南通关于成立半导体硅片公司可行性研究报告.docx

南通关于成立半导体硅片公司可行性研究报告xxx有限公司目录第一章 拟组建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据12六、 项目概况12第二章 项目建设背景及必要性分析15一、 半导体硅片介绍及主要种类15二、 半导体行业发展情况20三、 半导体硅片市场规模与发展态势23四、 项目实施的必要性25第三章 市场分析27一、 SOI硅片市场现状及前景27二、 SOI硅片市场现状及前景29第四章 公司组建方案32一、 公司经营宗旨32二、 公司的目标、主要职责32三、 公司组建方式33四、 公司管理体制33五、 部门职责及权限34六、 核心人员介绍38七、 财务会计制度39第五章 发展规划47一、 公司发展规划47二、 保障措施51第六章 法人治理54一、 股东权利及义务54二、 董事56三、 高级管理人员60四、 监事62第七章 环境保护分析64一、 环境保护综述64二、 建设期大气环境影响分析65三、 建设期水环境影响分析65四、 建设期固体废弃物环境影响分析66五、 建设期声环境影响分析66六、 营运期环境影响67七、 环境影响综合评价68第八章 项目选址分析69一、 项目选址原则69二、 建设区基本情况69三、 创新驱动发展75四、 社会经济发展目标76五、 产业发展方向79六、 项目选址综合评价85第九章 项目风险评估86一、 项目风险分析86二、 项目风险对策88第十章 进度实施计划90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十一章 投资方案92一、 编制说明92二、 建设投资92建筑工程投资一览表93主要设备购置一览表94建设投资估算表95三、 建设期利息96建设期利息估算表96固定资产投资估算表97四、 流动资金98流动资金估算表99五、 项目总投资100总投资及构成一览表100六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表101第十二章 经济收益分析103一、 基本假设及基础参数选取103二、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表105利润及利润分配表107三、 项目盈利能力分析107项目投资现金流量表109四、 财务生存能力分析110五、 偿债能力分析111借款还本付息计划表112六、 经济评价结论112第十三章 项目综合评价114第十四章 附表附录116主要经济指标一览表116建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表128建筑工程投资一览表129项目实施进度计划一览表130主要设备购置一览表131能耗分析一览表131报告说明xxx有限公司主要由xxx（集团）有限公司和xxx集团有限公司共同出资成立。其中：xxx（集团）有限公司出资243.00万元，占xxx有限公司30%股份；xxx集团有限公司出资567万元，占xxx有限公司70%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资6269.59万元，其中：建设投资4991.86万元，占项目总投资的79.62%；建设期利息98.99万元，占项目总投资的1.58%；流动资金1178.74万元，占项目总投资的18.80%。项目正常运营每年营业收入10400.00万元，综合总成本费用8069.97万元，净利润1705.13万元，财务内部收益率20.33%，财务净现值2071.50万元，全部投资回收期5.99年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。半导体制造材料主要包括硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等。根据SEMI统计，2018年硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品的销售额分别为120.98亿美元、42.73亿美元、40.41亿美元、22.76亿美元，分别占全球半导体制造材料行业36.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市场份额。半导体硅片占比最高，为半导体制造的核心材料。