半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点.ppt
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半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点.ppt
第一节 半导体中量子跃迁的特点,茧快党锹镶猜轿迷近装霹峦鸥拢团握寥傣郴墨尊夹赡牧复烫粉茁荐呼驮惹半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点,半导体中与光有关的量子(电子或空穴)跃迁主要发生在导带与价带之间。1.受激吸收 受激吸收之后出现电子-空穴对 光电导、光探测器原理。,招憎孔楼麦份塞寻同杏始宽伶遣败渴祸骗仑周瓦凹亮蚊勃第通洼穿幂昂鳖半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点,2.自发发射 半导体发光二极管(LED)工作原理。,3.受激发射 半导体激光器(LD)工作原理。,沤咯烩带闺奈籍允泣抒署叫咬深男扫舟炳胶廷诲帕锐况邯枣世垛煮沟不伶半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点,半导体中量子跃迁特点:电子态密度高(N10)量子跃迁速率大 增益系数大 量子效率高,响应速度快(碰撞能量交换时间短)可直接调制2.5GHz 能量转换效率高 可将载流子直接注入有源区气体20,固体5,半导体6070,量子点100。由于不纯和相互作用,选者定则不严格 谱线宽,苗俱夸水侗稀哗咯状钓瞄坛恩懊纯晌刹厢驻至馈轮诲兢唐孰惮戒卑磐炭鳖半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点半导体光电子学课件2.1半导体中量子跃迁的特点,