第3章CMOS器件模型课件.ppt
第章器件模型,.MOS管大信号模型.MOS管的小信号模型.计算机仿真模型.亚阈值电压区MOS模型 CMOS模型参数提取*,主要内容,掌握有源器件大信号等效模型MOS管的寄生电容；低频小信号等效模型和高频小信号等效模型；了解MOS器件计算机仿真模型了解亚阈值电压区MOS模型,.MOS管大信号模型,MOS管大小信号模型关系,大信号模型（直流偏置）小信号模型（交变信号）,nmos管的大信号特性,输出特性,大信号模型的推导思路,假设：缓变沟道近似强反型近似只考虑漂移电流近似迁移率为常数近似,、电流dvd、dox（gs（y）th）、vd d（y）dy、,饱和特性,大信号管的工作区域,管的电流方程 NMOS管在截止区、线性区、恒流区的电流方程,UGSUGS-UTHN(恒流区),硅常数表,.um工艺参数,跨导特性,例题 大信号模型的应用,.MOS管小信号模型,信号摆幅与偏置相比很小，对MOS管的直流工作点的影响可忽略；需要确定直流工作点使用小信号等效电路进行分析突出主要的设计参数对性能的影响,1 低频小信号模型,根据以上分析，一个衬底若不和源极短路，则存在体效应。同时考虑沟道调制效应和衬底调制效应(体效应)的低频小信号模型,MOS管交流小信号模型-低频,小信号是指对偏置的影响非常小的信号。由于在很多模拟电路中，MOS管被偏置在饱和区，所以主要推导出在饱和区的小信号模型。,几个重要的参数,跨导输出电阻增益最高工作频率,饱和区MOS管的跨导gm,工作在饱和区的MOS管可等效为一压控电流源，故可用跨导gm来表示MOS管的电压转变电流的能力，跨导为漏源电压一定时，漏极电流随栅源电压的变化率，即：,饱和区MOS管的跨导,栅跨导随过驱动电压以及IDS的变化,饱和区MOS管的gmb,则衬底电位对漏极电流的影响可用一个电流源gmbVBS表示。在饱和区，gmb能被表示成,饱和区MOS管的gmb,而根据阈值电压与VBS之间的关系可得：因此有：上式中=gmb/gm，gmb正比于。注意gmVGS与gmbVBS具有相同极性，即提高衬底电位与提高栅压具有同等的效果。,饱和区MOS管的输出电阻,输出电阻定义为：当栅源电压与衬底电压为一常数时的漏源电压与漏极电流之比,一般有gm约gmb约gds,增益AV,MOS管的最高工作频率 ft,MOS管的最高工作频率定义：对栅输入电容的充放电电流和漏源交流电流值相等时所对应的工作频率。,MOS管的最高工作频率,C表示栅极输入电容，该电容正比于WLCox。MOS管的最高工作频率与沟道长度的平方成反比，因此，减小MOS管的沟道长度就能很显著地提高工作频率。,MOS管交流小信号模型-高频,在高频应用时，MOS管的分布电容不能忽略,MOS管的高频小信号电容,栅与沟道之间的栅氧电容C2=WLCox，其中Cox为单位面积栅氧电容ox/tox；沟道耗尽层电容：交叠电容（多晶栅覆盖源漏区所形成的电容，每单位宽度的交叠电容记为Col）：包括栅源交叠电容C1WdCol与栅漏交叠电容C4=WdCol：,MOS管的高频小信号电容,MOS管栅源电容饱和区,栅漏电容大约为：WCol。漏端夹断，沟道长度缩短，从沟道电荷分布相当于CGS增大，CGD减小，栅与沟道间的电位差从源区的VGS下降到夹断点的VGS-Vth，导致了在栅氧下的沟道内的垂直电场的不一致。即=2WLCox(VGS-VTH)/3因此有：CGS=2WLCox/3+WCol,需要记住的电容,0.35um主要参数,讨论,管的设计参数有几个，对管的性能有何影响？如何提高MOS管的性能？例题:求完整的NMOS管的小信号模型,Mos管设计考虑,主要公式(掌握),主要公式(续),.计算机仿真模型,1 2 3,（深亚微米）49 Berkeley Short-Channel IGFET Model,模型参数变化,尺寸缩小考虑因素,短窄沟道效应热载流子效应漏感应势垒降低效应载流子速度饱和效应,MOS的Spice模型参数,目前许多数模混合计算机仿真软件的内核都是Spice。计算机仿真(模拟)的精度很大程度上取决于器件模型参数的准确性和算法的科学先进性。了解Spice模型参数的含义对于正确设计集成电路十分重要。,MOS管Spice模型参数,求解过程,仿真示例,仿真结果,工艺角,不同晶片不同批次不同工艺线有经过验证的器件模型典型条件 四个工艺角（SF，FS，SS，FS）满足以上条件的电路才是合格的保证产品的成品率,.亚阈值电压区MOS模型,亚阈值效应又称为弱反型效应,亚阈值工作区,衬底没有反型,弱反型,强反型,亚阈值效应,亚阈值导通，而且ID与VGS呈指数关系：其中1是一非理想的因子；ID0为特征电流：，m为工艺因子，因此ID0与工艺有关；而VT称为热电压：,亚阈值效应,MOS管亚阈值效应,亚阈值效应的应用,模拟电路的低压低功耗 数字电路的泄漏电流,器件性能参数计算,目的通过计算机仿真得到器件模型参数参数抽取过程：1.)Extract the square-law model parameters for a transistor with length at least 10times Lmin.2.)Using the values of K,VT,and extract the model parameters for the model,简单MOS管的特性,饱和区:假设其中,模型参数的抽取过程,假设,关系曲线,K和 VT 的计算,先检查数据的线性度,习题,试确定值以及NSUB值,习题,管存在哪些二阶效应？分别由什么原因引起的？对管的模型有何影响？管的设计参数有几个，对管的性能有何影响？,本章小结,大信号模型小信号模型 主要参数 仿真模型亚阈值效应,