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 拟组建公司基本信息一、 公司名称xxx有限公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本810万元三、 注册地址南通xxx四、 主要经营范围经营范围：从事半导体硅片相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xxx有限公司主要由xxx（集团）有限公司和xxx集团有限公司发起成立。（一）xxx（集团）有限公司基本情况1、公司简介未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2536.642029.311902.48负债总额1422.621138.101066.96股东权益合计1114.02891.22835.51公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入5505.094404.074128.82营业利润879.96703.97659.97利润总额818.23654.58613.67净利润613.67478.66441.84归属于母公司所有者的净利润613.67478.66441.84（二）xxx集团有限公司基本情况1、公司简介公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2536.642029.311902.48负债总额1422.621138.101066.96股东权益合计1114.02891.22835.51公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入5505.094404.074128.82营业利润879.96703.97659.97利润总额818.23654.58613.67净利润613.67478.66441.84归属于母公司所有者的净利润613.67478.66441.84六、 项目概况（一）投资路径xxx有限公司主要从事关于成立半导体硅片公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由过去30年间，半导体硅片行业集中度持续提升。20世纪90年代，全球主要的半导体硅片企业超过20家。2016-2018年，全球前五大硅片企业的市场份额已从85%提升至93%。半导体硅片行业兼具技术密集型、资本密集型与人才密集型的特征。行业龙头企业通过多年的技术积累和规模效应，已经建立了较高的行业壁垒。“十三五”时期，我们必须以全球的视野、战略的眼光，增强战略自信，保持战略定力，用好战略机遇，以更加积极的姿态，攻坚克难、奋发有为，着力在优化结构、增强动力、化解矛盾、补齐短板上取得突破性进展，加快形成发展和竞争新优势，实现更高质量、更有效率、更加公平、更可持续的发展，实现“迈上新台阶、建设新南通”的发展目标。（三）项目选址项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约13.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模项目建成后，形成年产xx吨半导体硅片的生产能力。（五）建设规模项目建筑面积15346.91，其中：生产工程11124.10，仓储工程1820.79，行政办公及生活服务设施1467.31，公共工程934.71。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资6269.59万元，其中：建设投资4991.86万元，占项目总投资的79.62%；建设期利息98.99万元，占项目总投资的1.58%；流动资金1178.74万元，占项目总投资的18.80%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：10400.00万元。2、综合总成本费用（TC）：8069.97万元。3、净利润（NP）：1705.13万元。4、全部投资回收期（Pt）：5.99年。5、财务内部收益率：20.33%。6、财务净现值：2071.50万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划24个月。（九）项目综合评价由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。第二章 项目建设背景及必要性分析一、 半导体硅片介绍及主要种类1、半导体硅片简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等化合物半导体。相较于锗，硅的熔点为1,415，高于锗的熔点937，较高的熔点使硅可以广泛应用于高温加工工艺中；硅的禁带宽度大于锗，更适合制作高压器件。