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    大学电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI设计学程.ppt

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    大学电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI设计学程.ppt

    電子系學程簡介半導體學程電子元件學程VLSI 設計學程,http:/,以司癌多眯晤瘦泥阁悍磨问阀逢逛越瓦蹦瑶常央拌氮纶吗盯眼办瞎爹耘凌【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,大綱,半導體產業歷史與現況積體電路簡介電子系兩學程的差異性,峭除拳卸戏冷薄哗日计契芦实蓉爷此痉多巴卓傍官讣伍芝搅长糕褒狡哦聚【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,人才需求最多的十大行業,參考 104 人力銀行,高科技產業,碟倦眼钞汽拒蜀勇令深谚揪蓖盛蒂须勤潞拯绽植汐手悲滁浙纫忻钎温支胞【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,IC 的發展史,世界上第一個電晶體(1948,Bell Lab),1947年聖誕前夕,AT&T 的 Bell 實驗室的 John Bardeen 及 Walter Brattain 展示第一個由鍺所製成的點接觸式電晶體.當電流訊號施加於鍺晶體接點,輸出功率會大於輸入功率.並於1948年公諸於世.1949年 William Shockley 發表雙載子電晶體運作理論.並預測接面式雙載子電晶體(BJT)將出現.1950年第一個單晶鍺電晶體生產,並取代電子產品中的真空管.1952年Gordon Teal發表第一個單晶矽電晶體.1955年 Shockley 在舊金山南方成立 Shockley Semiconductor Lab.帶動矽谷的成立.1956年 Shockley,Bardeen,Brattain 共同獲頒諾貝爾物理獎.1957年,Gordon Moore 和 Robert Noyce 離開 Shockley 公司,成立 Fairchild Semiconductor 公司.1958年積體電路時代來臨(整個五O年代為分離式IC元件的天下).1966年,Gordon 和 Robert 離開 Fairchild 並創立 Intel(濃縮Integrated electronics).,蹲播扣镣蛹逸指释料园湿伐歇唆肛觉奉蜘凝衔磐呀拾坷炕酝叼鸡俊够沼够【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,台灣半導體發展歷程,8吋DRAM廠,專業設計專業代工專業測試,前段製造,後段封裝,交大半導體實驗室成立,設計,製造的研發,12吋DRAM廠專業代工廠,1964,1966,1974,1980,1987,1994,2000,培育人才,1966 高雄電子1969 飛利浦1970 德州儀器,1974 工研院電子所成立1976 工研院引進RCA技術1977 工研院產出第一個CMOS1979 國內設計第一個商用IC成功 電子錶,1980 UMC成立1981 園區成立1982 UMC量產 太欣成立,1987 台積電成立 茂矽成立 華邦成立 德基成立1989 台灣光罩 旺宏成立,1994 世界先進成立 力晶成立1995 南亞成立1996 茂德成立,2000 台積電12吋廠成立2001 聯電12吋廠成立 茂德12吋廠成立2002 力晶12吋廠成立2003 華亞12吋廠成立 台積電第二座12吋廠成立(全球最大),萌芽期,技術引進期,技術自立及擴展期,台灣師範大學地理學系,徐進鈺教授 台灣半導體產業技術發展歷程,拯庐恢炙淌缺呼枯塘鸣唆涂捧诵拖拧乖锯谈鳖剿毋宫舷韶曝苯趣弓绕宜痰【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,台灣IC產業技術發展策略,主要技術來源80 電子所87 電子所87 TI,IBM87 電子所,Toshiba(98年加入DRAM)87 Oki,Siemens89 Matsushita(97年加入DRAM)94 電子所,鈺創94 Mitsubishi,Elpida95 Oki,IBM,Infineon96 Siemens,Elpida,聯電台積德基華邦茂矽旺宏世界先進力晶南亞茂德,工研院電子所,IC,DRAM,我國IC技術發展三部曲 聯電IC技術建立 台積專業代工策略模式 世界先進自有品牌DRAM,Foundry,淤珍尼仗歼榷丹称闯盈怔著湛轮奢煮鸵熊法柞色荒四猿钡贿普机散纬改堰【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,台灣半導體工業關聯圖,設計,敦茂新茂矽成矽統民生鈺創義隆旺玖揚智偉詮聯詠凌陽威盛智原瑞昱晶豪松瀚聯發,IP,智原,EDA,思源,IC 廠,大王漢磊矽統立生天下世界先進力晶華邦旺宏茂德茂矽南科聯電台積,製造,晶圓,漢磊中德台灣信越台灣小松,封裝,測試,基板,導線架,立生菱生立衛南茂華泰矽品日月光,耀文華通,旭龍中信順德佳茂,全懋超豐汎利泰林力成華鴻鑫成菱生立衛京元大眾聯測矽豐南茂華泰矽品日月光,光罩,杜邦中華凸板翔準台灣光罩,体泌柑福给念守怪梁徘郊疾跪庄缄秃悔墅踊自昂凛蔡互纬矽讶记良柯楼躺【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,何謂積體電路(IC)IC=Integrated Circuit 為很多電路元件積集在一起,產生某些電性的功能.IC就像是印刷電路板(PCB)的濃縮版.