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半导体器件物理名词解释PN结扩散电容：为了形成正向电流注入P区的少子在P区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，既是在P区有电子的积累，同理，在N区有空穴的积累，正向电流大，积累的电荷多，这样所产生的电容就是扩散电容CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压发生变化的时候，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现的电容就是势垒电容。 BJT的放大作用：BJT工作于放大状态的基本条件：发射结正偏、集电结反偏。 场效应：电场对半导体的影响。在电场作用下半导体中自由电子和自由空穴的平衡遭到破坏。如MOS结构在不同的电场作用下，由于电场对半导体内载流子的吸引或排斥作用而在半导体表面附近产生载流子的积累或耗尽，通常把这种半导体表面电导受垂直电场调制的效应称为场效应。 欧姆接触：欧姆接触是指金属与半导体的接触，而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻，使得组件操作时，大部分的电压降在活动区(Active region)而不在接触面。欧姆接触在金属处理中应用广泛，实现的主要措施是在半导体表面层进行高掺杂或者引入大量复合中心。 整流接触；电流只能单向流过。与此相对应的是：欧姆接触。电流可以双向流过 表面电场效应：在外加电场的作用下，在半导体的表面层内发生的物理现象。 热载流子，是指比零电场下的载流子具有更高平均动能的载流子。 所谓大注入，就是注入到半导体中的非平衡少数载流子浓度接近或者超过原来的平衡多数载流子浓度时的一种情况。，所谓小注入就是注入的非平衡少数载流子浓度远小于原来的平衡多数载流子浓度的状态。 MOSFET的阀值电压：在正常情况下，栅电压产生的电场控制着源漏间的沟道内的载流子的产生，是沟道区的源端强反型时的栅源电压称谓MOS管的阀值电压。 强反型条件：YSI=2Uf 为强反型时的表面势 深耗尽状态：当半导体表面在外电场作用下，表面能带即将发生弯曲，并将出现载流子浓度发生了变化的各种表面状态。然而若是脉冲式外电场的作用，即使达到了s 2b，但由于少数载流子的产生需要一定的寿命时间，则也不会立即出现反型层，而仍然保持为耗尽的状态；这种多数载流子完全被耗尽了的，应该出现、而又一时不出现反型层的半导体表面状态，就特别称为深耗尽状态 亚阀区： 少子扩散长度：