相较于砷化镓，硅安全无毒、对环境无害，而砷元素为有毒物质；并且锗、砷化镓均没有天然的氧化物，在晶圆制造时还需要在表面沉积多层绝缘体，这会导致下游晶圆制造的生产步骤增加从而使生产成本提高。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。硅在地壳中占比约27%，是除了氧元素之外第二丰富的元素，硅元素以二氧化硅和硅酸盐的形式大量存在于沙子、岩石、矿物中，储量丰富并且易于取得。通常将95-99%纯度的硅称为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，制成具有特定电性功能的单晶硅锭。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，而熔体中的硼（P）、磷（B）等杂质元素的浓度决定了单晶硅锭的电特性。单晶硅锭经过切片、研磨、蚀刻、抛光、外延（如有）、键合（如有）、清洗等工艺步骤，制造成为半导体硅片。在半导体硅片上可布设晶体管及多层互联线，使之成为具有特定功能的集成电路或半导体器件产品。在生产环节中，半导体硅片需要尽可能地减少晶体缺陷，保持极高的平整度与表面洁净度，以保证集成电路或半导体器件的可靠性。2、半导体硅片的主要种类1965年，戈登摩尔提出摩尔定律：集成电路上所集成的晶体管数量，每隔18个月就提升一倍，相应的集成电路性能增强一倍，成本随之下降一半。对于芯片制造企业而言，这意味着需要不断提升单片硅片可生产的芯片数量、降低单片硅片的制造成本以便与摩尔定律同步。半导体硅片的直径越大，在单片硅片上可制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要有50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）等规格。在摩尔定律的影响下，半导体硅片正在不断向大尺寸的方向发展。为提高生产效率并降低成本，向大尺寸演进是半导体硅片制造技术的发展方向。硅片尺寸越大，在单片硅片上制造的芯片数量就越多，单位芯片的成本随之降低。同时，在圆形的硅片上制造矩形的芯片会使硅片边缘处的一些区域无法被利用，必然会浪费部分硅片。硅片的尺寸越大，相对而言硅片边缘的损失会越小，有利于进一步降低芯片的成本。例如，在同样的工艺条件下，300mm半导体硅片的可使用面积超过200mm硅片的两倍以上，可使用率（衡量单位晶圆可生产的芯片数量的指标）是200mm硅片的2.5倍左右。半导体硅片尺寸越大，对半导体硅片的生产技术、设备、材料、工艺的要求越高。目前，全球市场主流的产品是200mm、300mm直径的半导体硅片，下游芯片制造行业的设备投资也与200mm和300mm规格相匹配。考虑到大部分200mm及以下芯片制造生产线投产时间较早，绝大部分设备已折旧完毕，因此200mm及以下半导体硅片对应的芯片制造成本往往较低，在部分领域使用200mm及以下半导体硅片的综合成本可能并不高于300mm半导体硅片。此外，在高精度模拟电路、射频前端芯片、嵌入式存储器、CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器、高压MOS等特殊产品方面，200mm及以下芯片制造的工艺更为成熟。综上，200mm及以下半导体硅片的需求依然存在。随着汽车电子、工业电子等应用的驱动，200mm半导体硅片的需求呈上涨趋势。目前，除上述特殊产品外，200mm及以下半导体硅片的需求主要来源于功率器件、电源管理器、非易失性存储器、MEMS、显示驱动芯片与指纹识别芯片等，终端应用领域主要为移动通信、汽车电子、物联网、工业电子等。目前，300mm半导体硅片的需求主要来源于存储芯片、图像处理芯片、通用处理器芯片、高性能FPGA（现场可编程门阵列）与ASIC（专用集成电路），终端应用主要为智能手机、计算机、云计算、人工智能、SSD（固态存储硬盘）等较为高端领域。根据制造工艺分类，半导体硅片主要可以分为抛光片、外延片与以SOI硅片为代表的高端硅基材料。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后得到抛光片。抛光片经过外延生长形成外延片，抛光片经过氧化、键合或离子注入等工艺处理后形成SOI硅片。随着集成电路特征线宽的不断缩小，光刻机的景深也越来越小，硅片上极其微小的高度差都会使集成电路布线图发生变形、错位，这对硅片表面平整度提出了苛刻的要求。此外，硅片表面颗粒度和洁净度对半导体产品的良品率也有直接影响。抛光工艺可去除加工表面残留的损伤层，实现半导体硅片表面平坦化，并进一步减小硅片的表面粗糙度以满足芯片制造工艺对硅片平整度和表面颗粒度的要求。