电磁炉用功率管参数及代换.docx

电磁炉用功率管参数及代换电磁炉用功率管参数及代换 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。 体管放大的复合结构。 极E(也称源极) 。 从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻大, 器件发热严重, 输出效率下降。 技术论坛'|19v"o$l a t技术交流资料下载家电资讯维修者的技术平台"VO/R;r5y3_ 目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶技术交流资料下载家电资讯维修者的技术平台 h&qG.IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射 IGBT的特点: -U7o(E技术交流资料下载家电资讯维修者的技术平台K$zR$g& 1.电流密度大, 是MOSFET的数十倍。 技术交流资料下2.输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。 3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下, 其导通电阻Rce(on) 不大于MOSFET的Rds(on) 的10%。4.击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。 5.开关速度快, 关断时间短,耐压1kV1.8kV的约1.2us、600V级的约0.2us, 约为GTR的10%,接近于功率MOSFET, 开关频 率直达100KHz, 开关损耗仅为GTR的30%。 IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体, 是极佳的高速高压半导体功率器件。 技术交流资料下载家电资讯维修者的技术平台6tw6D技术交流资料下载家电资讯维修者的技术平台4w(1) SGW25N120-西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25时46A,100时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须 配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。 技术论坛)jq3P*zf I(2) SKW25N120-西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25时46A,100时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。 技术论坛!2Y M1Q(3) GT40Q321-东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25时42A,100时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。 (4) GT40T101-东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25时80A,100时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301。 技术交流资料下载家电资讯维修者的技术平台v(j K技术论坛M:4I N;d(n j%J: (5) GT40T301-东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25时80A,100时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、 GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。 7uAB;N*技术交流资料下载家电资讯维修者的技术平台r0v!q.|3v#(6) GT60M303 -东芝公司出品,耐压900V,电流容量25时120A,100时60A, 内部带阻尼二极管