基于MTK LCD TE现象相关问题总结.docx

基于MTK LCD TE现象相关问题总结周技术总结 每周问题总结-LCD TE 1、 切屏原因： BB写图像数据的速率和LCD刷屏的速率不一致引起。LCD的BW可以达到5MHz，但是外部SRAM却不行。刷屏率是指LCM刷新的速度，这个值一般在LCM的初始化Code中会设定好，对于ILI9486的这个LCD驱动设定寄存器0xB1来设定刷屏率 。 BB芯片DecoderFBLCD ControllerFig.1 BB-LCM GRAMLCMBB写速度和CS： 这两个PIN对于每一个LCM都具备，两者工作的频率是一致的。BB每写一帧数据会有一个片选信号，同时对应一个WR的写有效信号。BB写频率的变化是由工作状态决定的，比如摄像时，拍摄动态物体的写速度就快于拍摄静态物体的显示写速度。 FMARK引脚： FMARK用来与BB同步，当F发出一个信号时，BB才发出一帧数据，这样可以保证两边同步。要使能FMARK就要保证BB与LCM的引脚连接正确，其次LCM的初始化要使能LCD的F功能，保证LCM周期性发信号给BB，同时使能BB的F引脚，保证BB每接到一个F信号才写一帧数据。 LCM的FMARK有两个参数可以配置：一是刷多少次屏输出一次FMARK信号，不一定每刷一帧发出一个信号；二是FMARK的位置参数，可以让FMARK迟滞几条线输出，目的是让BB晚点写数据到GRAM，避免TE。 FMARK周期与CS周期： 究其出现TE的根本原因，是两边速度不一致导致，是LCM的刷新速度要快于BB的速度。只要保证CS的周期在两个TE周期之间即可，也就是CS的写频率不能低于TE读频率的1/2，因为TE出现就是因为读写有交叉。通常是写GRAM的速度小于LCD刷屏速度，只要刷屏的位置不超过写GRAM的位置就不会有切屏现象。 比如CS比两个TE周期小一点，要刷两帧数据，首先第一帧刷屏开始了，表示读GRAM开始，它的速度比较快，读的是老旧数据；接着BB开始写GRAM数据，由于写的速度比较慢，大概写到GRAM一半时第一帧已经刷完。然后开始刷第二帧，这是从GRAM的上部开始读数据并刷屏，此时读入的数据是刚刚写入的数据，在写完GRAM之前，即读的步骤永远跟不上写的步骤，就不会出现TE。 故而，CS的读写频率不低于TE的1/2，即不会出现TE。 1 / 4 周技术总结 2、如何操作才能规避TE的分析过程： 根据上面介绍的TE产生的原因，对于如何规避TE，普遍的做法有两步骤：在硬件支持并且软件使能FMARK的情况下，一是修改LCD的读写时序，二是通过修改切线的位置和来消除TE现象。此二者必须协同工作才能保证TE被规避掉，下面主要对此做出详细陈述： 下图所示的代码即为LCD的读写时序配置： Fig.2 LCD-sequece From Spec 上面显示的配置时序为Spec中的时序，我们对比其寄存器设置如下作出解释 Fig.3 Regiter of LCD_PCNF0 Definarion From Spec 下图为LCD IC资料(此处假设取ILI9486的spec)中要求的时序配置： 2 / 4 周技术总结 Fig.4 LCD Timing Sequence From IC Spec 结合上面三张图片，我们对这个重要的时序做出如下解释： C2WS：即对应代码中的CE2WR_SETUP_TIME，对应LCD_PCNF0寄存器中的最高两位，这个值得代表了RS选通到WR有效和CS拉低到WR有效这两段时间中较大者。对应IC Spec中的tast，其基本要求为最小持续时间大于零。 C2WH：即对应代码中的CE2WR_HOLD_TIME，对应LCD_PCNF0寄存器中的次高两位，指的是WR上拉后RS需要保持的有效时间和WR上拉后到DB需要保持的有效的时间，这两个中的较大者，对应IC中that和twrh中的较大者，其判别条件请参考上表有两种标准，即最小为0和最小为15。 WST：对应代码中的WRITE_WAIT_STATE，对应LCD_PCNF0寄存器中8-12位。指的是RS选通到WR拉过持续的时间。 一般情况下，在实际操作的过程中如果出现TE，根据两份spec的时序进行相关配置，如 3 / 4 周技术总结 果还有TE，则根据IC中相关的寄存器寄存器）对出现TE的位置进行调整，策略是尽可能的朝着LCD的边缘驱赶，这个过程要一步步的实践才能挑选出一个合适的值。 3、结论及改善建议： 暂无 4 / 4