抛光片可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层，掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量。外延片常在CMOS电路中使用，如通用处理器芯片、图形处理器芯片等，由于外延片相较于抛光片含氧量、含碳量、缺陷密度更低，提高了栅氧化层的完整性，改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。除此之外，通常在低电阻率的硅衬底上外延生长一层高电阻率的外延层，应用于二极管、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率器件的制造。功率器件常用在大功率和高电压的环境中，硅衬底的低电阻率可降低导通电阻，高电阻率的外延层可以提高器件的击穿电压。外延片提升了器件的可靠性，并减少了器件的能耗，因此在工业电子、汽车电子等领域广泛使用。SOI硅片即绝缘体上硅，是常见的硅基材料之一，其核心特征是在顶层硅和支撑衬底之间引入了一层氧化物绝缘埋层。SOI硅片的优势在于可以通过绝缘埋层实现全介质隔离，这将大幅减少硅片的寄生电容以及漏电现象，并消除了闩锁效应。SOI硅片具有寄生电容小、短沟道效应小、低压低功耗、集成密度高、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点。因此，SOI硅片适合应用在要求耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子、传感器以及星载芯片等。二、 半导体行业发展情况1、半导体简介半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、氮化镓等化合物半导体。半导体是电子产品的核心，是信息产业的基石，亦被称为现代工业的“粮食”。半导体行业具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点，产业链呈垂直化分工格局。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节，半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、汽车电子、医疗电子、工业电子、人工智能、军工航天等行业。2、半导体行业发展情况2018年全球半导体行业销售额4,687.78亿美元，同比增长13.72%；中国半导体行业销售额1,581.00亿美元，同比增长20.22%。2008至2018年，中国半导体行业在国家产业政策、下游终端应用市场发展的驱动下迅速扩张，占全球半导体行业的比重比从18.16%上升至33.73%，在全球半导体行业中的重要性日益上升。半导体行业市场规模总体呈波动上升趋势，与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。尽管半导体行业长期处于增长态势，但短期需求呈现一定的波动性。2009年，受全球经济危机影响，全球GDP同比下降1.76%，半导体行业销售额同比下降9.00%；2010年，宏观经济回暖，全球GDP同比增长4.32%，半导体行业销售额因宏观经济上行与第四代iPhone、第一代iPad等终端电子产品的兴起，同比增速高达31.80%，处于历史增长高位；2011年至2016年，全球GDP以3%左右的增长率低速发展，半导体行业销售额增速亦在10%以下。2017年，全球GDP增速3.14%，但因半导体产品终端市场需求强劲，下游传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长，新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展，全球半导体销售收入实现21.60%的年增长率，标志着全球半导体行业进入了新一轮的、受终端需求驱动的上行周期。WSTS预测2019年全球半导体市场规模为4,065.87亿美元，同比下降13.30%，并预测2020年全球半导体市场将出现反弹，市场规模达4,260.75亿美元，同比上升4.8%。虽然中国半导体行业销售规模持续扩张，但中国半导体产业依然严重依赖进口。根据海关总署统计，2018年，中国集成电路进口金额达3,120.58亿美元，连续第四年超过原油进口金额，位列中国进口商品第一位，并且贸易逆差还在不断扩大。中国半导体产业国产化进程严重滞后于国内快速增长的市场需求，中国半导体企业进口替代空间巨大。当前，中国半导体产业正处于产业升级的关键阶段，实现核心技术的“自主可控”是中国半导体产业现阶段最重要的目标。