的别称(见SIP)。欧洲半导体厂家多采用SIL这个名称。58、SIMM(single in-line memory module)单列存贮器组件。只在印刷基板的一个侧面附近配有电极的存贮器组 件。通常指 插入插座的组件。标准SIMM有中心距为2.54mm的30电极和中心距为1.27m m的72电极两种规格。在印刷基板的单面或双面装有用SOJ封装的1兆位及4 兆位DRAM的SIMM已经在个人 计算