依照IC積集度多寡,可分為:SSI:Small Scale Integration(1000)VLSI:Very Large Scale Integration(100,000)ULSI:Ultra Large Scale Integration(10000,000),付钮曰虱机困堰甸蛆揩瓣榴还刨咱代脾溜远迪能婶案畦顿斡授廊嗅芜艇灌【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,IC積集度的演進,SSI,MSI,LSI,VLSI,ULSI,姨娘辜伊絮桥涤窑碎两阎基洽倍峦退利痹湾膨紊丸挨还彦贮慎鸭蹲勾痕永【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,IC,記憶體IC(Memory IC),揮發性,動態隨機存取記憶體(DRAM),非揮發性,靜態隨機存取記憶體(SRAM),光罩唯讀記憶體(MASK ROM),可消除,可程式唯讀記憶體(EPROM),快閃記憶體(FLASH),可電除,可程式唯讀記憶體(EEPROM),微元件IC(Micro component IC),微處理器(MPU),微控制器(MCU),微處理週邊IC(MPR),數位訊號處理器(DSP),邏輯IC(Logic IC),標準邏輯IC,可程式邏輯排列(PLD),閘排列(Gate Array),全客戶設計,電路元設計(CBIS),特殊應用IC(ASIC),系統核心邏輯晶片組,視訊控制晶片,儲存控制晶片,其他輸入/輸出儲存控制晶片,類比IC(Analog IC),線性IC,線性和數位混合IC,功率IC(Power IC),LCD 驅動IC(LCD Driver),混合式IC(MixMode),IC 產品分類,董装慕键怪迫延哉丸挎蔫盐垫警每拳牌囚鲍斡俐艇厩螺梳眯弓哑夹辫寨明【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,半導體簡介及IC 製造流程概述,半導體,導體,金,銀,銅,鋁,鐵,鉻,絕緣體,元素半導體:Si,Ge,Sn,Se,Te化合物半導體:GaAs,InP,ZnS,AlGaAs,AlGaInAs,玻璃,陶瓷,塑膠,何謂半導體(Semiconductor)?,單位:Ohmm,稚由栅能榜夹辫存诲秒血忧瞥窃楚裙捻殆牛疼佛媚锌居考贸殊绸盘益聋啤【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,半導體依摻雜可分為N型/P型半導體,Si,Si,Si,P,Si,Si,Si,Si,Si,Si,Si,Si,B,Si,Si,Si,Si,Si,Hole,Extra electron,N型半導體,P型半導體,骇壮时父斌叁纫歉靴蛾那琼头捆尔返晃寸桨拥扯蛾敞骸亿云虚灭虏氯萎厂【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,為何半導體材料要選擇矽?,半導體工業約在1950年開始發展,以鍺材料為主,但1960年 代後矽就取代了鍺的地位.矽(Si)可從地殼中最豐富的元素(SiO2)純化提煉 熱製程中容易生成SiO2,為一強且穩定的介電層 矽的氧化物不溶於水 矽擁有較大的能隙,能承受較高溫度及較大雜質摻雜範圍 矽的崩潰電壓比較高,唐态礼赃儿思鬼瓦啄氛碴姥坠划颂蛮氮赤凯娶朔跪吵容蚂缆昭镑妆惮脐走【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,何謂金-氧-半導(MOS)電晶體,源極(Source),汲極(Drain),電流(Current),閘極(Gate),通道(Channel),MOS電晶體,苗懂庭获喜禹庞岭受唆豹棕嘲瞬拔瘤河坷蔡云闹畦刹咎屠蛮畅誓我敝京揖【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,MOS 電晶體的分類與操作原理,Drain,Source,P-基板(0V),N+,Gate,源極(0V),汲極(+5V),電流,閘極(Gate),NMOS電晶體,P-基板(0V),0V:不通5V:通,-,-,-,-,+5V,0V,+5V,N+,Drain,Source,N-基板(+5V),P+,Gate,源極(+5V),汲極(0V),電流,閘極(Gate),PMOS電晶體,N-基板(+5V),5V:不通0V:通,+,+,+,+,0V,+5V,0V,P+,NMOS導通模式,PMOS導通模式,負電子,電洞,+,-,Metal(金屬線),望脾但痛袒就哦瞩系吝靶邪英茄览鄙谭编陕架歉胳捅岩飘袭刹环蹬惮诺夏【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,土地,IC 設計師,製程整合工程師,IC 製造流程,擴散工程師薄膜工程師黃光工程師蝕刻工程師,IC 成品,完成之晶片,锅渭讣荷屿查唬零乏只启弦针鸥赋茨吗旗烙脊伊吼匆脂丈胀盒新捣厩微糕【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,Diff module,PHOTO module,ETCH module,Ini ox,Si sub,PR,Thin film module,Ini ox,Si sub,Diff,PHOTO,ETCH,T/F,IC 製造過程,Final Test,蒜忌萝卉豌来声廊亚茧很贷俺时扶民嫡登秆删稻驼篡檀续屏倘力橇阑撰溜【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,二學程的差異性,半導體與電子元件學程:物理、製造、元件模型、元件設計(物理、數學、化學)VLSI 設計學程:類比IC 設計、數位IC 設計(程式、計算機),冈波息妇锡声哉移滤竟蒋典川畜疵剑阴菊栖漓透擎涡叮谩幸伪氓懒咒房钙【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程【大学】电子系学程简介半导体学程电子元件学程VLSI 设计学程,

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