半导体产业按产品类别可分为集成电路、光电子器件、分立器件和传感器四类。2018年，全球集成电路、光电子器件、分立器件和传感器销售额分别为3,932.88亿美元、380.32亿美元、241.02亿美元和133.56亿美元，较2017年分别增长14.60%、9.25%、11.32%和6.24%，在全球半导体行业占比分别为83.90%、8.11%、5.14%和2.85%。集成电路系半导体行业中增速最快、占比最高的行业。3、半导体材料行业发展情况半导体材料包括半导体制造材料与半导体封测材料。根据SEMI统计，2018年全球半导体制造材料市场规模为330.18亿美元，同比增长17.14%；全球半导体封装测试材料市场规模预计为197.01亿美元，同比增长3.02%。2009年至今，制造材料市场规模增速一直高于封测材料市场增速。2009年，制造材料市场规模与封测材料市场规模相当，经过近十年发展，制造材料市场规模是封测材料市场规模的1.68倍。半导体制造材料主要包括硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等。根据SEMI统计，2018年硅片、电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品的销售额分别为120.98亿美元、42.73亿美元、40.41亿美元、22.76亿美元，分别占全球半导体制造材料行业36.64%、12.94%、12.24%、6.89%的市场份额。半导体硅片占比最高，为半导体制造的核心材料。三、 半导体硅片市场规模与发展态势1、全球半导体硅片市场规模与发展态势由于半导体行业与全球宏观经济形势紧密相关，全球半导体硅片行业在2009年受经济危机影响较为低迷出货量与销售额均出现下滑；2010年由于智能手机放量增长，硅片行业大幅反弹。2011年至2016年，全球经济逐渐复苏但依旧较为低迷，硅片行业亦随之低速发展。2017年以来，受益于半导体终端市场需求强劲，下游传统应用领域计算机、移动通信、固态硬盘、工业电子市场持续增长，新兴应用领域如人工智能、区块链、物联网、汽车电子的快速发展，半导体硅片市场规模不断增长，并于2018年突破百亿美元大关。2、全球各尺寸半导体硅片市场情况2018年，300mm硅片和200mm硅片市场份额分别为63.83%和26.14%，两种尺寸硅片合计占比接近90.00%。2011年开始，200mm半导体硅片市场占有率稳定在25-27%之间。2016年至2017年，由于汽车电子、智能手机用指纹芯片、液晶显示器市场需求快速增长，200mm硅片出货面积从2,690.00百万平方英寸上升至3,085.00百万平方英寸，同比增长14.68%。2018年，受益于汽车电子、工业电子、物联网等应用领域的强劲需求，以及功率器件、传感器等生产商将部分产能从150mm转移至200mm，带动200mm硅片继续保持增长，200mm硅片出货面积达到3,278.00百万平方英寸，同比增长6.25%。自2000年全球第一条300mm芯片制造生产线建成以来，300mm半导体硅片市场需求增加，出货面积不断上升。2008年，300mm半导体硅片出货量首次超过200mm半导体硅片；2009年，300mm半导体硅片出货面积超过其他尺寸半导体硅片出货面积之和。2000年至2018年，由于移动通信、计算机等终端市场持续快速发展，300mm半导体硅片出货面积从94.00百万平方英寸扩大至8,005.00百万平方英寸，市场份额从1.69%大幅提升至2018年的63.83%，成为半导体硅片市场最主流的产品。2016至2018年，由于人工智能、区块链、云计算等新兴终端市场的蓬勃发展，300mm半导体硅片出货面积分别为6,817.00、7,261.00、8,005.00百万平方英寸，年均复合增长率为8.36%。3、中国大陆半导体硅片市场现状及前景2008年至2013年，中国大陆半导体硅片市场发展趋势与全球半导体硅片市场一致。2014年起，随着中国各半导体制造生产线投产、中国半导体制造技术的不断进步与中国半导体终端产品市场的飞速发展，中国大陆半导体硅片市场步入了飞跃式发展阶段。2016年至2018年，中国大陆半导体硅片销售额从5.00亿美元上升至9.92亿美元，年均复合增长率高达40.88%，远高于同期全球半导体硅片的年均复合增长率25.65%。中国作为全球最大的半导体产品终端市场，预计未来随着中国芯片制造产能的持续扩张，中国半导体硅片市场的规模将继续以高于全球市场的速度增长。半导体硅片作为芯片制造的关键材料，市场集中度很高，目前全球半导体硅片市场主要被日本、德国、韩国、中国台湾等国家和地区的知名企业占据。中国大陆的半导体硅片企业主要生产150mm及以下的半导体硅片，仅有少数几家企业具有200mm半导体硅片的生产能力。