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数电 第二章习题答案数字电路 习题答案 第二章 2.1解: (a)当vi0V时，vB=-10´5.1=-2VT截止vo»10V5.1+2050.710.7当vi5V时，IB-=0.3mA 5.12010IBS»=0.17mA<IBT饱和vo»0.2V(00.3V都行）30´2悬空时，vB负值，T截止，vo»10V(b)当vi0V时，vB为负值T截止vo5V当vi5V时，IBIBS»50.78.7-=0.42mA54。7185 =0.05mA<IBT饱和vo»0.2V(00.3V都行）50´250.78.7悬空时，IB-=0.08mA4.718IBS=0.05mA<IB，T饱和，vo0.2V(00.3V都行） 2.3解： s闭合时，输入低电平，此时 ¢£0.4VVIL=R2´5IILR2£0.40.4V=200W¢5IIL2mAR2的最大允许值为200W s断开时，输入为高电平，此时 VIH=Vcc-(R1+R2)´5IIH³4VR1最大允许值为10KR2R1+R2£Vcc-4V1V=10KW 5IIH0.1mA2.4解： IOL(max)8=20IIL0.4 I(max)0.4GM输出为高电平时，扇出系数NOH=20IIH0.02GM输出为低电平时，扇出系数N所以，N20 2.5解： GM输出为低电平时，扇出系数NGM输出为高电平时，扇出系数N所以，N5 IOL(max)16=10IIL1.6IOH(max)0.4=5(分母中的2为输入端的个数）2IIH2´0.041 数字电路 习题答案 2.6解：由于TTL型或非门输入结构不同，每个输入端都有一个三极管 N低IOL(max)16=52IIL2´1.6IOH(max)0.4=52IIH2´0.04N高最多能驱动5个相同的或非门2.7解：根据公式： RL(max)=Vcc-VOH5-3.2=5KnIOH+mIIH3´0.1+3´0.02Vcc-VOL5-0.4=»0.68KILM-m¢IIL8-3´0.4RL(min)=0.68K<RL<5K2.8解： 当VI=VIH时，T必须满足截止条件：IB0V-0.1VOL-VBE同时要满足cc-£ILMR1R2+R3ÞR1³1.1K当VI=0V时，T必须满足饱和条件：IB³IBS,IBS»Vcc0.7+8=1mA，I3=0.43mAbRcR3IB=I1-IOH-I3üïVcc-VOHïI1ïR1ýÞVOH=VBE+I2R2ïïïI2=I3+IBSþ1.1K£R1£4.46KR1£4.46K2.9解： (1)同上题解法：ILM=16mAIL=5´1.4=7mAÞIc=IRc+IL=可解得：0.3K£RB£33.1K(2)把OC门换成TTL门时， 若门输出为低电平时两者相同，无影响； 但输出高电平时两者截然不同，OC门向内流进， 而TTL的电流是向外流出，IBIRBIOH ，IOH为TTL输出高电平时的输出电流。 由输出特性曲线知：当VOH下降到0.7V时，IOH相当大，IC也很大，会烧毁三极管。 2 Vcc-0.3I+IL=8mAÞIBS=c=0.08mA Rcb数字电路 习题答案 2.10 (1)vi2=1.4V(2)vi2=0.2V(3)vi2=1.4V(4)vi2=0.2V(5)vi2=1.4V 2.11 各种情况均为1.4V 2.12解： 输出为高电平时：Vo=Vcc-(0.2´2-iL)RL=4.6+iLRL æVcc-Voö输出为高电平时：Vo=ç+iL÷çR÷´0.01=0.05+0.01iLLèø2.13解： 1)对74系列：5V-VBE-Vo1×R+Vo1£0.5VÞR£0.32KR1+R2)对74H系列：R1=2.8K，同法解得：R£0.22K3）对74S系列：R1相同，R£0.22K4）对74LS系列：R£1.58K2.14 (a)Y=A·B (b)Y=A+B (c)Y=A+B (d)A=0时，输出为高阻；A=1时，Y=G1+G2 所以电路为三态或门。 2.16 均为0V,因为无栅流。 217 (a)Y=A+B+C (b) Y=ABC 0 (INH=1) (C) Y= AB+CD(INH=0) 218 (a)Ya=ABCDE (b)Yb=A+B+C+D+E (c)Yc=ABC+DEF (d)Yd=A+B+C·D+E+F 219 不能。会使低电平变高，高电平变低。 2.20解： 静态功耗：PS=IDD×VDD=0.02mW动态功耗：PD=PC+PTPT=0(不计上升下降时间)2PCCLfVDD=2mW总共耗：PTOT=PD+PS=2.02mW电源平均电流IAV=PTOT2.02=»0.2mAVDD10221不可以 可以 可以。 不可以 、可以 3 数字电路 习题答案 2.22解： (1)当CMOS输出为高电平9.95V时，假设T饱和，则VC=0.2VIB=ICSIBS9.95-0.70.18mA51K0.2K 5-0.2=IRC+IL=+0.4´2=3.2mA23.2=0.11mA>IBÞT饱和，假设成立Vc=0.2V30(2)当CMOS输出为低电平0.05时，T截止VC=VCC-RC´4´IIH=5-2´0.08mA=4.84V电路参数选择合理 2.23解： Vi=VIH时，要求VDD-RLIo³4V，Io=50mAÞRL£20K50.3 Vi=VIL时，要求£8ÞRL³0.59KRL0.59K£RL£20K(CMOS的输入电流不计) 4