用于光电集成的INP 基HBT新结构.doc

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用于光电集成的INP 基HBT新结构.doc

用于光电集成的InP 基HBT新结构文章来源毕业论文网全部作者：崔海林李轶群王文娟第1作者单位：北京邮电大学论文摘要：对用于光电集成的InP 基HBT进行了分析，讨论了几种集电区不同结构的DHBT，提出了1个新的集电区外延结构，既可用于光电集成，又较好地解决了SHBT反向击穿电压低，DHBT有电子堆积效应的问题。同时，该结构具有外延层生长简单，集电区电子漂移速率高等优点。关键词：光电集成 HBT 复合集电区 (浏览全文) 发表日期： 2006年11月24日同行评议：（暂时没有）综合评价：（暂时没有）修改稿：

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