2017年以前，300mm半导体硅片几乎全部依赖进口。2018年，硅产业集团子公司上海新昇作为中国大陆率先实现300mm硅片规模化销售的企业，打破了300mm半导体硅片国产化率几乎为0%的局面。四、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第三章 市场分析一、 SOI硅片市场现状及前景1、SOI硅片市场规模2016年至2018年全球SOI硅片市场销售额从4.41亿美元增长至7.17亿美元，年均复合增长率27.51%；同期，中国SOI硅片市场销售额从0.02亿美元上升至0.11亿美元，年均复合增长率132.46%。作为特殊硅基材料，SOI硅片生产工艺更复杂、成本更高、应用领域更专业，全球范围内仅有Soitec、信越化学、环球晶圆、SUMCO和硅产业集团等少数企业有能力生产。而在需求方面，中国大陆芯片制造领域具备SOI芯片生产能力的企业并不多，因此中国SOI硅片产销规模较小。2、SOI硅片在射频前端芯片中的应用射频前端芯片是超小型内置芯片模块，集成了无线前端电路中使用的各种功能芯片，包括功率放大器、天线调谐器、低噪声放大器、滤波器和射频开关等。射频前端芯片主要功能为处理模拟信号，是以移动智能终端为代表的无线通信设备的核心器件之一。近年来，移动通信技术迅速发展，移动数据传输量和传输速度不断提升，对于配套的射频前端芯片的工作频率、集成度与复杂性的要求随之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有电荷陷阱层的高阻SOI），是用于射频前端芯片的SOI硅片，其具有寄生电容小、短沟道效应小、集成密度高、速度快、功耗低、工艺简单等优点，符合射频前端芯片对于高速、高线性与低插损等要求。为了应对射频前端芯片对于集成度与复杂性的更高要求，RF-SOI工艺可以在不影响半导体器件工作频率的情况下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的结构与良好的电学性能，为系统设计提供了巨大的灵活性。由于SOI是硅基材料，很容易与其它器件集成，同时可以使用标准的集成电路生产线以降低芯片制造企业的生产成本。例如，SOI与CMOS工艺的兼容使其能将数字电路与模拟电路混合，在射频电路应用领域优势明显。RF-SOI工艺在射频集成方面具有多种优势：SOI硅片中绝缘埋层（BOX）的存在，实现了器件有源区和衬底之间的完全隔离，有效降低了寄生电容，从而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻衬底，降低高频RF和数字、混和信号器件之间的串扰并大幅度降低射频前端的噪声量，同时降低了高频插入损耗；作为一种全介质隔离，RF-SOI实现了RF电路与数字电路的单片集成。目前海外RF-SOI产业链较为成熟，格罗方德、意法半导体、TowerJazz、台电和台湾联华电子等芯片制造企业均具有基于RF-SOI工艺的芯片生产线。国内RF-SOI产业链发展不均衡，下游终端智能手机市场发展迅速，中游射频前端模块和器件大部分依赖进口。目前，虽然我国企业具备RF-SOI硅片大规模生产能力，但是国内仅有少数芯片制造企业具有基于RF-SOI工艺制造射频前端芯片的能力，因此国产RF-SOI硅片以出口为主。SOI硅片主要应用于智能手机、WiFi等无线通信设备的射频前端芯片，亦应用于汽车电子、功率器件、传感器等产品。未来，随着5G通信技术的不断成熟，新一轮智能手机的更新换代即将到来，以及自动驾驶、车联网技术的发展，SOI硅片需求将持续上升。二、 SOI硅片市场现状及前景1、SOI硅片市场规模2016年至2018年全球SOI硅片市场销售额从4.41亿美元增长至7.17亿美元，年均复合增长率27.51%；同期，中国SOI硅片市场销售额从0.02亿美元上升至0.11亿美元，年均复合增长率132.46%。作为特殊硅基材料，SOI硅片生产工艺更复杂、成本更高、应用领域更专业，全球范围内仅有Soitec、信越化学、环球晶圆、SUMCO和硅产业集团等少数企业有能力生产。而在需求方面，中国大陆芯片制造领域具备SOI芯片生产能力的企业并不多，因此中国SOI硅片产销规模较小。2、SOI硅片在射频前端芯片中的应用射频前端芯片是超小型内置芯片模块，集成了无线前端电路中使用的各种功能芯片，包括功率放大器、天线调谐器、低噪声放大器、滤波器和射频开关等。射频前端芯片主要功能为处理模拟信号，是以移动智能终端为代表的无线通信设备的核心器件之一。近年来，移动通信技术迅速发展，移动数据传输量和传输速度不断提升，对于配套的射频前端芯片的工作频率、集成度与复杂性的要求随之提高。RF-SOI硅片，包括HR-SOI（高阻）和TR-SOI（含有电荷陷阱层的高阻SOI），是用于射频前端芯片的SOI硅片，其具有寄生电容小、短沟道效应小、集成密度高、速度快、功耗低、工艺简单等优点，符合射频前端芯片对于高速、高线性与低插损等要求。为了应对射频前端芯片对于集成度与复杂性的更高要求，RF-SOI工艺可以在不影响半导体器件工作频率的情况下提高集成度并保持良好的性能；另一方面，SOI以其特殊的结构与良好的电学性能，为系统设计提供了巨大的灵活性。由于SOI是硅基材料，很容易与其它器件集成，同时可以使用标准的集成电路生产线以降低芯片制造企业的生产成本。例如，SOI与CMOS工艺的兼容使其能将数字电路与模拟电路混合，在射频电路应用领域优势明显。RF-SOI工艺在射频集成方面具有多种优势：SOI硅片中绝缘埋层（BOX）的存在，实现了器件有源区和衬底之间的完全隔离，有效降低了寄生电容，从而降低了功耗；RF-SOI可以提供高阻衬底，降低高频RF和数字、混和信号器件之间的串扰并大幅度降低射频前端的噪声量，同时降低了高频插入损耗；作为一种全介质隔离，RF-SOI实现了RF电路与数字电路的单片集成。目前海外RF-SOI产业链较为成熟，格罗方德、意法半导体、TowerJazz、台电和台湾联华电子等芯片制造企业均具有基于RF-SOI工艺的芯片生产线。国内RF-SOI产业链发展不均衡，下游终端智能手机市场发展迅速，中游射频前端模块和器件大部分依赖进口。目前，虽然我国企业具备RF-SOI硅片大规模生产能力，但是国内仅有少数芯片制造企业具有基于RF-SOI工艺制造射频前端芯片的能力，因此国产RF-SOI硅片以出口为主。SOI硅片主要应用于智能手机、WiFi等无线通信设备的射频前端芯片，亦应用于汽车电子、功率器件、传感器等产品。未来，随着5G通信技术的不断成熟，新一轮智能手机的更新换代即将到来，以及自动驾驶、车联网技术的发展，SOI硅片需求将持续上升。第四章 公司组建方案一、 公司经营宗旨公司通过整合资源，实现产品化、智能化和平台化。二、 公司的目标、主要职责（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。2、根据国家和地方产业政策、半导体硅片行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、深化企业改革，加快结构调整，转换企业经营机制，建立现代企业制度，强化内部管理，促进企业可持续发展。4、指导和加强企业思想政治工作和精神文明建设，统一管理公司的名称、商标、商誉等无形资产，搞好公司企业文化建设。5、在保证股东企业合法权益和自身发展需要的前提下，公司可依照公司法等有关规定，集中资产收益，用于再投入和结构调整。三、 公司组建方式xxx有限公司主要由xxx（集团）有限公司和xxx集团有限公司共同出资成立。其中：xxx（集团）有限公司出资243.00万元，占xxx有限公司30%股份；xxx集团有限公司出资567万元，占xxx有限公司70%股份。四、 公司管理体制xxx有限公司实行董事会领导下的总经理负责制，各部门按其规定的职能范围，履行各自的管理服务职能，而且直接对总经理负责；公司建立完善的营销、供应、生产和品质管理体系，确立各部门相应的经济责任目标，加强产品质量和定额目标管理，确保公司生产经营正常、有效、稳定、安全、持续运行，有力促进企业的高效、健康、快速发展。总经理的主要职责如下：1、全面领导企业的日常工作；对企业的产品质量负责；向本公司职工传达满足顾客和法律法规要求的重要性；2、制定并正式批准颁布本公司的质量方针和质量目标，采取有效措施，保证各级人员理解质量方针并坚持贯彻执行；3、负责策划、建立本公司的质量管理体系，批准发布本公司的质量手册；4、明确所有与质量有关的职能部门和人员的职责权限和相互关系；5、确保质量管理体系运行所必要的资源配备；6、任命管理者代表，并为其有效开展工作提供支持；7、定期组织并主持对质量管理体系的管理评审，以确保其持续的适宜性、充分性和有效性。五、 部门职责及权限（一）综合管理部1、协助管理者代表组织建立文件化质量体系，并使其有效运行和持续改进。2、协助管理者代表，组织内部质量管理体系审核。3、负责本公司文件（包括记录）的管理和控制。4、负责本公司员工培训的管理，制订并实施员工培训计划。5、参与识别并确定为实现产品符合性所需的工作环境，并对工作环境中与产品符合性有关的条件加以管理。（二）财务部1、参与制定本公司财务制度及相应的实施细则。2、参与本公司的工程项目可信性研究和项目评估中的财务分析工作。3、负责董事会及总经理所需的财务数据资料的整理编报。4、负责对财务工作有关的外部及政府部门，如税务局、财政局、银行、会计事务所等联络、沟通工作。